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本文采用荧光窄化技术,对低组分的GaAs1-xPx:N(x=0.76,0.65)混晶材料中Nx束缚激子的声子伴线进行了研究.在低温下,选择激发Nx带时,我们得到了与GaP:N低温发光谱中类似的声子伴线结构.根据实验结果,给出了混晶中各种声子的能量.另外,对组分为x=0.76的GaAs1-xPx:N混晶样品,我们还首次观察并分析了多声子重现光谱. 相似文献
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报道了对有序GaxIn1-xP(x=0.52)样品的变温和变激发功率密度的PL谱的研究。在低温T=17K,低激发功率密度下,谱线呈双峰结构,在低激发功率密度下升高温度,低能端的发光峰发生热猝灭,并在85K完全消失。 相似文献
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用非极性喇曼散射光谱研究了混晶(Rb_xK_(1-x))_2SnCl_6性质随组份(0<x<1)及温度(10K<T<300K)的变化。发现在纯K_2SnCl_6晶体中用Rb ̄+部分替代K ̄+后,将降低原K_2SnCl_6的相变温度Tcl。当混晶中Rb ̄+成份超过极限浓度(x>0.7)后,该相变就被抑制。不同组份样品的同一喇曼模频率,随Rb ̄+的增加,向低频方向移动。用平均力常数拟合给出很好的理论解释。 相似文献
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柱形量子线中极化子的电子与LO声子之间相互作用能 总被引:3,自引:2,他引:1
采用变分法,研究了柱形量子线中在考虑电子与LO声子相互作用的情况下,极化子在基态时系统的能量以及电子-LO声子之间的相互作用能。数值计算结果表明:随着柱形量子线截面半径的减小,基态能量和电子-LO声子相互作用能的绝对值都增大。 相似文献
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本文首次报道一类新型半导体材料:含Co++离子的稀磁半导体Zn1-xCoxSe晶体的光谱特性研究实验结果。对组分X=0.001,0.0097,0.030,0.037系列样品,在73K—300K范围内分别在可见和近红外区测量了吸收光谱和光致发光谱。实验观测到一系列与X值无关的吸收峰和光致发光峰,两者—一对应,它们分别对应于具有几对称的晶体场中Co++离子不同能级间的跃迁,对这些峰进行了初步指认。从光致发光谱实验结果给出能隙随X值的变化。 相似文献
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声子之间的相互作用对量子线中极化子性质的影响 总被引:3,自引:3,他引:0
研究了量子线中弱耦合极化子的性质。采用线性组合算符和微扰法导出量子线中弱耦合极化子的基态能量。在计及电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间的相互作用时,讨论了量子线的受限强度﹑电子-LO声子耦合强度和声子之间相互作用对量子线中弱耦合极化子的基态能量的影响。数值计算结果表明:量子线中弱耦合极化子的基态能量 随量子线的受限强度 的增大而增大, 表现出了量子线的量子尺寸效应。 相似文献
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本文用喇曼散射的方法研究了六氯锡化钾铵混晶系列样品[(NN_4)_xK_(1-x)]_2SnCl_5(x=0,0.05,0.1,0.15,0.2,0.25,0,3,1)从室温到77K的行为,首先观察到了其外振动模的双模行为,并且还发现了其一内模T_(2gint)的宽度随铵离子浓度x的增加而增加,相变温度Tc却随铵离子浓度的增加而迅速下降,下降速率约为dT_c/dx=-600K/mol,这一行为是由于正四面体的NH_4 ̄+离子对正八面体的SnCl_6 ̄(2-)离子团的转动产生阻碍而引起。内模T_(2gint)的宽度变化也是由于铵离子的转动影响以及由它引起的晶格畸变所导致。双模行为来自于强烈的集团效应。 相似文献
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测量了用热壁外延(HWE)生长的不同组分(0≤x≤0.98)的Zn1-xMnxSe薄膜在温度为300K下的反射光谱,用X射线能借测定样品实际的组分x值,由此获得了其能隙Eg与组分x的关系:在O<X<0.2组分范围,Eg随x的变化显示了反常现象,当X>0.2时,能隙Eg随x线性增大。在室温和低温下测量了样品的光致发光,除观测到Mn2+离子内部4T1→6A1发光峰外,在其低能边观测到一个较宽的发光峰,对结果进行了分析讨论。 相似文献
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抛物量子线中弱耦合极化子的有效质量和光学声子平均数 总被引:4,自引:5,他引:4
讨论电子与体纵光学(LO)声子弱耦合时对抛物量子线中极化子性质的影响.采用Tokuda改进的线性组合算符法、Lagrange乘子和变分法,导出了抛物量子线中弱耦合极化子的有效质量和光学声子平均数随拉格朗日乘子变化的规律及极化子振动频率随量子线约束强度的变化规律.并以ZnS量子线为例进行了数值计算,结果表明:抛物量子线中弱耦合极化子的有效质量m*和光学声子平均数N随着拉格朗日乘子u的增加而增大;该结论与体材料中结论基本一致,但量子线中的效应比体材料更明显,表明量子线对电子约束的增强,使极化子效应更明显.同时,极化子振动频率λ随约束强度ω0的增强而增大. 相似文献
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研究了量子线中弱耦合磁极化子的性质.采用线性组合算符和微扰法导出量子线中弱耦合磁极化子的基态能量.在计及电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间的相互作用时,讨论了量子线的受限强度、电子-LO声子耦合强度和声子之间相互作用对量子线中弱耦合磁极化子的基态能量的影响.数值计算结果表明:量子线中弱耦合磁极化子的基态能量随量子线的受限强度ω0的增大而迅速增大.当受限强度ω0取相同值时,电子-声子耦合强度α越大基态能量E0越小,磁场的回旋频率ωe越大基态能量E0越大.在弱磁场情况下,当ω0<0.5时,随着量子线的受限强度ω0的减少p值迅速增大,即对于弱磁场声子之间相互作用的影响不能忽略. 相似文献
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电子-声子相互作用对柱形量子线中光学克尔效应的影响 总被引:3,自引:2,他引:1
本文利用密度矩阵方法研究了柱形量子线中的光学克尔效应, 重点讨论了电子-声子相互作用对其的影响,并以GaAs量子线为例进行了数值计算。结果显示,随着量子线半径R0的减小,光学克尔效应会逐渐增强;考虑了电子-声子相互作用时的光学克尔效应比未考虑电子-声子相互作用时的大20%多;量子线半径R0越小,峰越尖锐,峰值越强;当量子线半径R0大〖WTBZ〗于40 nm时,峰会逐渐消失. 相似文献
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