Co/S钝化GaAs(100)界面形成的SRPES研究

利用同步辐射光电发射谱研究了Co与CH\-3CSNH\-2处理的S钝化GaAs(100)的界面形成.发现 其界面反应较弱,Co覆盖层达到0.8nm时,形成稳定的界面.GaAs表面上和S原子形成桥 键的Ga原子与Co发生交换反应并扩散到覆盖层中,形成Co—S键.Co覆盖层表面无偏析As的出现,与Co/GaAs(100)界面不同,这表明GaAs表面的S钝化可有效地阻止As原子向覆盖层的扩散. 关键词：     

Mn/GaAs(100)界面的形成和化学反应的研究

利用低能电子衍射(LEED)、X射线光电子能谱(XPS)、电子能量损失谱(EELS)、紫外光电子能谱(UPS),对室温下Mn在GaAs(100)4×1表面的淀积过程进行了研究。研究结果表明,当锰的覆盖度θ≥0.25nm时,LEED图案完全消失,表明Mn没有生长成单晶。LEED,EELS的结果都表明淀积初期是层状生长的。对XPS的Ga2p_3/2,As2p_3/2的峰形、强度进行分析,可以知道在很小的覆盖度下,Mn就与衬底反应。置换出的Ga被局限在离原来的界面约3nm 关键词：     

GaS/GaAs界面电学性质研究

报道了微波放电法在GaAs表面生长GaS薄膜．用电容 电压法（C-V）、伏安法（I-V）以及深能级瞬态谱（DLTS）等测试手段对GaS/GaAs界面的电学性质进行了研究．GaS/GaAs界面的CV特性反映此处的界面特性比较好，界面态密度约为10¹²/（cm²·eV）．DLTS的测试得到了与其一致的结果．另外，从I-V曲线中漏电流的大小，估算出GaS的电阻率为10¹¹Ω·cm 关键词：     

α-P/GaAs(100)界面的光电子能谱研究

本文采用X射线光电子能谱、紫外光电子能谱和低能电子衍射对室温下P在GaAs(100)表面上的生长进行了研究。结果表明,在生长初期P是成团吸附的,随着淀积量的增加而生长成α-P薄膜,该薄膜的价带结构与等离子体淀积的α-P:H薄膜的价带结构相似。在界面处有约一单层的P与衬底表面的Ga成键。α-P覆盖层使GaAs表面势垒下降约0.2eV。 关键词：     

ZnSe/GaAs(100)界面电子结构的计算

利用形式散射理论的格林函数方法，采用紧束缚最近邻近似下的sp³s模型，计算了ZnSe/GaAs(100)两类界面(Se/Ga和As/Zn界面)的电子结构.分别给出了两类界面的界面带结构和波矢分辨的层态密度及其分波态密度.计算结构表明，在ZnSe/GaAs(100)两类界面的禁带隙中均无界面态，而在其价带区均存在三条束缚的界面带和四条半共振带；通过比较，分析了两类界面的界面态特征及其来源. 关键词：     

A1/GaAs界面微结构的慢正电子束研究

基于正电子扩散方程,对于线形全吸收型等特殊的界面模型,求得了正电子湮没辐射多普勒展宽S参数与单能慢正电子入射能量E之间函数关系S(E)的解析表达式.测量不同膜厚、不同退火条件下A1/GaAs的S(E),用所得解析式拟合实验数据,发现A1/GaAs界面系统与线形全吸收型界面模型符合得很好.通过拟合,得出了界面S参数S₁及其与膜厚和退火温度的关系,由此对界面微结构及其动力学特性作了讨论.     

真空退火对周期性界面掺杂Ni80Co20薄膜磁性的影响

用磁控溅射方法制备了两个具有不同Fe层厚度的[Ni80Co20(L)/Fe(tFe)]N多层膜系列样品,其中tFe=0.1和2nm.研究了两个系列样品的磁及输运性质随Ni80Co20层厚度L的变化关系.在退火态[Ni80Co20(L)/Fe(0.1nm)]N系列样品中,发现各向异性磁电阻(AMR)和横向磁电阻(TMR)在L为10nm附近存在一较宽的增强峰,其峰位与制备态[Ni80Co20(L)/Fe(2nm)]25多层膜TMR的增强峰位一致.当L小于Ni80Co20合金的电子平均自由程时,制备态[Ni80Co20(L)/Fe(0.1nm)]N样品的各向异性磁电阻(Δρ)和零场电阻率ρ都随L的减小而增加,且ρ的增量超过Δρ的增量.ρ随L的依赖关系可采用Fuchs-Sondheimer理论描述.在L小于10nm时,制备态界面掺杂[Ni80Co20(L)/Fe(0.1nm)]N系列样品的矫顽力Hc随L近似直线上升,在L大于10nm后趋于饱和.退火后Hc显著下降.实验结果表明,在多层膜结构中,界面散射可导致ρ和Δρ的增强;磁性合金界面层还可导致畴结构的改变及TMR和AMR的增强.     

PtMn/Co多层薄膜结构及磁光克尔效应的研究

用磁控溅射法制备了不同Mn含量的PtMn/Co多层膜,通过大,小角X射线衍射谱对该多层膜进行结构分析,研究了该多层膜的层状结构同磁光克尔效应的关系,通过测定该多层膜在不同杂质浓度下的克尔谱,椭偏率谱及克尔回线,发现克尔角随Mn含量增加的变化规律,并分析了它的产生机制。     

超晶格中GaAs/InGaAs界面与InGaAs/GaAs界面的特性差异

In_xGa_1-xAs缓冲层上生长In_yGa_1-yAs/GaAs超晶格（x＜y）．阱层处于压缩应变，垒层处于伸张应变，其厚度均小于Mathews-Blakeslee（M-B）平衡理论计算的临界厚度．透射电子显微镜及俄歇电子能谱、二级离子质谱测试发现，GaAs/In_yGa_1-yAs界面铟组分过渡区比In_yGa_1-yAs/GaAs界面铟组 关键词：     

Ni/NiO界面的高场磁化研究

报道在表面包覆ＮｉＯ的Ｎｉ超微颗粒和Ｎｉ／ＮｉＯ多层膜中Ｎｉ／ＮｉＯ界面的磁性实验结果．在Ｔ＜８０Ｋ下Ｎｉ／ＮｉＯ界面存在较大的磁化强度（Ｈ＝４０kＯｅ），并随温度上升而快速下降．对高场磁化（５－６５kＯｅ）实验数据进行拟合，结果表明Ｎｉ／ＮｉＯ界面存在类似磁矩排列不一致的结构． 关键词：     

铁、钴、镍金属超微粒的制备与磁性

用气体蒸发法制备粒径在100—800?之间的铁、钴、镍金属超微粒。超微粒的生长机制与气压相关,在低气压下(P<3Torr)为成核生长;在高气压下(P>3Torr)为凝聚生长。电子显微镜观察到铁的非晶态超微粒。X射线衍射表明:铁、镍超微粒的晶格结构与相应的块物质相同,但钴超微粒有所不同,粒度为200—300?的钴为fcc结构。室温下,铁、钴、镍超微粒最高矫顽力分别为1000,1500和450Oe,对应的平均粒度为210,200和320?,其数值与理论计算的单畴颗粒尺寸大致相同。其饱和磁化强度随粒度的减小而单 关键词：     

稀土金属Sm/Si(100)2×1界面形成电子结构的同步辐射光电子能谱研究

利用同步辐射芯能级和价带光电子能谱研究了室温下Ｓｍ／Ｓｉ（１００）２×１界面的形成与电子结构．实验结果表明，膜生长有几个不同阶段，分别为Ｓｍ原子聚集（Θ＜０.５ＭＬ）、反应扩散（０.５ＭＬ≤Θ≤４—６ＭＬ）和金属Ｓｍ膜生长．与Ｓｉ（１１１）７×７相比，Ｓｍ在Ｓｉ（１００）２×１的界面反应和扩散都得到加强．结合理论模型，讨论了该界面的形成与界面结构     

非晶态合金Pr-Co薄膜的磁性

本文研究了非晶态Pr_xCo_1-x薄膜合金的磁化强度与温度和磁场的关系。得到非晶态合金Pr-Co中存在有两个磁相的结论。这可能是由于局域化学短程序涨落造成的相分离,通过对磁化强度-温度曲线拟合,得到了这两相的相变温度。另外通过对合金的饱和磁矩与成份的关系研究,分别得到Pr原子的有效原子磁矩与成份的关系,以及Co原子在x=0时的有效原子磁矩。 关键词：     

In/GaAs(111)界面形成过程的电子能谱研究

用光电子能谱结合LEED图样分析的方法研究了In在非解理的GaAs(111)面上的界面形成过程。观察到在这一过程中三维In集团的生长起支配作用。发现对于所有研究过的n型样品,包括Ga终止的GaAs(111)-A面和As终止的GaAs(111)-B面,淀积In之前的表面费密能级均在VBM上面0.75±0.05eV处,在淀积过程中迅速移至VBM上面0.90±0.05eV处。 关键词：     

INTERFACE FORMATION OF Ge/ZnSe(100) AND Ge/ZnS(111) HETEROJUNCTIONS STUDIED BY SYNCHROTRON RADIATION PHOTOEMISSION

The microscopic evolution of interface formation between Ge and Ⅱ-Ⅵ compounds such as ZnSe and ZnS single crystals has been studied by synchrotron radiation photoemission spectroscopy and low energy electron diffraction. Core level intensity measurements from the substrate as well as from the overlayer show a nearly ideal two-dimensional growth mode for the deposition of Ge on ZnSe(100) surface. How-ever, there is a certain deviation from the ideal two-dimensional mode in the case of Ge/ZnS(111) due to the diffusion of substrate atoms into Ge overlayer. Surface semi-tire core level spectra indicate that the reaction of Ge with S atoms at Ge/ZnS(111) interfaces is much stronger than that of Ge with Se atoms at Ge/ZnSe(100) interfaces.     

磁性薄膜自旋波共振谱的研究

在Fe-Ni多晶薄膜和YIG单晶薄膜上观测到线性自旋波共振谱。发现薄膜的自旋波谱中奇偶次模一般都是同时被激发的,它们的强度分别按不同的包络线变化。进一步的研究表明,这些奇偶次模的位置和相对强度明显地随膜的制备过程和热处理而变化。所有这些实验研究的结果都可以利用表面-体不均匀(S-Ⅵ)模型和非对称体不均匀(AⅥ)模型很好地解释。本文同时还给出了自旋波共振谱的测量装置及有关的测量方法。 关键词：