68Ge、65Ga及67Ga的高自旋态研究

用在束γ谱实验技术,对⁶⁸Ge、⁶⁵Ga与⁶⁷Ga的高自旋态进行了研究.所用核反应为⁴⁶Ti(²⁵Mg,xpxn),束流能量为68MeV.在⁶⁸Ge中,观测到新的8+以上的多带结构、带间的交叉跃迁及一个新的可能具有大形变的带.新的微观模型(EXCITED FED VAMPIR)的计算结果与实验数据比较得到满意的符合.在⁶⁵Ga与⁶⁷Ga中,给出了这两种核的新的能级图,观测到集体性很强的带结构.     

Growth of Semi-Insulating GaN by Using Two-Step AIN Buffer Layer

Semi-insulating GaN is grown by using a two-step A1N buffer layer by metalorganic chemical vapour deposition. The sheet resistance of as-grown semi-insulating GaN is dramatically increased to 10^13 Ω/sq by using two-step A1N buffer instead of the traditional low-temperature GaN buffer. The high sheet resistance of as-grown GaN over 10^13 Ω/sq is due to inserting an insulating buffer layer （two-step A1N buffer） between the high-temperature GaN layer and a sapphire substrate which blocks diffusion of oxygen and overcomes the weakness of generating high density carrier near interface of GaN and sapphire when a low-temperature GaN buffer is used. The result suggests that the high conductive feature of unintentionally doped GaN is mainly contributed from the highly conductive channel near interface between GaN and the sapphire substrate, which is indirectly manifested by room-temperature photoluminescence excited by an incident laser beam radiating on growth surface and on the substrate. The functions of the two-step A1N buffer layer in reducing screw dislocation and improving crystal quality of GaN are also discussed.     

镓原子集团结构的第一性原理分子动力学研究

用第一性原理分子动力学方法和模拟退火技术研究了镓原子集团(n≤8)的平衡结构,并与可得到的实验数据进行了比较。随着原子数的增加,发现在n=5时结构发生了从二维到三维的变化。所有集团可看作为由镓分子和原子链两种结构单元所构成,这两种结构单元分别出现在固相α-Ga和亚稳相β-Ga中。 关键词：     

Electron Transport in Ga-Rich InxGa1-xN Alloys

Resistivity and Hall effect measurements on n-type undoped Ga-rich InxGa1-xN （0.06 ≤ x ≤ 0.135） alloys grown by metal-organic vapour phase epitaxy （MOVPE） technique are carried out as a function of temperature （15-350 K）. Within the experimental error, the electron concentration in Inx Ga1-x N alloys is independent of temperature while the resistivity decreases as the temperature increases. Therefore, Inx Ga1-xN （0.06 ≤ x ≤0.135） alloys are considered in the metallic phase near the Mort transition. It has been shown that the temperaturedependent metallic conductivity can be well explained by the Mort model that takes into account electron-electron interactions and weak localization effects.     

铝土矿中微量镓的分析方法进展

综述了近几年国内铝土矿中镓分析方法的研究进展,叙述了用于微量镓分析测定的光度法、伏安法、原子吸收光谱法、电感耦合等离子体-原子发射光谱法、电感耦合等离子体-质谱法、X射线荧光光谱法等分析方法,对方法的优缺点进行了评述,并对今后微量镓分析测定方法进行了展望.     

使用TEGa和TMGa为镓源MOCVD生长GaN的研究

采用自行研制的立式MOCVD生长系统 ,以TMGa、TEGa为Ga源 ,在不同的生长条件下生长GaN单晶膜。然后对样品进行室温光致发光光谱测试、范德堡霍尔测量和X射线双晶衍射测试。实验结果表明 ,缓冲层的Ga源不同对GaN单晶膜质量影响很大 ;以TEGa为Ga源生长缓冲层及外延层 ,外延层不连续 ;以TMGa为缓冲层Ga源、TEGa为外延层Ga源 ,在此得到室温载流子浓度为 4 5× 1 0 17cm-3 ,迁移率为 1 98cm2 /V·s的电学性能较好的GaN单晶膜。研究结果表明 :使用TEGa为外延层Ga源生长GaN ,能有效地抑制不期望的蓝带的出现。     

聚焦Ga+离子束注入方法研制半导体量子线结构

采用聚焦Ga⁺离子束注入方法,在GaAs/Al_0.3Ga_0.7As多量子阱材料上尝试制备半导体量子线。通过低温光致发光谱,测量了量子线的光电特性,并观察了由于沟道效应导致的深层量子阱的光谱蓝移。 关键词：     

P3121(D34)空间群晶体的Raman谱研究(Ⅰ)——二元系压电晶体用Al1-xGaxPO4的Raman谱

测得了二元系压电晶体磷酸铝镓Al_1-xGa_xPO₄(x=0.12)的Raman谱,与α-ALPO₄晶体的Raman谱相比,声子频率的红移多于蓝移;E类振动的TO和LO模的劈裂明显减少,依据晶格动力学的观点解释了这些特点。 关键词：     

钇镓石榴石中Tb3+到Ce3+的无辐射能量传递特征

在Y₃Ga₅O₁₂石榴石中,室温下采用紫外激光选择激发光谱研究了能量从Tb³⁺的⁵D₃和⁵D₄能级无辐射传递给Ce³⁺的²D_3/2能级。实验结果符合Frster-IH直接无辐射传递理论。⁵D₃(Tb³⁺)→²D_3/2(Ce³⁺)能量传递是电偶-偶极子相互作用机理,其平均临界传递距离为R₀=16.3?,而⁵D₄(Tb³⁺)→²D_3/2能量传递是起主导作用的电偶-偶极子相互作用,其平均临界传递距离为11.2?。在⁵D₄的传递过程中,电偶-四极子相互作用也应予以考虑。 关键词：     

固态镓的电子结构

本文采用第一性原理分子动力学方法,在让原子得到充分弛豫后,计算了固体镓的电子结构。结果与实验相符合。通过计算总能随体积的变化,讨论了零温下固体镓的相稳定性。结果表明在α-Ga中,最近邻原子之间存在共价性从而导致电阻各向异性,而镓的其它相均为良好的金属。 关键词：     

掺碲硒化镓晶体的光学性能

采用水平区熔法生长了碲（Te）掺杂浓度（质量百分比）分别为0.05%,0.1%,0.5%,1%,2%的硒化镓（GaSe）晶体,并分别对掺杂浓度为0.01%,0.07%,0.38%,0.67%,2.07%的GaSe∶Te晶体的光学性能进行了表征。首次研究了GaSe∶Te晶体中刚性层声子模式的转换。吸收光谱测试结果表明：当Te掺杂浓度小于0.38%时,振动中心位于0.59 THz附近的E＇（2）刚性模式吸收峰强度可达最大值,这一过程与GaSe∶Te晶体光学性能的提高密切相关。但Te掺杂浓度的进一步提高会导致E＇（2）刚性模式吸收峰强度逐渐减弱,当Te掺杂浓度为1%时,E＇（2）刚性模式吸收峰基本消失。这两个过程与GaSe∶Te晶体光学质量的下降密切相关。因此,E＇（2）刚性模式吸收强度达到最高时对应的掺杂浓度即是GaSe∶Te晶体中Te的最佳掺杂浓度,光整流产生太赫兹过程证实了此结论的正确性。     

高温及高压下液体镓的结构——第一性原理分子动力学方法研究

采用第一性原理分子动力学方法研究了高温下正常密度和高密度液体镓的结构和性质。结果与有关实验事实相符合,发现液体镓中仍残留着共价键相结合的镓分子,随着密度的增加,结构因子主峰右边逐渐发展成为一肩膀。并从能量角度讨论了液体镓结构因子中出现肩膀的物理原因。 关键词：     

二元系压电晶体磷酸铝镓(Al1-xGaxPO4)的研制

用缓慢升温法培育了非铁电性二元系压电晶体Al_0.088Ga_0.12PO₄。通过三种测试结果对结构进行了确认。最后,给出这种新型压电晶体的电弹常数。 关键词：     

4,4‘,4“,4”’—磺酸酞菁镓的二聚常数的测定

采用光度法测定了４，４＇，４＂，４＂＇－磺酸酞菁镓（ＴｓＰｃＧａ）的二聚平衡常数Ｋｄ，讨论了ＰＨ值，离子强度、水温度等因素对Ｋｄ的影响。     

掺碲硒化镓晶体的光学性能(英文)

采用水平区熔法生长了碲(Te)掺杂浓度(质量百分比)分别为0.05%,0.1%,0.5%,1%,2%的硒化镓(GaSe)晶体,并分别对掺杂浓度为0.01%,0.07%,0.38%,0.67%,2.07%的GaSe∶Te晶体的光学性能进行了表征。首次研究了GaSe∶Te晶体中刚性层声子模式的转换。吸收光谱测试结果表明:当Te掺杂浓度小于0.38%时,振动中心位于0.59 THz附近的E'(2)刚性模式吸收峰强度可达最大值,这一过程与GaSe∶Te晶体光学性能的提高密切相关。但Te掺杂浓度的进一步提高会导致E'(2)刚性模式吸收峰强度逐渐减弱,当Te掺杂浓度为1%时,E'(2)刚性模式吸收峰基本消失。这两个过程与GaSe∶Te晶体光学质量的下降密切相关。因此,E'(2)刚性模式吸收强度达到最高时对应的掺杂浓度即是GaSe∶Te晶体中Te的最佳掺杂浓度,光整流产生太赫兹过程证实了此结论的正确性。