BaTiO3晶体自抽运相位共轭特性研究

研究了多种Rh:BaTiO₃和Ce:BaTiO₃晶体样品的受激背向光折变散射自抽运相位共轭特性和响应时间特性.结果表明,入射光与晶体a面或b面法线的夹角较大时,自抽运相位共轭光有更高的反射率、更快响应时间.利用前向二波耦合特性和相向二波耦合特性对实验现象给予合理的解释.实验结果表明,多数Ce:BaTiO₃晶体比Rh:BaTiO₃晶体的共轭光反射率高. 关键词： 钛酸钡晶体 二波耦合 自抽运相位共轭 响应时间     

KNSBN晶体猫式互抽运相位共轭光特性

在KNSBN∶Ce晶体中,利用二波耦合作用,在单一光束无法获得相位共轭光的条件下,实现了“猫”式互抽运相位共轭光输出,获得较高的共轭光反射率.实验结果表明,晶体的二波耦合作用可以使晶体的自抽运相位共轭光的阈值光强降低、入射光的入射角范围增大、响应时间缩短 关键词： 钾钠铌酸锶钡晶体 互抽运相位共轭 二波耦合 自抽运相位共轭 响应时间     

Ce：BaTiO3晶体自泵浦相位共轭特性和机理研究

在Ｃｅ：ＢａＴｉＯ３晶体中，实现了受激折变散射自泵浦相位共轭，给出了其自泵浦相位共轭形成的特点以及相位共轭波输出特性。比较了不同波长的入射光对自泵浦的形成特点和共轭波输出特性的影响。     

KNSBN晶体猫式互抽动相位共轭光特性

在KNSBN：Ce晶体中，利用二波耦合作用，在单一光束无法获得相位共轭光的条件下，实现了“猫”式互抽运相位共轭光输出，获得较高的共轭光发射率，实验结果表明，晶体的二波耦合作用可以使晶体的自抽运相位共轭光的阈值光强降低。入射光的入射角范围增大，响应时间缩短。     

BaTiO3晶体自泵浦相位共轭中的透射效应

从BaTiO_3晶体自泵浦相位共轭透射光束的出射角随泵浦光束入射角的变化,相位共轭透射光束在晶体中的光路,以及相位共轭透射光束的透射率随泵浦光束和晶体c轴夹角的变化等几方面研究了BaTiO_3晶体自泵浦相位共轭中的透射效应,根据实验结果肯定了自泵浦相位共轭中透射现象的存在.     

异型BaTiO3自泵浦相位共轭镜实验研究

本文首次演示了一种高效异型BaTiO_3自泵浦相位共轭镜,用该相位共轭镜的45°角和135°角切面获得其共轭反射率分别大于60％和40％,文中还给出了其它实验结果和结论。     

晶体几何结构及入射角度对自抽运相位共轭特性影响的研究

基于两块不同尺寸的Cu∶KNSBN晶体自抽运相位共轭实验,研究了光折变晶体的几何结构及入射角度对自抽运相位共轭特性的影响,得到在入射位置不变化的情况下,随着入射角度的变化相位共轭光输出有最大值,几何结构不同对应的最大值不同。并从理论上分析了晶体结构及入射角度在双作用区自抽运相位共轭机理中的作用,指出几何结构、入射角度与自抽运光通道、耦合系数的关系,及在自抽运相位共轭效应中存在一个最佳入射角度,这时相位共轭光输出最大。最后,对理论上的相位共轭反射率公式进行了修正。对自抽运相位共轭实际应用中,选择最佳入射角度提供了理论和实验依据。     

用自散焦介质观测Ce：BaTiO3晶体的自泵浦相位共轭频移

提出利用自散焦介质作为载体测量光折变晶体自泵浦相位共轭的微小频移的新方法，适宜用于区分二波耦合，四波辊频对频移的贡献，为研究光折变自泵浦相位共轭频移的产生机制提供了一种新的可能的途径。     

非相干光作用下的Ce：BaTiO3自泵浦相位共轭镜特性

地Ｃｅ：ＢａＴｉＯ３晶体的自泵浦相位共竟然非相干光作用下自泵浦相位共轭反射率增强的特性进行了研究。实验是在Ｈｅ－Ｎｅ激光产生稳态自泵浦相位共轭输出后，用非相干光平行ｃ轴照射来获得这一增强特性的，当水平移动非相干光入射位置，发现有两个区域非相干光作用能使相位共轭反射率增加，本文对此进行了相应的分析和讨论。     

双光折变晶体半线性相位共轭器的自脉动

在由两块光折变BaTiO3晶体(其中一块晶体为全内反射式自抽运相位共轭镜工作方式,起外反射镜作用)构成的半线性自抽运相位共轭器中观察到了相位共轭光的自脉动现象。自脉动的平均频率f与入射光功率I0的关系为f∝I01.43;相位共轭光的平均维持时间ΔT与入射光功率I0近似成反比。观察到光折变BaTiO3晶体中扇形散射光具有动态的空间结构,扇形散射光的这种特性是引起上述半线性自抽运相位共轭器中相位共轭光脉动的原因     

不同切型BaTiO3晶体二波耦合特性研究

分析了光折变晶体的电光系数对二波耦合特性的影响,二波耦合能量转移方向不仅依赖于晶体中光生载流子的电荷符号以及入射光与晶体ｃ轴的相对取向,而且依赖于晶体光系数各分量的相对大小;这种特性别明显地表现在相向二波耦合作用中。     

SBN:Cr晶体的光折变四波混频相位共轭特性实验研究

从实验上研究了同成分SBN:Cr晶体在He-Ne激光照射下的四波混频相位共轭特性.首先测量了在不同泵浦光与信号光光强比m及不同光束夹角2θ的情况下,晶体的四波混频相位共轭反射率R随泵浦光强比p的变化关系.其次测量了泵浦光束与信号光束耦合方向对SBN:Cr晶体的四波混频相位共轭特性的影响,并就两种不同掺杂浓度的晶体样品进行了对比,所得实验结果与理论分析基本一致.最后,利用SBN:Cr晶体四波混频相位共轭特性进行了图象畸变消除实验.     

Pb(Zr,Sn,Ti)O3反铁电陶瓷的低温相变扩散与极化弛豫

用弱场介电温谱、热释电流谱、强场电滞回线和变温X射线衍射谱研究了微量La掺杂Pb(Zr ,Sn ,Ti)O3(PZST)反铁电 (AFEt)陶瓷在 - 10 0— 180℃温区内的结构与电学特性 .弱场介电温谱显示 ,AFEt陶瓷在低温段(- 10 0— 5 0℃ )呈现介电频率弥散 (0 1— 10 0kHz)和扩散型相变的特征 ,而变温X射线衍射谱却表明材料在这一温区内保持四方相结构 ;低温下经强场作用后 ,AFEt被诱导为亚稳三方铁电态 ,介电频率弥散消失 .基于多元复杂化合物的组分起伏理论 ,讨论了PZSTAFEt陶瓷的相变扩散与极化弛豫新现象 .