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硫钝化表面改善GaAs MESFET电特性 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍了一种适用于GaAs MESFET表面钝化的新方法。通过对器件进行硫钝化处理,我们发现钝化能使器件的击穿电压提高和表面漏电减少。我们认为造成这种现象的原因,是由于硫钝化减少了栅漏附近的GaAs表面态密度。 相似文献
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用于GaAs功率MESFET的新型钝化膜 总被引:3,自引:0,他引:3
用直流反应溅射淀积的AlN薄膜对GaAs功率MESFET进行了钝化。给出了钝化后器件的直流特性。器件的直流参数BVGD、IDSS和Vp在钝化后几乎没有改变。还给出了器件的微波特性。实验证明,AlN钝化的器件性能较好,它是一种很有前途的GaAs钝化材料。 相似文献
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GaAs经硫和硒钝化处理后的光致发光 总被引:1,自引:1,他引:1
研究了用Na_2S·9H_2O,(NH_4)_2S_x和Se钝化的GaAs的光致发光。这种钝化是经湿法化学处理来进行的。硫和硒处理后,我们观察到光致发光强左有明显的增强。同时我们也比较了三种钝化方法的效果。经分析认为,这种增强是由于表面复合中心密度的减小而造成的。 相似文献
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砷化镓表面硫钝化技术的研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
综述了国内外砷化镓表面硫钝化技术的研究现状和发展趋势,并对其钝化机理及钝化方法等进行了介绍。同时还提出了对今后发展砷化镓表面硫钝化技术的初步看法。 相似文献
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综述了国内外砷化镓表面硫钝化技术的研究现状和发展趋势, 并对其钝化机理及钝化方法等进行了介绍。同时还提出了对今后发展砷化镓表面硫钝化技术的初步看法 相似文献
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硫钝化Ⅲ-Ⅴ族半导体生长高质量薄膜 总被引:3,自引:0,他引:3
表面钝化是Ⅲ-Ⅴ旅半导体工艺的难题之一,硫钝化技术是目前解决这一难题最有效的方法,文中综述了硫钝化技术在钝化Ⅲ-Ⅴ族半导体生长高质量薄膜所取得的成就。 相似文献
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L. -W. Yin N. X. Nguyen Y. Hwang J. P. Ibbetson R. M. Kolbas A. C. Gossard U. K. Mishra 《Journal of Electronic Materials》1993,22(12):1503-1505
We have investigated the breakdown-temperature characteristics of the gate-drain diode of a GaAs metal semiconductor field-effect
transistor with low-temperature-grown (LTG) GaAs/AlGaAs passivation. An anomalous decrease in the breakdown voltage as a function
of the temperature is observed. This behavior leads us to propose an explanation of how LTG passivation leads to a high breakdown
voltage at room temperature; and this explanation in turn allows us to predict the power performance of the passivated devices. 相似文献
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根据压电效应模型,本文详细研究了压电电荷对GaAs MESFET沟道与衬底界面耗尽层的影响。认为正压电电荷比负压电电荷所引起的阀值电压漂移大,较好解释了(100)衬底上沿[011]和[011]取向的GaAs MESFET阈值电压非对称反向漂移的现象。 相似文献
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论述多栅开关的结构和特点。开关设计中需要考虑的一个重要因素是提高开关功率处理能力的同时减小插损 ,多栅开关由于其特殊的结构 ,很好地解决了这一问题。采用多栅结构 ,设计的移动通讯用 DPDT开关在 DC-2 GHz:IL<0 .75 d B,ISO>1 3 d B,VSWR<1 .5 ,P- 1 >1 0 W。开关芯片面积小、成品率高、封装成本低 ,适宜批量生产 ,并已在手机上试装成功。 相似文献
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采用高质量的 MBE材料 ,成功地制作了单胞栅宽 2 0 mm的芯片。用栅与 n+凹槽自对准和辅助侧墙工艺制作了栅长 0 .45 μm的 Ti Pt Au栅 ,欧姆接触采用 Au Ge Ni合金工艺 ,采用 PECVD Si N钝化 ,空气桥结构及芯片减薄 Via-Hole工艺。经内匹配得到了单胞芯片 3.7~ 4.2 GHz下 Po≥ 7.3W,Gp≥ 8d B,ηadd>2 5 % ;4胞合成器件 Po≥ 2 5 W,Gp>7d B,ηadd>2 5 %的良好结果。 相似文献
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本文首先分析GaAs MESFET在自升温效应下的升温幅度,然后结合器件电学参数随温度变化的特点,对器件的大信号等效电路模型进行了自升温效应下的修正。修正后的模型更准确地反映了器件的工作特性,应用于GaAs MESFET功率MMIC CAD中能进一步提高电路的设计精度。 相似文献
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GaAs MESFET欧姆接触可靠性研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
报道了n型GaAs上欧姆接触的制备及其可靠性,以及基于欧姆接触退经的GaAsMESPET的失效分析,结果表明,n型GaAs上欧姆接触的制备已日趋成熟,接触电阻有所减小,表面形貌及热稳定性方面都得到了很大程度的提高,接触材料也日趋丰富GaAsMESFET的失效分析方法也有明显改进。 相似文献
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本文介绍了将双栅GaAs MESFET应用在三倍频器上的工作原理,设计思想,实验研制及在C波段的实验结果.这种三倍频器具有一定的倍频增益.目前国内还未见到同类产品. 相似文献
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本文介绍了单栅G_aA_s MESFET微波混频器的工作原理和设计方法,给出了实际电路和测试结果.在6.7~7.2GHz频带内获得3.8±0.4dB转换增益,单边带噪声系数为7.2±0.3dB. 相似文献