低噪声集成压控振荡器声性能分析

提出了一种低相位噪声时基核心电路的压控振荡器的设计方法。通过对采用由普通差分放大器单元和容性耦差分放大器单元构成的环行振荡器的噪声分析 ，由容性耦合差分放大器单元构成的环行振荡器，因其带通特性和负阻特性而具有较好的噪声能力，可用于对频率稳定度有较高要求的ＶＣＯ等电路中。     

低噪声CMOS环型压控振荡器的设计

应用增益补偿技术，设计了一种结构新颖的CMOS单端反相器环形压控振荡器，该电路具有较低的压控增益，较好的线性，较强的噪声抑制能力。采用lstsilicon 0,25μmCMOS工艺进行仿真，结果显示：在偏离中心频率600kHz处的相位噪声为一108dBc。     

100MC锁相环压控振荡器电路设计

本文较详细地介绍了用基波晶体制作的１００Ｍｃ锁相环压控振荡器电路的设计，阐述了设计思想、关键元件的设计考虑及其具体电路的设计等问题，提出了具体的压控振荡电路图和实验结果及数据，该电路满足实际应用的要求。     

集成宽带压控振荡器的设计

介绍了S波段、C波段集成宽带压控振荡器的设计方法和设计思路,进行了理论分析和数学模拟。通过利用Ansoft公司的Serenade8.5软件进行仿真、优化设计,获得了较好性能的宽带振荡器。给出了2-4GHz、4-8GHz宽带VCO最终达到的技术指标。     

闭环压控振荡器的设计

压控振荡器在许多电子设备中得到应用。平显火控系统中的f_d信号发生器实际上可以认为是一个压控振荡器。其输入信号是—控制电压即频偏调制电压,输出是频率与输入电压成线性关系的正弦波。开环压控振荡器对于输出频率与输入电压之间的线性关系难以保证。现在采用的ICL8038是一集成压控振荡器,其线性度在10倍程的频率范围内较好,而在更大范围内则有所下降。另外,该器件输出频率的温度稳定性不够高,特别是国产5G8038尽管价格较进口的ICL8038便宜近十倍,但温度稳定性更差。本文介绍一种闭环压控振荡器电路,以稳定输出频率与输入电压间的线性度。     

基于0.2μm GaAs PHEMT工艺的压控振荡器IC设计

给出了一个采用0 2μmGaAsPHEMT工艺设计的全集成差分负阻式LC压控振荡器电路,芯片面积为0 52×0 7mm2。采用3 3V正电源供电,测得输出功率约-11 22dBm,频率调节范围6 058GHz～9 347GHz;在自由振荡频率7 2GHz处,测得的单边带相位噪声约为-82dBc/Hz@100kHz.     

中频压控振荡器及其在通信系统中的应用

介绍MAX2605系列单片中频压控振荡器的性能及其在便携式无线通信系统中的应用。     

8-12GHz场效应管压控振荡器

<正>WZB862型高稳定度8-12GHz场效应管压控振荡器已研制成功并获得应用.该振荡器由砷化镓微波场效应管和砷化镓超突变结变容管组成,根据整机需要,兼有电调频带宽、调谐速度快、线性较好、工作稳定、直流至交流的转换效率高的特点,可用于各种微波系统中作为宽带振荡源.     

高功率1060 nm半导体激光器波导结构优化

针对高功率1060 nm半导体激光器的外延结构,分析了影响器件功率进一步提高的原因.根据分析,优化了激光器的量子阱结构和波导结构,并理论模拟了波导宽度对模式和输出功率的影响.根据不同模式的光场分布,对量子阱有源区的位置进行了优化,并设计了非对称、宽波导结构.对不同模式的限制因子进行了计算,结果表明,优化后的非对称波导结构能够在降低基模的限制因子的同时,增加高阶模式的损耗.     

一种高性能体效应管电调振荡器

本文介绍了一种高性能W波段高频端Gunn振荡器.其基波和二次谐波共用一个波导振荡腔,基波频率低于W波段波导截止频率,机械调节频宽100～115GHz,输出功率大于5mW,最大可达18.5mW,线性电调范围大于250MHz.该振荡器用于三毫米锁相系统和大型毫米波望远境2.6mm波段的锁相本振系统.     

一种高性能全差分双环路VCO的设计

设计了一种基于SMIC 0.18μm RF 1P6MCMOS工艺的高性能全差分环形压控振荡器(ring-VCO),采用双环连接方式,并运用交叉耦合正反馈来提高性能。在1.8V电源电压下对电路进行仿真,结果表明:1)中心频率为500MHz的环形VCO频率调谐范围为341～658MHz,增益最大值Kvco为-278.8MHz/V,谐振在500MHz下VCO的相位噪声为-104dBc/Hz@1MHz,功耗为22mW;2)中心频率为2.5GHz的环形VCO频率调谐范围为2.27～2.79GHz,增益最大值Kvco为-514.6MHz/V,谐振在2.5GHz下VCO的相位噪声为-98dBc/Hz@1MHz,功耗为32mW。该VCO适用于低压电路、高精度锁相环等。     

压控振荡器在射频通信电路中的应用

随着现代通信系统和现代雷达系统的出现,射频电路需要在特定的载波频率点上建立稳定的谐波振荡,以便为调制和混额创造必要的条件.设计了一个振荡频率在1.14～1.18 GHz的负阻LC压控振荡器,实现了压控振荡器的宽调频,使频率范围达到加MHz.并且为避免在外部电路对压控振荡器(VCO)的影响,在电路中加入射极跟随器作为buffer,起到阻抗变换和级间隔离的作用.为负阻LC压控振荡器的设计提供了一种参考电路.     

一种低功耗高线性度的环形VCO电路

为了适应目前低电压、低功耗数码产品的需要,时钟信号产生器VCO的设计也越来越重要.该电路采用上华0.6 μm CMOS工艺,利用施密特触发器的低压特性和传输门导通电阻的可调性实现了具有低电源电压Vcc=1.8 V、低功耗Pmax=63.22 μW、线性度高、温度效应好、翻转快等特点的VCO.     

推-推压控振荡器的仿真设计

在对构成推-推振荡器的基本振荡单元进行常规奇偶模分析的基础上,采用添加辅助信号源的方法,对合成后的频率调谐特性、输出功率及基波抑制特性进行了仿真模拟。并利用负载牵引法对二次谐波匹配网络进行了优化。根据仿真结果设计的X波段推-推压控振荡器,采用封装硅晶体管及砷化镓变容管,在1GHz调谐带宽内,输出功率2～8dBm。     

浅谈锁相环电路中压控振荡器的分析与设计

本文先是进行了锁相环电路中LC压控振荡器的分析,然后进行了锁相环电路中压控振荡器的电路设计、相位噪声分析以及二次谐波滤波技术的应用,最后实际应用了设计的电路,并对应用的结果进行了分析.目的是为设计出性能更加优良的压控振荡器.     

Simulation and modeling-an improved VCO macromodel

A SPICE macromodel for a phase-locked loop (PLL) featuring design simplicity and a reduced simulation time which was introduced by M. Sitkowski (1991) is reviewed. Two of the primary simplifications in this PLL macromodel were the utilization of a voltage-controlled tuned circuit as the voltage-controlled oscillator (VCO) that does not require feedback to produce an oscillating output, and the use of a nonlinear voltage-controlled voltage source as part of a limiter/comparator that converts the VCO sine wave output to an approximate square wave. Several modifications to the VCO and limiter/comparator macromodel that improve their performance characteristics and eliminate most of the errors caused by the original macromodels are described. The proposed VCO macromodel exhibits a linear transfer function for all non-negative control voltages and requires one less SPICE primitive than Sitkowski's model     

声表面波VCO的研制

介绍了１５５．５２ＭＨｚ、６２２．０８ＭＨｚ声表面波（ＳＡＷ）、１２４４．１６ＭＨｚ浅体波（ＳＴＷ）压控振荡器（ＶＣＯ）的原理、设计和性能。采用低插损、高Ｑ值的ＳＡＷ延迟线和ＳＴＷ谐振器，高性能微波放大器，变容二极管电移相器，使振荡器具有非常低的相位噪声（＜－１４０ｄＢｃ／Ｈｚａｔ１００ｋＨｚ）、高输出功率（＞９ｄＢｍ）、低温度－频率漂移（＜±３５ｐｐｍ，温度范围：－５～６０℃）、大频率调谐范围（＞４００ｐｐｍ）。