Debye-Hckel方程描写的离子导体对光、中子和电子束的准弹性散射

本文计算了在没有外电场和外加静电场情况下,能以Debye-Huckel方程描写其电荷输运的系统对光束、中子束和电子束的散射。所引起的是准弹性散射(瑞利散射)。在没有外电场情况下,瑞利散射的谱分布是两个峰宽不同而位置重迭的中心峰,且峰形不对称;外加静电场将引起瑞利峰宽度和位置的变动。本文并讨论了观察上述现象的可能性。     

中子与116,118,120,122,124Sn反应非弹性散射的理论计算和分析

应用现有的中子与原子核Sn及其同位素反应的总截面,去弹性散射截面,弹性散射截面和弹性散射角分布的实验数据,获得一组普适的中子与Sn及其同位素反应的光学模型势参数.利用这组光学模型势参数,扭曲波玻恩近似理论,核反应Hauser-Feshbach理论和预平衡反应的激子模型,计算和分析了中子与^{116,118,120,122,124}Sn反应分离能级的非弹性散射截面和角分布.理论计算与实验数据进行了分析比较.     

铁、铜和铅的快中子弹性散射截面

本实验用飞行时间方法测定天然铁、铜和铅三种元素在中子能量1.1—1.4兆电子伏特范围内的弹性散射微分截面,用实验外推法对中子通量减弱及多次散射效应进行校正.中子源、散射样品和探测器系统张角对散射角的影响也修正了.实验结果用勒襄德多项式展开,由此得到弹性散射总截面.还用光学模型计算了截面数值,并与实验结果相比较,取得了较好的结果,更精细的工作尚待进一步研究.     

电子束、离子辅助和离子束溅射三种工艺对光学薄膜性能的影响

 运用电子束、离子辅助和离子束溅射三种镀膜工艺分别制备光学薄膜，包括单层氧化物薄膜和增透膜，然后采取一系列测试手段，如Zygo轮廓仪、原子力显微镜、表面热透镜技术和X射线衍射等技术，来分析和研究不同的工艺对这些薄膜性能的不同影响，以判断合理的沉积工艺。     

电子束、离子辅助和离子束溅射三种工艺对光学薄膜性能的影响

运用电子束、离子辅助和离子束溅射三种镀膜工艺分别制备光学薄膜,包括单层氧化物薄膜和增透膜,然后采取一系列测试手段,如Zygo轮廓仪、原子力显微镜、表面热透镜技术和X射线衍射等技术,来分析和研究不同的工艺对这些薄膜性能的不同影响,以判断合理的沉积工艺。     

Korteweg-de Vries方程的准孤立子解及其在离子声波中的应用

应用推广的tanh函数展开法,给出了Korteweg-de Vries方程具有准孤立子行为的两组孤子-椭圆周期波解,其中一组为新解.推导了均匀磁化等离子体中描述离子声波动力学行为的Korteweg-de Vries方程,发现电子分布、离子电子温度比、磁场大小、磁场方向对离子声准孤立子的波形具有显著影响.     

条形DH半导体激光器高频调制光输出的频率锁定、准周期、分岔和混沌

本文从解光场方程和载流子浓度以及光子密度速率方程的自洽解出发,研究条形DH半导体激光器高频调制下光输出的频率锁定、准周期、分岔和混沌现象。结果表明,不稳定的条形半导体激光器可能出现混沌的光输出;其通向混沌的途径是准周期到混沌。所得结果与实验符合得很好,并澄清了当前理论中的混乱之处。     

基于准各向同性股线的管内电缆导体的弯曲和扭绞力特性分析

高温超导管内电缆导体(CICC Cable-in-Conduit Conductor)在高磁场和大型磁体(如加速器和未来的聚变能装置)中具有广阔的应用前景,为使其能够承受大的洛伦兹力并在低温下能够工作,高温超导CICC需要有较高的机械稳定性和热稳定性。本文分析了基于准各向同性股线(Q-IS Quasi-Isotropic Strand)的CICC的力学性能,包括弯曲半径、扭转节距和临界电流之间的关系,采用模拟计算的方法得到了CICC在弯曲、扭转载荷及其复合载荷作用下的应力分布以及临界弯曲半径和临界扭矩,所得的临界弯曲半径和临界扭矩对大型磁体在高磁场和低温电流引线下的应用具有重要意义。     

碘、碘离子和碘三离子的紫外吸收光谱

研究了碘I₂、碘离子I- 和碘三离子I-₃ 水溶液的紫外吸收光谱,测定了三种型体的摩尔吸光系数。I₂水溶液在203 nm呈现一吸收峰,摩尔吸光系数为1.96×104 L·mol-1·cm-1;I- 水溶液在193和226 nm呈现双吸收峰,摩尔吸光系数分别为1.42×104和1.34×104 L·mol-1·cm-1;当I₂水溶液与KI溶液混合时,在288和350 nm出现两个吸收峰,表明I-₃的形成。利用饱和法测得I-₃在288和350 nm处的摩尔吸光系数分别为3.52×104和2.32×104 L·mol-1·cm-1。     

四能级和准四能级激活离子的最佳掺杂浓度

推导了在连续抽运和脉冲抽运条件下,利用荧光衰减曲线,在双掺与单掺晶体中,激发态布居数与激活离子掺杂浓度的关系,分析了四能级系统与准四能级系统中激活离子最佳掺杂浓度的计算方法.并利用上述方法,以准四能级系统Tm,Tb:LiYF4和四能级系统Nd:YAG为例,计算了相应离子的最佳掺杂浓度,并与文献的有关报道进行了比较 关键词： 激发态布居数 最佳掺杂浓度 四能级系统与准四能级系统 Tm Tb:LiYF4     

16O+152Sm、184W准弹和弹性散射的位垒分布

利用¹⁶O束流轰击稳定形变靶¹⁵²Sm和¹⁸⁴W,在背角测量准弹散射和弹性散射激发函数,分别定出准弹和弹性位垒分布D^qel(E)和D^el(E).将结果与从已有的熔合激发函数、自旋分布及其相邻同位素¹⁵⁴Sm和¹⁸⁴W实验得出的位垒分布进行比较,得到相互自洽的结果,同时也用ECIS79程序作了耦合道理论计算.实验表明,靶的变形效应导致位垒分布是非对称的.     

钙钛矿型氧离子导体KNb1-xMgxO3-δ的制备和表征

在高温高压 ( 4 0GPa ,870℃ )下合成了具有正交钙钛矿结构的KNb1 -xMgxO3-δ(x =0 0— 0 3 )系列固体电解质 ,并系统地研究了Mg掺杂对其结构相变和导电性的影响 .变温拉曼谱和DTA测量结果表明 ,随着温度的升高 ,KNb1 -xMgxO3-δ发生了结构相变 ,由铁电正交、四方相转变为顺电立方相 .由于Mg掺杂削弱了B位离子对自发极化的贡献以及A位离子与BO6 八面体间的耦合作用导致了居里温度下降 .其中KNb0 85Mg0 1 5O2 775的居里点大约下降 40℃ ,为 3 92℃ .阻抗谱测量表明 ,所有样品都具有离子导电特征 ,但晶界效应较强 ,电导主要由晶界决定 .通过掺杂 ,提高了样品的电导率 ,其中KNb0 9Mg0 1 O2 85的氧离子电导率最高 ,70 0℃时达到 1.2× 10 - 3S cm .     

Bi_2O_3-Y_2O_3系高氧离子导体的离子电导和电子电导的研究

用交流电桥法研究了Bi_2O_3 Y_2O_3体系含22.5—30mol％Y_2O_3烧结试样在po_2值由1至10~(-21)atm范围内氧离子的电导率,实验证明该种材料的氧离子电导率比同温度下ZrO_2基固体电解质高若干倍;用这种材料作为固体电解质组成氧浓差电池,电池电动势和理论电动势的比值E/E_0等于1或接近1,说明这种材料几乎为纯氧离子导体,p型电子空穴导电性很小;用库伦滴定抽氧法测定了含Y_2O_3 27.5mol％样品的电子导电特征氧分压,其值为lgpe＇=(-767000/T)+655,电子导电性极小。可期望为一种新型氧离子导体材料。     

中微子-质子、中微子-电子弹性散射和弱中性流的时空结构

本文对vp、vp、ve、ve弹性散射作了最普遍的唯象分析,讨论了靶和末态反冲粒子的极化效应,系统地研究了弱中性流的时空结构.在某些条件下,给出了从实验上判断存在各类耦合的判据.     

50MeV/u 18O离子轰击Be、Cu和Au厚靶的中子产额和中子发射率

用阈探测器中子活化法测量了50MeV/u ¹⁸O离子轰击Be.Cu和Au厚靶的总中子产额和前向中子发射率. 实验结果表明,中子产额对靶核原子序数有一定的依赖性,较轻靶子的中子产额和中子发射率高于较重的靶子;当靶核(Cu)和入射离子单核能(50MeV)相同时,¹⁸O离子的中子产额约为¹²C离子的4倍.     

中子非弹性散射对Bi_(12)GeO_(20)和Bi_(12)SiO_(20)旋声性的研究

通过用中子非弹性散射测量旋声晶体高对称方向的横声学支声子色散曲线的劈裂,从三个方面研究了同构异质晶体Bi_(12)GeO_(20)和Bi_(12)SiO_(20)的旋声特性。值得注意的是,沿〈111〉方向传播的左旋、右旋圆偏振声子具有不同的衰减。其中传播速度快的圆偏振声子衰减较大,该结论为这两种晶体所证实,这是在晶体旋声性研究中首次观察到的现象。实验还直接确定了衰减较大的这支声子的寿命约为2×10~(-11)S。     

铝原子和离子微观结构及高温铝蒸汽葠态方程的计算

讨论了从原子和离子微观结构入手,直到求出高温气体状态方程的第一原理方法。按照这种方法,计算了铝原子和离子的微观结构,以及压力为latm,温度为3000—20000 K的铝蒸汽温度状态方程和热量状态方程。着重讨论了原子和离子内部配分函数的截断方法对状态方程的影响。     

球面摆的运动方程、数值模拟和实验验证

讨论了球面摆的运动方程,分析了摆球运动的周期性.通过数值模拟和实验证实了摆球在eθ方向的运动具有周期性.     

852 nm半导体激光器InGaAlAs、InGaAsP、 InGaAs和GaAs量子阱的温度稳定性

为了提高852 nm半导体激光器的温度稳定性,理论计算了InGaAlAs、InGaAsP、InGaAs和GaAs量子阱的增益,模拟对比并研究了不同量子阱的增益峰值和峰值波长随温度的漂移。结果显示,采用In_0.15Ga_0.74-Al_0.11As作为852 nm半导体激光器的量子阱可以使器件同时具有较高的增益峰值和良好的温度稳定性。使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)外延生长了压应变In_0.15Ga_0.74Al_0.11As单量子阱852 nm半导体激光器,实验测得波长随温度漂移的数值为0.256 nm/K,实验测试结果验证了理论计算结果。