BF2+注入多晶硅栅常规热退火氟迁移特性的二次离子质谱分析

借助二次离子质谱（SIMS）技术，深入地、系统地分析了80keV，2×10¹⁵ cm^-2BF₂⁺注入多晶硅栅在常规热退火条件下，F在多晶硅栅中的分布及迁移特性．F在多晶硅栅中的迁移，不但存在着扩散机制，而且还存在着发射和吸收机制，据此成功地解释了实验结果 关键词：     

HD+2，H+3和D+3与固体相互作用和三体尾流效应

从分子离子H⁺₃及其氘化同位素分子离子D⁺₃和HD⁺₂与超薄固体膜相互作用发生库仑爆炸为基础,分析讨论了H⁺₃,D⁺₃和HD⁺₂三种分子离子的形成机理,根据产物能谱分布,利用库仑爆炸技术确定了同位素分子离子HD⁺₂的结构形式,给出具体核间距数值.并确定在实验中不存在线状结构的HD⁺₂.提出一种三原子分子离子和固体相互作用中尾流效应的处理方式,通过和实验结果做比较发现这是一种非常理想的处理三体尾流效应的模式,并用之进一步确认了HD⁺₂的结构形状.文章对H⁺₃,D⁺₃和HD⁺₂三种分子离子的实验结果做了对比和讨论. 关键词： +₂')" href="#">微团簇HD⁺₂ +₃和D⁺₃')" href="#">H⁺₃和D⁺₃ 库仑爆炸 三体尾流势 团簇结构     

H+2，H+3团簇离子在沟道条件下的背散射 质子产额测量

采用卢瑟福背散射方法，测得了每质子能量为650 keV的H⁺₂，H+₃团簇离子在Si晶体<100>和<110>沟道条件下的质子背散射能谱.结果发现，由于H⁺₂，H⁺₃团簇在晶体中的库仑爆炸和团簇效应，H⁺₂的背散射质子产额大于H ⁺的背散射产额，而H^{+< 关键词： 团簇 沟道效应 库仑爆炸 背散射}     

具有D4h对称性构型的C2+4分子的Jahn-Teller效应与能级分裂

依据量子理论与配位场理论,利用群论和对称性分析的方法探讨了C²⁺₄分子在具有D_4h对称性构型时,E×(b_1g+b_2g)系统的Jahn-Teller效应中的相关问题.研究了C²⁺₄分子的电子态与声子态的对称性及其活跃声子态,讨论了系统声子间的耦合与CG系数,构建了E×(b_1g+b_{2g 关键词： 2+4分子')" href="#">C²⁺4分子 对称性 能级分裂 Jahn-Teller畸变}     

H+5团簇离子及其中性团簇产物H3和H4

报道了H⁺₅的实验结果.分析讨论了H⁺₅的 形成和分解途径.根据理论分析，以稳定的H⁺₃为核心与一个或多个氢分子结合可能形成稳定的H^{+_n氢团簇离子.另一方面，在高频离子源中, 有发生H+₃与H₂反应的条件.实 验中，从高频离子源引出的离子束被静电加速器加速，然后用9 关键词： +}₅团簇离子')" href="#">H⁺₅团簇离子 3中性团簇')" href="#">H₃中性团簇 4中性团簇')" href="#">H_{4中性团簇}     

124Te核1+态和高自旋态能谱特征的微观研究

利用微观sdIBM-2+2q.p.方案，成功地计算出¹²⁴Te核的低自旋态和部分高自旋态，特别是较成功地再现了1⁺₁,1⁺₂,3⁺₁，3⁺₂和5⁺₁态.基于该方案推出的能量关系指认：6⁺₁，8⁺_{关键词： 能谱特征 拆对与顺排 微观sdIBM-2+2q.p.方案 124Te核')" href="#">¹²⁴Te核}     

281—332nm SO+2的光碎片激发谱研究

在超声分子束条件下，利用380.85nm的电离激光使SO₂分子经由［３＋１］共 振增强多光 子电离(REMPI)制备纯净的分子离子SO⁺₂(²A ₁(000))，用另一束解离激光在281 —332nm扫描获得了光解碎片激发(PHOFEX)谱.获得的光碎片SO⁺激发谱基本可以 归属为SO ⁺₂(,)←SO⁺关键词： +₂')" href="#">SO⁺₂ 光解离 光碎片激发谱     

CH4或CH4+Ar介质阻挡放电中的离子能量和类金刚石膜制备

实验上，利用纯CH₄及CH₄+Ar在几百帕量级气压下的介质阻挡放电 制备类金刚石膜，研究了气压p与放电间隙d乘积(pd值)以及Ar的体积百分比R_Ar 对膜硬度的影响.理论上，从离子与气体分子的双体碰撞出发，利用较高折合电场强度E/n( 电场强度与粒子数密度之比)下离子及中性粒子速度分布的双温模型、离子在其他气体中运 动时遵守的朗之万方程及离子在混合气体中运动时遵守的布兰克法则，对CH⁺4和Ar⁺离子能量进行了分析.结果表明：1)CH₄介质阻挡 放电中，pd值由1.862×10³Pa mm降低至2.66×10²Pa mm时，CH+₄能量由5.4eV增加到163eV，类金刚石膜硬度由2.1GPa提高到17.6GPa ; 2) 保持总气压p=100Pa,放电间距d=5mm不变，在CH₄中加入Ar气，当R_Ar 由20％增加至83%时，CH⁺₄的能量由69eV增加到92eV,而Ar＋能量由93eV降低至72eV.虽然CH⁺₄能量增加有助于提高 沉积膜硬度，但当R_Ar大于67%，高强度Ar⁺轰击会导致膜表面石墨 化，膜硬度降低.为了验证离子能量理论模型的正确性，实验测量了H₂介质阻挡 放电中离子能量，测量结果与理论计算之间最大相对误差为16%. 关键词： 离子能量 介质阻挡放电 类金刚石膜     

Sr0.6Ba0.2Ca0.2Al2O4 ∶Eu,Dy的制备与长余辉发光性能研究

采用高温固相法制备了Ca,Ba共掺的Sr_0.6Ba_0.2Ca_0.2Al₂O₄ ∶Eu²⁺_0.01, Dy³⁺_0.02和单掺Ba的Sr_0.6Ba_0.4Al₂O₄ ∶Eu²⁺_0.01, 关键词： 长余辉 铝酸锶 稀土掺杂 陷阱能级     

氮原子、分子与团簇离子注入Si(111)的特性研究

用椭偏仪、傅氏变换红外吸收谱(FTIR)、X射线光电子能谱(XPS)以及原子力显微镜(AFM)对N⁺₁,N⁺₂,N⁺₁₀离子高剂量(1.7×10¹⁷ions/cm²)注入Si(111)的表面进行测试分析,发现三种不同尺度的离子注入后,均使Si由复折射率变化为实折射率,表面出现含氮硅键的介质层.但其表面形貌各异:N^{+关键词： 氮团簇注入 表面特性}     

Raman紫外双共振研究C2H2分子的碰撞转动弛豫

本文利用受激Raman抽运,选择性地制备了C₂H₂分子电子基态的红外非激活振动能级的单一转动态(X¹∑_g⁺,v″₂=1,J″=9,11,13),并从紫外激光诱导的A¹Au(v′₃=1)←X¹∑_g⁺(v″₂=1)荧光谱,直接测定上述三个转动态的C< 关键词：     

Time-resolved luminescence of UO2MoO4

Time-resolved spectroscopy and decay-time measurements for the intrinsic and trap emission lines of UO₂MoO₄ supply experimental evidence for fast energy migration among intrinsic centres and from intrinsic to trap centres. The temperature behaviour of the decay time for the main trap lines reveals an energy transfer rate from trap to intrinsic centres in the order of 5×10⁹s^-1, while the transfer rate among intrinsic centres, as estimated from the correlation field splitting, is 3×10¹¹ s^-1.     

Influence of Cr<Superscript>+</Superscript> ion implantation and pulsed ion-beam annealing on the formation and optical properties of Si/CrSi<Subscript>2</Subscript>/Si(111) heterostructures

The effect of pulsed ion-beam annealing on the surface morphology, structure, and composition of single-crystal Si(111) wafers implanted by chromium ions with a dose varying from 6 × 10¹⁵ to 6 × 10¹⁶ cm⁻² and on subsequent growth of silicon is investigated for the first time. It is found that pulsed ion-beam annealing causes chromium atom redistribution in the surface layer of the silicon and precipitation of the polycrystalline chromium disilicide (CrSi₂) phase. It is shown that the ultrahigh-vacuum cleaning of the silicon wafers at 850°C upon implantation and pulsed ion-beam annealing provides an atomically clean surface with a developed relief. The growth of silicon by molecular beam epitaxy generates oriented 3D silicon islands, which coalesce at a layer thickness of 100 nm and an implantation dose of 10¹⁶ cm⁻². At higher implantation doses, the silicon layer grows polycrystalline. As follows from Raman scattering data and optical reflectance spectroscopy data, semiconducting CrSi₂ precipitates arise inside the silicon substrate, which diffuse toward its surface during growth.     

Chemical diffusivity of lithium in LiyTi1+xS2

Chemical diffusivity of lithium was measured in polycrystalline Li_yTi_1+xS₂ using current—pulse relaxation technique on Li/1M LiC1O₄ in THF/Ti_1+xS₂ cell. Excess titanium of the nonstoichiometric titanium disulfide did not so much reduce the lithium diffusivity in the interlayer region as in the case of sodium. The diffusivity varied with the amount of intercalated lithium. It had a maximum value of 5 × 10^?8cm²/s for all compounds of Ti_1+xS₂ (0?x?0.13) when the calculations were based on the geometrical surface area. It was calculated as about 3 × 10^?10cm²/s using the effective surface area.     

硅的低温电学性质

本文在20°—300°K研究了室温载流子浓度2×10¹²—1×10²⁰cm^-3含硼或磷(砷)Si的电学性质。对一些p-Si样品用弱场横向磁阻法及杂质激活能法进行了补偿度的测定,并进行了比较。从霍尔系数与温度关系的分析指出,对于较纯样品,硼受主能级的电离能为0.045eV,磷施主能级为0.045eV,在载流子浓度为10¹⁸—10¹⁹cm^-3时发现了费米简并,对载流子浓度为2×10¹⁷—1×10¹⁸cm^-3的p-Si及5×10¹⁷—4×10¹⁸cm^-3的n-Si观察到了杂质电导行为。从霍尔系数与电导率计算了非本征的霍尔迁移率。在100°—300°K间,晶格散射迁移率μ满足关系式AT^-a,其中A=2.1×10⁹,α=2.7(对空穴);或A=1.2×10⁸,α=2.0(对电子)。另外,根据我们的材料(载流子浓度在5×10¹¹—5×10²⁰cm^-3间),分别建立了一条电阻率与载流子浓度及电阻率与迁移率的关系曲线,以提供制备材料时参考之用。     

Ni离子注入多晶ZrO2的表面电性能和结构

对氧化钇(Y₂O₃)部分稳定氧化锆(ZrO₂)样品在室温下进行了Ni离子注入(140kev,5×10¹⁵-2×10¹⁷ios/cm²)和热退火处理.应用电学测量,Rutherford背散射技术(RBS),X射线光电子能谱(XPS)和喇曼光谱方法研究了Ni离子注入多晶ZrO₂的表面电性能,注入层结构及其热退火的影响。     

P2+和P+注入硅固相外延过程时间分辨的反射率研究

本文以时间分辨的反射率测量结合背散射和沟道分析、透射电子显微镜分析,比较和研究了在77K温度下180keV,1×10¹⁴/cm²P₂⁺和90KeV,2×10¹⁴/cm²P⁺注入硅于550℃退火时的固相外延过程。发现了P₂⁺,P⁺注入硅样品的固相外延过程具有不同的特征。这种差异是由于P₂⁺和P⁺在硅中引入不同的损伤造成的。P⁺注入的硅样品测量得到的时间分辨的反射谱是反常的。这种反常谱可用样品退火时从表面层到非晶硅层与从衬底到非晶硅层的双向外延的过程给出满意的解释。 关键词：     

注入Mo 在Zr57Nb5Cu15.4Ni12.6Al10非晶合金中的扩散

通过二次离子质谱仪（SIMS）研究了Mo在Zr₅₇Nb₅Cu_15.4Ni_12.6Al₁₀非晶合金中的扩散，并计算出其扩散激活能Q和前置系数D₀分别为1.95 eV和1.13×10^-5m²s^-1.根据Stokes-Einstern关系式研究了玻璃转变温度以下593—673 K之间Zr₅₇Nb 关键词： 扩散 离子注入 二次离子质谱（SIMS） 黏滞特性     

Some studies of BF2 and B+F implanted Silicon

Ion-implanted shallow junctions have been investigated using BE₂ (molecular ions) by the anodic oxidation method coupled with a four-point probe technique. BF₂ ions were implanted through screen oxide at doses of 3–5 × 10¹⁵ ions/cm² and energies of 25 and 45 keV which is equivalent to 5.6 keV and 10 keV of boron ions. The effect of energy, dose and annealing temperature on shallow junctions is presented in this paper. The shallow junctions in the range of 0.19 μm to 0.47 μm were fabricated.

The effect of fluorine on sheet resistivity of boron implanted silicon at various doses, treated with two-step and three-step annealing, is also presented for comparison in the paper.