基于制备成功率和量子效率提升的Te断续、Cs持续沉积制备Cs-Te光阴极

为制备产生高品质电子源的高量子效率半导体Cs-Te光阴极,基于INFN-LASA的Cs-Te光阴极制备方法,发展一套Te断续、Cs持续沉积制备Cs-Te光阴极的方法.在SINAP和SARI的光阴极制装置上制备的Cs-Te光阴极,波长265 nm紫外光照射下,量子效率大于5%,并且制备成功率达到100%.只要制备腔室真空好于10^-8 Pa,这套制备方法就能制备高量子效率的Cs-Te光阴极,且不因制备装置和操作人员的改变而改变.     

光致发光磷光体发光效率的测量

前言 光致发光磷光体的发光效率通常由能量效率或量子效率来表示。 发光磷光体在激发光的作用下,发光能量E_1和所吸收激发能量E_2(即产生发光的激发能量中被吸收的能量)之比值E_1/E_2=η_n称作该磷光体的能量效率。 量子效率η_ι为发光磷光体发射的光量子数N_1和产生发光的激发光子中被吸收的     

像增强器进展

像增强器是直径一般为 1 8或 2 5 mm的圆柱形真空管。输入端的多碱膜或半导体层起光电阴极的作用。能量超过光阴极材料功函数的入射光子可引起光电效应而发射自由电子。用栅极电压 (一般为 2 0 0 V)场将发射的电子加速到微通道板 ( MCP)。MCP是一特种玻璃圆片 ,有许多紧密排列的孔或通道穿过它。玻璃稍稍导电 ,这样外加的电压 (一般 80 0 - 1 0 0 0 V)就会沿微通道长度方向产生一恒定的电场。该场使光电子加速穿过孔 ,当它们擦过通道壁时产生级联二级电子。离开通道板后 ,通过大电压 (数千伏 )进一步把电子加速到荧光屏 ,产生原始输入光…     

干涉型光电阴极的分析

<正> 一、引言量子产额的参数是通过测量常规的光电阴极的效率。例如S-1光阴极,波长大于1μm时量子产额小于0.1%,通过光检测过程的分析可能是光电子在吸收层产生的能力达到最佳。如果用成象特性和高量子产额来表征光探测器的性能,那么可以应用干涉型的光电阴极。本文分析了反射-半透明光电阴极的几何的和光学的结构,以及固态参数对窄带光检测的影响。通过实验证明,光学干涉对光阴极层的吸收和灵敏度是有关的。本文假设电介质的光电发射体在弱的入射光下具有一个高的电阻率,上面这种情况适合于重掺氧S-1光阴极和     

γ吸收实验的改进

γ射线吸收是近代物理实验中重要内容之一。各校在做实验时,一般都是采用铅准直器将γ射线变为平行的窄束射线,以满足公式I=I_0e~(-μ~x) (1)的要求。然后测量γ射线穿过物质前后的强度I_0和I,由吸收物质的厚度x,用公式(1)求得物质的吸收系数μ,进而求得γ射     

微光像增强器光阴极灵敏度理论极限问题研究

光阴极灵敏度(量子效率)是微光像增强器最重要和最基本的性能参数之一,它决定着微光成像系统在低照度下的视距和图像清晰度。根据半导体光电发射物理模型及普朗克黑体辐射理论,简介了光电发射5个环节（光子不完全吸收、GaAlAs/GaAs后界面、GaAs光阴极激活层体特性缺陷、GaAs光阴极表面位垒和GaAs光阴极-MCP之间近贴电场电子隧道效应）对光阴极量子效率的影响,给出了相关数学表达式。在假定5个环节子量子效率均为100%的前提下,估算出蓝延伸GaAs光阴极在（0.41～0.93）μm波段内的极限积分灵敏度,其值为6569μA/lm。文末,对此结果的意义给予评价。     

GaAs光电阴极在不同强度光照下的稳定性

利用多信息量测试系统分别测试了反射式GaAs光电阴极激活后在0(无光照)，33和100lx白光照射情况下阴极的光电流衰减变化曲线，计算得到其寿命分别为320，160和75min，阴极稳定性随光照强度的增加而降低，测试了只有光照(100lx)而无光电流流过阴极时阴极的寿命为100min. 通过比较发现光照比光电流对阴极稳定性的影响更大. 还测试了阴极在33lx光照下量子效率曲线随时间的衰减，发现阴极低能光子的量子效率下降速度更快，导致量子效率曲线形状不断发生变化. 基于修正后的反射式阴极量子效率公式对这种变化进行了理论分析，发现与光电子的谷间散射和阴极衰减过程中表面势垒形状的变化有关.     

光阴极直流高压电子枪束流偏轴发射研究

离子反轰会造成直流高压电子枪内光阴极的量子效率衰减,降低阴极的工作寿命和稳定性,是限制光阴极直流高压电子枪性能的重要因素之一。基于中国工程物理研究院太赫兹自由电子激光(THzFEL)的直流高压电子枪,通过束流动力学模拟和阴极量子效率测量,研究了束流偏轴发射对离子反轰的抑制作用及其应用限制。模拟结果表明:束流偏轴发射时,离子主要轰击阴极的电中心附近,光电发射区域的离子通量较轴上发射时降低约95%;但束流发射度增大约4πmm·mrad,横向运动幅度增加约1倍。通过电子枪运行前后阴极量子效率测量,发现束流偏轴发射时离子反轰引起电中心附近量子效率大面积的衰减,而光电发射区域量子效率损失较小,验证了束流偏轴发射抑制离子反轰的可行性。     

指数掺杂结构对透射式GaAs光电阴极量子效率的影响研究

通过在一维连续性方程光电子产生函数项中加入短波约束因子,修正了指数掺杂和均匀掺杂透射式GaAs光电阴极量子效率公式.利用修正的透射式阴极量子效率公式分别拟合制备的指数掺杂和均匀掺杂透射式阴极量子效率实验曲线,符合得很好.另外拟合得到的阴极性能参数表明,由于内建电场的作用,指数掺杂阴极的性能要好于均匀掺杂阴极,指数掺杂结构能够明显提高透射式阴极的量子效率. 关键词： 透射式光电阴极 指数掺杂 量子效率 内建电场     

接收双信号的光量子接收器

本文提出接收双相位调制光信号的接收器,其性能接近最佳量子接收器的水平。主要特点是使所接收的光场与光场在Castas锁相环本机振荡器中产生的复制场形成相长或相消的干涉;相长的干涉对应于二进制数“1”,而相消的干涉对应于二进制数“0”。接收场和复制场在光束分离器(见图1)中合在一起,然后聚焦在光电倍增管上。依据接收场的相位信息为0或1,合在一起的两     

用转移矩阵方法来研究发生在势阱内的量子反射

本文利用转移矩阵方法对两种简单的具有吸引尾的势进行了研究.我们发现反射系数在波矢k→0时R=1,反射率与波矢k在k→0时呈线性关系.这说明在发生阱内量子反射时有利于超冷原子生存,因为超冷原子是低速低能原子.此外,我们可以用一个反射时间变化量Δt来判断量子反射的延迟或者超前.     

电磁波方程及折射、反射定律的一些思考

本文由电磁波的麦克斯韦方程组出发,介绍导出折射定律和反射定律的一种证明方法.其证明方法,使用了空间微元近似,然后推广至全空间传播的方法,从而简化了麦克斯韦方程组求解的烦琐过程,提出了一种可教学推广的实用性方法.通过使用微元法,求解得到麦克斯韦方程的行波解形式,即得出电磁场是一种行波.由电磁场的向量形式推导空间中电磁波的折射、反射定律,得到折射、反射定律的证明并不需要电磁波的解析形式,在连续函数的情形下是普遍成立的.求解过程中加深对麦克斯韦方程组的理解,体现了电磁过程的深刻物理图像,也为由几何光学向波动光学过渡提供一种思想上的指导.     

两步到位快速调节分光计

本文介绍一种快速调节分光计方法——两步到位法．根据反射定律总结出反射像移动规律,并分析反射像在望远镜视场内可能出现的各种情况,提出只需调节望远镜和载物台各一次就可达到调节要求的新方法．此方法比经典各半调整法提高60％左右的速度．     

基于自由曲面的LED全反射准直透镜的设计

为在特定角度范围内实现所需照明,满足各类LED照明系统的要求,提出一种适用于扩展光源的透射 全反射复合曲面的LED透镜设计方法。根据光源的大小由非成像光学原理确定反射面面型并计算光源发散角度,再根据照射的角度要求进行自由曲面的透镜设计。文章给出了设计思想及方法,并设计了一款出射半角为2.5的透镜实例,分析了误差对实际结果的影响。     

Fundamental Study of Reflection Pulse Oximetry

For the purpose of developing reflection pulse oximetry, we have analyzed the light propagation in tissue to calculate the photon-visit depth for reflected light and to estimate the measured intensities of transmitted and reflected light using the analytical solutions of the photon diffusion equation. The effects of the reflectance of the probe surface have been studied, and a low reflecting surface has been found to provide deeper photon-visit depth than a high reflecting surface for reflection pulse oximetry. Based on analytical estimation, we made reflection type probes, and conducted preliminary experiments to confirm the feasibility of this type of pulse oximetry.     

无粘流中能捕捉较弱的接触间断和激波的反扩散差分格式

在研究弱入射激波遇到对称楔以后的马赫反射现象时,激波管实验不易测出很弱的接触间断,也不易捕捉到马赫反射与正规反射转换的条件。文章一方面研究了可压流体力学欧拉方程的数值方法,首先是用反扩散法改进接触间断的计算;另一方面根据格式粘性的特性和它引出的很微小的熵的变化规律来显示很弱的接触间断和反射激波。这样才易于将对三波点的分析推进一步。文[5,6]曾预言了一种反散波是连续的压缩波的新的激波反射类型。我们设想并根据计算初步确认这新类型反射实际应该是简单马赫反射,反射波虽弱仍是激波。     

八角光子晶体光纤传输特性与非线性特性研究

基于有限元法对一种全内反射型八角光子晶体光纤的传输特性和非线性特性进行了研究,并改变该光子晶体光纤空气孔结构参数得出了其特性与光波长的曲线关系图. 最终得到一种新结构光子晶体光纤,在入射光波长为1.55 μm低损耗窗口处具有非常优越的传输特性和较平坦非线性特性. 关键词： 光子晶体光纤 色散 损耗 非线性系数     

AN ANALYTICAL APPROACH ON THE DETERMINATION OF GENERATOR REFLECTION COEFFICIENTS USED IN THE NOISE-PARAMETER MEASUREMENT

In performing microwave and millimeter-wave noise-parameter measurements, a set of generator reflection coefficients and their corresponding noise temperatures need to be measured first. Allowing measurement errors, values of these generator reflection coefficients will affect the accuracy of final results. Though simulation alone can be used to find out on the Smith chart the preferred pattern of the generator reflection coefficients, its analytical counterpart has not been explored yet. This paper intends to derive the related mathematical expressions, thus complements and strengthens the simulation method.     

反射干涉光谱法测量固体薄膜的光学常数和厚度

本文报道一种简单的方法,从平原介质薄膜的反射干涉光谱来计算薄膜的光学常数和厚度。当一束光照射在基板上的介质膜上时,由于膜上下界面反射光的相干,会使反射光谱的曲线有一定的波动。我们对反射相干光谱进行理论分析,给出计算公式,从测量曲线中的实验值得出薄膜的光学常数ｎ、ｋ以及厚度等参数。此种方法简单可行,而且易于编程处理。     

s偏振电磁波在运动的稀薄等离子体界面上的反射与透射

对电磁波在强激光驱动的运动等离子体界面上的反射和透射进行了研究，根据电磁场在等离子体界面上所满足的边界条件以及电磁场的相对论变换理论，推导出了s偏振的电磁波在该运动等离子体界面上的反射和透射系数的表达式，并对几种特殊情况进行了讨论 关键词：