Ge在Si(111)7×7表面的选择性吸附

利用超高真空扫描隧道显微镜研究了室温条件下Ge在Si(111)7×7表面上初期吸附过程.在Ge所形成团簇中存在一个临界核.这些Ge团簇的吸附中心总是在三个增原子所围成的区域中.它们的电子结构具有类似半导体的性质,即其局域态密度在远离费米面的能级处很大,而在费米面附近的能级处非常小. 关键词： 扫描隧道显微镜 Si(111)7×7表面 Ge团簇     

室温下Ge(111)表面原子的协调运动

用扫描隧道显微镜观察了Ge(111)表面的由快速降温至室温而保留下来的中温相.发现除了单个Ge增原子的扩散运动外,主要的运动是发生在畴界上的Ge增原子列的开环和闭环协调运动.从实验上证实了这种最近引起很大实验和理论兴趣的运动方式.通过观察又提出了有待进一步实验和理论研究的问题.     

甘氨酸在Cu(001)表面的吸附结构

结合低能电子衍射(LEED)及其消失斑点规律和扫描隧道显微镜(STM)手段确定了室温下甘氨酸在Cu(001)表面能形成c(2×4)和两种(2×4)吸附结构((2×4)₁和(2×4)₂),并推断出在两种(2×4)结构单胞中两甘氨酸分子的羧基相对于衬底的吸附取向一致,而它们的氨基则不同.实验中还观察到c(2×4)与(2×4)₂结构能相互转变成窄条相互穿插共存,这说明几种吸附结构能量相近. 关键词：     

氢在担载金属表面的吸附研究

应用格林函数方法在紧束缚近似下研究了氢在担载金属表面的吸附性质。采用自洽的Anderson-Newns吸附模型,对氢在Pt/ZnO,Cu/ZnO和Ni/ZnO三种担载式复合体系表面的吸附能△E、吸附态能级E_ad作了计算,并讨论了金属簿层在ZnO衬底上的沉积厚度及金属-衬底相互作用对氢在该类复合体系表面的吸附性质的影响。计算表明,金属-衬底相互作用越强,氢在Pt(Cu,Ni)/ZnO体系表面的吸附能及电荷转移量越小。金属-衬底相互作用抑制了氢在金属表面的吸附。衬底对金属表面吸附性质的影 关键词：     

NO在Cu(110)表面吸附的角分辨光电子能谱

本文用角分辨光电子能谱(ARUPS)(He Ⅱ),低能电子衍射(LEED)和俄歇电子能谱AES等方法研究了NO在Cu(110)表面吸附的光电子能谱。测量结果表明:在150K左右,NO在Cu(11O)表面是一个比较复杂的分解吸附过程。随着暴露量的不同,在Cu(110)表面形成的分解吸附分子是不同的。在NO5L暴露量时,主要形成O原子和N₂O分子吸附。吸附的LEED图形仍然是(1×1)。 关键词：     

金属卟啉在石油加氢脱硫催化剂表面吸附机理的ESR研究

本文用ESR方法研究了金属卟啉在石油加氢脱硫催化剂表面的吸附机理。金属卟啉的模型化合物是VO-TPP,加氢脱硫催化剂是Co-Mo-Al₂O₃体系。VO-TPP在催化剂表面吸附时,由于中心VO²⁺离子相对于表面有两种不同取向,从而可能发生两种不同模式的吸附:中心1吸附和中心2吸附。一般情况下由于催化剂表面化学吸附了供电基团H₂O、OH^-等,只可能发生中心1吸附。催化剂经高温灼烧后,脱除了表面吸附的供电基团,隔绝空气吸附VO-TPP,这时会出现中心2吸附。中心2吸附中卟啉分子与表面的作用比中心1吸附中卟啉分子与表面的作用强。样品暴露空气后,中心2吸附会逐渐转化为中心1吸附。     

碱金属在GaAs(110)表面上的吸附

本文讨论Li,Na,K,Cs在GaAs(110)表面上的吸附,考虑理想表面和弛豫表面两种情况。计算采用集团模型,用电荷自洽的ExtendedHucheltheory(缩写为EHT)方法进行。结果表明,吸附后表面原子趋向于理想位置,碱金属原子位于垂直于表面沿[001]方向横跨表面Ga原子的对称平面上。碱金属吸附后的费密能级在价带顶以上约0.7eV处,是由表面Ga原子与碱金属原子间的相互作用决定的。而在价带中碱金属原子主要与表面As原子成键。 关键词：     

吸附式热泵吸附床吸附解吸量对系统运行过程的影响

在吸附式热泵中,吸附床传热能力的限制,使得系统的运行过程受到了吸附床解吸吸附量的影响．本文通过对实验数据的分析,定性地了解了系统运行ｐ－ｔ－ｘ。图与吸附床解吸吸附量之间,吸附床的升降温曲线与吸附床解吸吸附量之间的关系．为系统运行中如何判断吸附解吸过程所进行的程度提供依据,同时也为系统循环周期与循环过程的优化创造条件。     

FI-STM STUDY OF HYDROGEN ADSORPTION ON Si(100) SURFACE

Chemisorption of atomic hydrogen on the Si(100)2×1 surface has been investigated in detail by using a field ion-scanning tunneling microscope (FI-STM). The results showed that the adsorption geometry changed from the 2×1 monohydride phase to the 1×1 dihydride phase with increasing exposure of hydrogen. The data of desorption of the hydrogen-saturated Si surface showed that on annealing at 670K the surface becomes highly disordered: the 1×1 dihydride structure is eliminated and the 2×1 reconstructed monohydride is also hardly to identify. When the temperature rises to as high as 730 K, the surface is domi-nated by the 2×1 structure with missing dimer rows, and some adatom chains occur on the Si substrate ler-races. We attribute the formation of these atomic chains to an epitaxial growth of Si atoms which are formed by the dissociation of SiH_x (x= 1, 2, 3 or 4) compounds on the Si surface.     

氧在GaP(111)上的初级吸附阶段

采用多种表面分析手段,系统地研究了氧在GaP(111)上的吸附,发现氧的初级吸附在1×10⁴L时就已饱和,获得了有关这一阶段表面电子结构的变化、表面能带弯曲、化学吸附反应等方面的信息,发现这一吸附阶段与表面缺陷有关,适当地加热处理则可能将缺陷和氧一同去除,因此这有可能成为一种有效的、去除缺陷的表面工程手段。 关键词：     

PHOTOELECTRON SPECTROSCOPIC STUDY OF THE EFFECT OF Cs INTRALAYER ON THE BAND LINEUP OF Ge/InP(100) HETEROJUNCTION

The formation and band lineup of the Ge/InP(100) interface with or without alkali metal Cs intralayer (IL) are studied by means of X-ray photoemission spectroscopy (XPS) and ultraviolet photoemission spectroscopy (UPS). It is found that the Cs atoms do not react with or diffuse into the subatrate and the Ge overlayer. The thin Cs IL will induce an increase of the valence band offset (ΔE_v) for the Ge/InP(100) heterojunction. The changes of ΔE_v are proportional to the IL thickness and them saturate for IL thickness of about one half of a monolayer of Cs IL. Without the IL, ΔE_v of the Ge/InP(100) heterojunction is equal to 0.70eV, and ΔE_v with one half of monolayer IL is up to 0.90eV. These results show that the interface dipole plays a major role in the band lineup at the heterojunction interface.     

A STUDY ON THE ULTRASONIC VELOCITY AND ATTENU-ATION IN NdFeB MAGNET WITHIN THE TEMPERATURE RANGE OF 80 - 300K (Ⅱ)

Based on the ultrasonic measurements of an isotropic NdFeB magnet in the temperature range of 77 -300 K, it was found that the elastic parameters, such as Young's modulus E, and Poisson ratio v, change abruptly near the spin reorientation temperature T_sr. This indicates that soft mode emerges in the process of spin reorientation. Thermal hysteresis was observed during heating-up and cooling-down processes. Both Debye temperature and heat capacity were calculated, which suggests that the magnetic entropy of the Nd-sublattice is larger in easy-cone state than in easy-axis state.     

用总能量密度泛函集团方法研究I/Si(111)及I/Ge(111)表面吸附

本文中用自洽总能量密度泛函集团方法研究了Ⅶ族的Ⅰ在Si(111)和Ge(111)表面的吸附。分别采用了两种集团模型来模拟顶位和三度位构型,用总能量极小原理确定了吸附的最佳构型和吸附能量,得到顶位比三度位吸附更为稳定的结果,与SEXAFS实验结果一致。本文还计算了Ⅶ族元素F,Cl,Br,I在Si(111)顶位吸附的状态密度,讨论了这系列DOS的变化情况,并与实验或其他理论结果进行了比较,最后还讨论了半经验EHT方法的适用性及限制。 关键词：     

氮吸附在镍(001)表面上的P(2×2)结构

在总压为5×10^-5托并含有少量氮的氩气中,用能量为500伏、束流为5微安的氩离子轰击镍(001)表面,获得了一个吸附着氮的镍表面。低能电子衍射观察表明,吸附在镍(001)表面上的氮形成了类似于氧和碳吸附(偏析)在镍(001)表面上所产生的P(2×2)结构。对氮吸附在镍面上的键的本质进行了初步的探讨。 关键词：     

ON THE APPROXIMATE PARTITION FUNCTION IN THE STATISTICAL THEORY OF ADSORPTION

Wang's theory for determining the approximate configurational partition function of the adsorbed layer is modified in two different ways. One is to assume that the configurational energy should be corrected: the other to advocate that the deficiency due to a wrong expression for the a priori probability of the. central site is more significant.The configurational partition function is evaluated is both methods and the adsorptipn isotherin and the beat of adsorption computed for the case of quadratic lattice With dipole interaction. values for the last two quantities when a uniform continuous distribution of the distant adsorbed particles is assumed are further given for comparison. The second method, which surpasses the first, is compared with Kirkwood's method. in the case of hexagonal lattice with neighbour interaction. Numerical work is also carried out in this case.     

活性炭-甲醇吸附制冰机的循环特性分析

所研究的吸附式制冰机以块状活性炭和甲醇为工质对,采用烟气加热。研究表明,对于本系统,双床循环较为合 适;双床循环中回热回质过程可以有效的改善吸附床的工作性能以及系统的热力完善度,并能将系统的制冷功率提高7％ 到11％。在循环时间为50 min时,回热回质条件下制冷功率为2 kw左右,可以实现每小时制冰15 kg左右。     

High-resolution X-ray diffraction studies of combinatorial epitaxial Ge (0 0 1) thin-films on Ge (0 0 1) substrates

We report high-resolution X-ray diffraction studies of combinatorial epitaxial Ge (0 0 1) thin-films with varying doping concentrations of Co and Mn grown on Ge (0 0 1) substrates. The crystalline structure of the epitaxial thin-film has been determined using crystal-truncation rod (CTR) measurements and fitting analysis. By analyzing the fine interference fringes in the CTR intensity profile, strain sensitivity of ∼0.003% has been achieved. Using this method, the evolution of interfacial structures has been quantified as a function of doping concentration.     

M／M（100）体系（M＝Li，Na，K，Rb，Cs）的吸附与表面扩散的势能函数研究

利用碱金属原子晶体性质导出的经验势能函数，研究了碱金属原子在其固体（１００）表面的吸附与自扩散性质。结果发现表面吸附原子的束缚能小子体相原子的束缚能，而吸附高度且大于晶格常数的一半；自扩散的能垒分别为０．４２（Ｌｉ），０．３０（Ｎａ），０．２６（Ｋ），０．２４（Ｒｂ）和０．２３ｅＶ（Ｃｓ）。     

水汽在淀积金属钠的InP(111)表面的吸附

用UPS和HREELS研究室温下水汽在清洁的和淀积了金属钠的InP(111)表面的吸附。表面淀积了0.3单层金属钠之后,水汽在InP(111)表面的粘附系数显著增加,推测其原因可能与钠原子和表面的磷原子间的电荷转移有关。水汽主要以不分解的分子态形式吸附在表面。在HREELS谱中观察到与P—H键有关的282meV能量损失峰,表明部分水汽可能与淀积在表面的钠原子发生反应或者在表面发生分解。 关键词：     

Ge/Si(111)与Si/Ge(111)体系的生长特性与表面再构研究

本文利用RHEED和AES对Ge/Si(111)和Si/Ge(111)体系的生长特性与表面再构进行了研究。由此提出了其生长模式,并讨论了应力对生长特性、界面特性和表面再构的作用。