混晶GaAs1-xPx：N中Nx发光的声子伴线结构

本文采用荧光窄化技术,对低组分的GaAs1-xPx:N(x=0.76,0.65)混晶材料中Nx束缚激子的声子伴线进行了研究.在低温下,选择激发Nx带时,我们得到了与GaP:N低温发光谱中类似的声子伴线结构.根据实验结果,给出了混晶中各种声子的能量.另外,对组分为x=0.76的GaAs1-xPx:N混晶样品,我们还首次观察并分析了多声子重现光谱.     

有序GaxIn1—xP（x=0.52）光致发光谱研究

报道了对有序ＧａｘＩｎ１－ｘＰ（ｘ＝０．５２）样品的变温和变激发功率密度的ＰＬ谱的研究。在低温Ｔ＝１７Ｋ，低激发功率密度下，谱线呈双峰结构，在低激发功率密度下升高温度，低能端的发光峰发生热猝灭，并在８５Ｋ完全消失。     

Mnx Zny Be1-x-y Se半导体混晶中光学声子的研究

在随机元素等位移(MREI)模型的基础上,运用推广后的适用于任意多元混晶的理论,计算了MnxZnyBe1-x-ySe半导体混晶的光学声子性质随组分比的变化关系.比较了四元混晶的理论结果和实验数据,两者符合较好,同时对今后的实验给出了一定程度的指导.     

混晶（Rb_xK_（1－x））_2SnCl_6的相变研究

用非极性喇曼散射光谱研究了混晶（Ｒｂ_ｘＫ_（１－ｘ））_２ＳｎＣｌ_６性质随组份（０＜ｘ＜１）及温度（１０Ｋ＜Ｔ＜３００Ｋ）的变化。发现在纯Ｋ_２ＳｎＣｌ_６晶体中用Ｒｂ￣＋部分替代Ｋ￣＋后，将降低原Ｋ_２ＳｎＣｌ_６的相变温度Ｔｃｌ。当混晶中Ｒｂ￣＋成份超过极限浓度（ｘ＞０．７）后，该相变就被抑制。不同组份样品的同一喇曼模频率，随Ｒｂ￣＋的增加，向低频方向移动。用平均力常数拟合给出很好的理论解释。     

BaFCl_xBr_（1－x）：Sm的发光研究

本文报道了ＢａＦＣｌｘＢｒ１－ｘ：Ｓｍ中Ｓｍ２＋、Ｓｍ３＋的光致发光、光激励发光和热释发光特征．讨论了基质组分对发光的影响及Ｓｍ２＋、Ｓｍ３＋的相对发光效率．发现Ｓｍ２＋的复合发光能力大于Ｓｍ３＋的复合发光能力，并从复合发光的过程及途径对这一现象进行了说明．     

柱形量子线中极化子的电子与LO声子之间相互作用能

采用变分法，研究了柱形量子线中在考虑电子与LO声子相互作用的情况下，极化子在基态时系统的能量以及电子-LO声子之间的相互作用能。数值计算结果表明：随着柱形量子线截面半径的减小，基态能量和电子-LO声子相互作用能的绝对值都增大。     

稀磁半导体Zn_（1－x）Co_xSe的光谱特性

本文首次报道一类新型半导体材料：含Ｃｏ＋＋离子的稀磁半导体Ｚｎ１－ｘＣｏｘＳｅ晶体的光谱特性研究实验结果。对组分Ｘ＝０．００１，０．００９７，０．０３０，０．０３７系列样品，在７３Ｋ—３００Ｋ范围内分别在可见和近红外区测量了吸收光谱和光致发光谱。实验观测到一系列与Ｘ值无关的吸收峰和光致发光峰，两者—一对应，它们分别对应于具有几对称的晶体场中Ｃｏ＋＋离子不同能级间的跃迁，对这些峰进行了初步指认。从光致发光谱实验结果给出能隙随Ｘ值的变化。     

声子之间的相互作用对量子线中极化子性质的影响

研究了量子线中弱耦合极化子的性质。采用线性组合算符和微扰法导出量子线中弱耦合极化子的基态能量。在计及电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间的相互作用时,讨论了量子线的受限强度﹑电子-LO声子耦合强度和声子之间相互作用对量子线中弱耦合极化子的基态能量的影响。数值计算结果表明：量子线中弱耦合极化子的基态能量 随量子线的受限强度 的增大而增大, 表现出了量子线的量子尺寸效应。     

〔（NH_4）_xK_（1－x）〕_2SnCl_6混晶的喇曼散射研究

本文用喇曼散射的方法研究了六氯锡化钾铵混晶系列样品［（ＮＮ_４）_ｘＫ_（１－ｘ）］_２ＳｎＣｌ_５（ｘ＝０，０．０５，０．１，０．１５，０．２，０．２５，０，３，１）从室温到７７Ｋ的行为，首先观察到了其外振动模的双模行为，并且还发现了其一内模Ｔ_（２ｇｉｎｔ）的宽度随铵离子浓度ｘ的增加而增加，相变温度Ｔｃ却随铵离子浓度的增加而迅速下降，下降速率约为ｄＴ_ｃ／ｄｘ＝－６００Ｋ／ｍｏｌ，这一行为是由于正四面体的ＮＨ_４￣＋离子对正八面体的ＳｎＣｌ_６￣（２－）离子团的转动产生阻碍而引起。内模Ｔ_（２ｇｉｎｔ）的宽度变化也是由于铵离子的转动影响以及由它引起的晶格畸变所导致。双模行为来自于强烈的集团效应。     

稀磁半导体Zn_（1－x）Mn_xSe外延膜的反射和光致发光谱

测量了用热壁外延（ＨＷＥ）生长的不同组分（０≤ｘ≤０．９８）的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ薄膜在温度为３００Ｋ下的反射光谱，用Ｘ射线能借测定样品实际的组分ｘ值，由此获得了其能隙Ｅｇ与组分ｘ的关系：在Ｏ＜Ｘ＜０．２组分范围，Ｅｇ随ｘ的变化显示了反常现象，当Ｘ＞０．２时，能隙Ｅｇ随ｘ线性增大。在室温和低温下测量了样品的光致发光，除观测到Ｍｎ２＋离子内部４Ｔ１→６Ａ１发光峰外，在其低能边观测到一个较宽的发光峰，对结果进行了分析讨论。     

抛物量子线中弱耦合极化子的有效质量和光学声子平均数

讨论电子与体纵光学(LO)声子弱耦合时对抛物量子线中极化子性质的影响.采用Tokuda改进的线性组合算符法、Lagrange乘子和变分法,导出了抛物量子线中弱耦合极化子的有效质量和光学声子平均数随拉格朗日乘子变化的规律及极化子振动频率随量子线约束强度的变化规律.并以ZnS量子线为例进行了数值计算,结果表明:抛物量子线中弱耦合极化子的有效质量m^*和光学声子平均数N随着拉格朗日乘子u的增加而增大;该结论与体材料中结论基本一致,但量子线中的效应比体材料更明显,表明量子线对电子约束的增强,使极化子效应更明显.同时,极化子振动频率λ随约束强度ω₀的增强而增大.     

声子之间的相互作用对量子线中磁极化子性质的影响

研究了量子线中弱耦合磁极化子的性质.采用线性组合算符和微扰法导出量子线中弱耦合磁极化子的基态能量.在计及电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间的相互作用时,讨论了量子线的受限强度、电子-LO声子耦合强度和声子之间相互作用对量子线中弱耦合磁极化子的基态能量的影响.数值计算结果表明:量子线中弱耦合磁极化子的基态能量随量子线的受限强度ω₀的增大而迅速增大.当受限强度ω₀取相同值时,电子-声子耦合强度α越大基态能量E₀越小,磁场的回旋频率ω_e越大基态能量E₀越大.在弱磁场情况下,当ω₀<0.5时,随着量子线的受限强度ω₀的减少p值迅速增大,即对于弱磁场声子之间相互作用的影响不能忽略.     

电子-声子相互作用对柱形量子线中光学克尔效应的影响

本文利用密度矩阵方法研究了柱形量子线中的光学克尔效应, 重点讨论了电子-声子相互作用对其的影响,并以GaAs量子线为例进行了数值计算。结果显示,随着量子线半径R0的减小,光学克尔效应会逐渐增强;考虑了电子-声子相互作用时的光学克尔效应比未考虑电子-声子相互作用时的大20%多;量子线半径R0越小,峰越尖锐,峰值越强;当量子线半径R0大〖WTBZ〗于40 nm时,峰会逐渐消失.     

用光谱烧孔研究卟啉掺杂的高分子薄膜中电子－声子的相互作用

本文对电子给体、受体双掺杂在高分子薄膜中形成的光谱烧孔体系，做温度循环实验，研究体系中电子－声子的相互作用，得到了表征电子－声子耦合强度的黄昆因子和薄膜中局域振动的声子频率．     

CdS_xSe_（1－x）半导体微晶掺杂玻璃在抗共振环APM激光器中不能压窄脉

本文对具有较大非线性系数，较快非线性响应和回复时间的ＣｄＳ＿ｘＳｅ＿（１－ｘ）半导体微晶掺杂玻璃能否在挽共振环（亦称为非谐振环）ＡＰＭ激光器中有效地压缩脉宽等问题做了详尽的理论与实验的切耐与分析。理论计算与实验研究的结果均表明：在抗共振环ＡＰＭ激光器中，应用ＣｄＳ＿ｘＳｅ＿（１－ｘ）半导体微晶掺杂玻璃不能使超短光脉冲宽度被压窄．     

Si_（1－x）Ge_x／Si量子阱发光材料的分子束外延生长及其结构研究

采用固源Ｓｉ分子束外延，在较高的生长温度于Ｓｉ（１００）衬底上制备出Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ量子阱发光材料．发光样品的质量和特性通过卢瑟福背散射、Ｘ射线双晶衍射及光致发光评估．背散射实验中观察到应变超晶格的反常沟道效应；Ｘ射线分析表明材料的生长是共度的、无应力释放的，结晶完整性好．低温光致发光主要是外延合金量子阱中带边激子的无声发射和横光学声子参与的激子复合．并讨论了生长温度对量于阱发光的影响．