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本文给出了CaAs衬底上生长的ZnSe-ZnS应变超晶格的室温Raman分析,观测了该超晶格中ZnSe子层和ZnS子层的纵光学振动模(LO),首次发现在一些样品中ZnSe子层的纵光学声子模LOZnS出现红移,另一些样品中LOZnSe出现蓝移,而ZnS子层的LOZnS总是向低波数方向移动,并利用限制效应和应变效应给出了解释。 相似文献
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运用分子束外延技术成功地生长出Zn1-xCdxSe/ZnSe超晶格,并对不同的样品进行了拉曼散射光谱的测试。获得了多达5级的ZnSe的LO声子峰和ZnSe的TO声子峰;同时还在频移为144cm^-1,370cm^-1处观测到了两个新声子峰,估计是来自于ZnCdSe的声学模和光学模。 相似文献
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SiGe/Si应变层超晶格的结构和光散射特性 总被引:1,自引:1,他引:0
SiGe/Si应变层超晶格是一种亚稳态结构。在高温下,原子互扩散导致异质界面展宽;同时,由晶格失配引起的应变会发生弛豫。这两种现象都将导致超晶格结构的变化。本文证明,利用拉曼散射光谱可以定量地反映这一变化。(1)我们首先把界面陡峭超晶格中折叠纵声学(FLA)声子的色散关系和散射强度的理论计算推广到界面展宽的情形。然后,我们分析了测量得到的在不同温度下退火的超晶格样品的FLA声子散射谱。通过测量谱和计算结果的比较,得到了不同退火温度下异质界面的展宽或扩散长度。我们也从理论上证实并且在实验上观察到:LFA声子在超晶格布里渊区边界的能带分裂随异质界面的展宽而减小。(2)我们定量地分析了SiGe/Si超晶格中光学声子的散射谱随退火温度的变化。考虑到原子互扩散引起的合金组份变化以及应变弛豫两大因素,我们发现,对上述合金型SiGe/Si超晶格,在800℃下退火10分钟,超晶格中由于原子互扩散引起的界面展宽是非常严重的。相比之下,晶格弛豫的大小与材料的生长条件有关。对较低温度(400℃)下生长的超晶格,晶格弛豫量并不大,仅为16%。这一结果也得到了X-射线衍射谱的支持。(3)我们讨论了与SiGe/Si应变层超晶格的结 相似文献
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用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上生长了Zn1-xMgxSySe1-y四元半导体合金薄膜.用X-射线衍射方法确定了外延层的结构和晶格常数.测量了这些样品在平行和垂直两种不同几何配置下的拉曼散射光谱并对其特性做了研究。从实验上观察到了四类不同的晶格振动模:类ZnSe的TO和LO模以及类ZnS和类MgS的LO模,实验发现:在ZnSe和ZnSSe中加入Mg使得类ZnSe的TO和LO模的振动频率下降;同时,也使类ZnS模的频率随S的增加率减小。 相似文献
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用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上成功生长了高质量的Zn1-xMnxSe/ZnSe(x=0.16),超晶格结构,用X射线衍射和低温光致发光(PL)对其结构,应变分布以及光学性能进行了研究,结果表明,2K温度下,Zn1-xMnxSe/ZnSe超晶格的光致发光中主发光峰对应于ZnSe阱中基态电子和基态轻空穴之间的自由激子跃迁,而且其峰位相对于ZnSe薄膜材料的自由激子峰有明显移动。其中,当超晶 相似文献
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本文首次利用室温非共振喇曼后向散射测得具有7.3%晶格失配的ZnSe-ZnTe应变层超晶格限制在ZnSe层中的纵光学声子模。计算了限制效应引起的声子模频率的红移,以及弹性应变引起的声子模的移动,它比前者大得多。ZnSe层所受拉伸应变引起声子频率红移,ZnTe层所受压缩应变引起声子频率蓝移。同时在喇曼光谱中观察到由于这种效应导致出现的纵光学声子折叠模。 相似文献
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本文通过Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体超晶格ZnSe/Zn1-xMnxSe的光致发光谱的测量,对其应力效应进行了讨论。样品的组分x=0.2,0.3,0.4,测量温度为T=11 ̄300K。结果表明:由于应力效应,ZnSe/Zn1-xMnxSe超晶格中的激子能量随x值增加而发生红移。在相同组分下,不同阱、垒宽度比使应力的分布产生明显变化,从而影响超晶格中激子能量。实验与理论计算结果相一致。超晶格中光致发光峰随温度 相似文献
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GexSi1-x/Si和Ge/Si应变层超晶格是半导体超晶格中新发展起来的一种类型.本文简要地介绍了这类超晶格在生长和物理特性方面的一些基本问题,列举了它在器件应用方面的例子.给出了共度生长时超晶格的临界厚度值,超晶格中GexSi1-x合金层能隙随成分的变化,以及界面处的能带失配值等.最后介绍了由Ge,Si原子层有序排列而组成的新晶体. 相似文献
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Si/Ge应变层超晶格的椭偏光谱 总被引:2,自引:0,他引:2
测量了几种不同组分的(Si)M/(Ge)N应变超晶格材料的椭偏光谱(2.0~5.0eV),并得到了其介电函数谱;应用介电函数的临界点理论,研究了(Si)M/(Ge)N应变超晶格材料的光学性质。发现短周期Si/Ge应变超晶格除了具有明显的E1和E2带间跃迁外,还存在与应力和超晶格能带的折迭效应有关的跃迁峰,其能量分别位于2.3~3.0eV和3.3~4.0eV范围内 相似文献
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硅—二氧化硅超晶格:探索硅基发光材料的一条新途径 总被引:4,自引:0,他引:4
理论上认为,由于Si/SiO2超晶格中硅层(阱层)的电子和空穴都受到极强的量子限制效应,硅层能带有可能从体硅的间接带隙转变为直接带隙,从而发光效率大大提高.实验上,在非晶Si/SiO2超晶格中观察到在可见光波段的室温光致发光和明显的量子限制效应现象.晶体Si/SiO2超晶格研究也取得了初步的结果. 相似文献
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近年来,随着宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体激光器取得突破性进展[1],对ZnSe基超晶格与量子阱的受激发射也进行了广泛的研究[2,3],同时对电场调制下的ZnSe基超晶格的受激发射也有过报导[4].但对于电场调制下的ZnCdSe/ZnSe基单量子阱的激射行为研... 相似文献
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用加静高压的方法改变光学能隙来实现共振条件。在以(CdTe)_2(ZnTe)_4短周期超晶格为阱层,(ZnTe)_(4)为垒层的多量子阱结构中观察到高达四阶的类 ZnTe 纵光学声子模的多声子共振拉曼散射。通过对拉曼位移随压力变化的分析,发现在与(CdTe)_2(ZnTe)_4短周期超晶格共振时测得的类ZnTe 纵光学声子模的频率比与 ZnTe 势垒层共振时测得的 ZnTe 纵光学声子模的频率低4cm~(-1)。并将它归结为在短周期超品格中纵光学声子模的限制效应。在与短周期超品格严格的2LO 声子出射共振条件下观察到了类 CdTe 的2LO 声子的共振拉曼峰。 相似文献
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