一种可作为FCC基质的新型改性镁铝尖晶石材料

镁铝尖晶石作为硫转移剂被广泛应用于流体催化裂化(FCC)过程中, 可降低再生烟气中的SO₂排放. 通过将镁铝尖晶石和Y分子筛纳米簇溶液混合在酸性条件下再次晶化的方法改性镁铝尖晶石, 改性后尖晶石的酸性明显提高. 改性尖晶石材料的酸性和碱性可通过改变体系的pH值得以调节. 实验表明, 此改性方法可以将分子筛的结构单元引入到尖晶石中, 从而使尖晶石的微孔比表面、酸性和水热稳定性明显提高. 与原尖晶石相比, 改性尖晶石裂化减压瓦斯油(VGO)的活性和产物选择性均得到改善, 同时还保留了部分碱性活性位, 仍具有一定的脱硫活性. 改性尖晶石裂化VGO的反应性能优于高岭土, 同时以改性尖晶石作为部分基质的FCC催化剂的反应性能也优于以高岭土为主要基质的FCC催化剂.     

石墨烯/蓝宝石基底上无应力AlN的快速生长

<正>以氮化物为代表的第三代半导体材料,在发光二极管~(1,2)、激光二极管~3、紫外辐射源~4、高频功率电子学~(5,6)等领域具有广阔的应用前景。目前,制备第三代半导体材料的常用方法是金属有机化学气相沉积(MOCVD)法,常用的衬底主要包括蓝宝石、硅、碳化硅等。但是,在材料异质外延过程中,衬底与半导体薄膜之间较大的晶格失配和热失配会导致材料中应力的积累以及缺陷密度的升高。除此之外,在材料岛状拼接生长过程中,在拼接界面处会引入大量的缺陷结构7。上述两类缺陷严重地降低了材料的质量,进而会影响器件的效     

SiC衬底上石墨烯的性质、改性及应用研究

大面积高质量石墨烯的制备及其改性对于纳电子器件相关研究有重要意义. 本文综述了近年来SiC衬底上石墨烯的相关研究, 包括外延法制备石墨烯、石墨烯与SiC衬底的作用机理、SiC衬底上石墨烯的改性方法以及外延石墨烯在器件等方面应用的重要进展. 目前, 外延法的工艺较为成熟且制备的较大面积石墨烯品质较好. SiC衬底和石墨烯之间的相互作用与衬底的表面原子种类、表面态、原子成键、钝化程度、电荷转移等密切相关, 其对石墨烯的电子能带、载流子种类产生明显影响. 实验与理论计算的结合可望加深对SiC衬底与石墨烯作用机理的理解, 并指导外延石墨烯改性及其在器件应用方面的进一步研究.     

用每秒放电300次的电花进行防锈铝的光谱分析(照相法和光电法)

防锈铝是变形铝的一种。国内一些工厂分析防锈铝时(包括高含量镁)通常用两种方法:(1)用高压火花光源分析铜、铍、钛、硅、锰、铁和镁。(2)用交流电弧分析低含量的锌和镍。当镁的含量高时分析误差较大,满足不了生产上的要求,所以在一些工厂又采用了化学法分析镁。为此分析防锈铝样品中的上述九个元素时,实际上需要用三种方法。我们用HFI-1型高压火花脉冲发生器,光电直读光谱仪,同时测定了防锈铝中铜、铍、     

高举毛泽东思想伟大红旗积极参加社会主义文化大革命

毛主席教导我们,社会主义社会还存在着阶级和阶级斗争.毛主席说:在我国“无产阶级和资产阶级之间的阶级斗争,各派政治力量之间的阶级斗争,无产阶级和资产阶级之间在意识形态方面的阶级斗争,还是长时期的,曲折的,有时甚至是很激烈的”.文化战线上兴无灭资的斗争,是无产阶级同资产阶级、社会主义同资本主义两个阶级、两条道路、两种意识形态之间的阶级斗争的一个重要方面,无产阶级要按照自己的世界观改造世界,资产阶级也要按照自己的世界观改造世界,社会主义的文化,要为工农兵服务,为无产阶级的政治服务,为巩固和发展社会主义制度、逐步向共产主义过渡服务。资产阶级、修正主义的文化,     

衬底调制下的硼墨烯、硅烯、锗烯等单元素二维材料的原子与电子结构

石墨烯的发现带来了一场二维材料研究的风暴。直到今天,在石墨烯之外,实验学家又成功地在金属衬底上合成出了硅烯、锗烯和硼墨烯等具有奇特物理化学性质的二维材料。然而,人们发现由于衬底与材料的相互作用,这些衬底上的二维材料不论是原子结构还是电子结构都与理论预测的悬浮状态的二维材料相距甚远。因此,我们使用第一性原理计算去探索衬底与二维材料之间的作用,并且进一步揭示了衬底调控下的二维材料的原子与电子结构。本文将介绍作者与合作者今年来用第一性原理计算方法研究金属衬底上的硅烯、锗烯和硼墨烯等新型单元素二维材料的结构和性质,并对其未来的发展做出展望。     

电感耦合等离子体串联质谱法测定半导体级磷酸中15种痕量杂质元素北大核心CSCD

半导体级磷酸是电子行业使用的一种超高纯化学试剂,广泛应用于超大规模集成电路、薄膜液晶显示器等微电子工业,主要用于硅晶片中氮化硅膜、镀金属膜和铝硅合金膜的湿法清洗和蚀刻[1-2]。在硅晶片的蚀刻过程中,磷酸中痕量杂质元素对电子元器件的成品率、电性能及可靠性有很大影响。不同的杂质污染会导致半导体器件的缺陷,如碱金属与碱土金属(钠、钾、钙、镁等)污染可导致器件的击穿电压降低;过渡金属与重金属(铁、铬、镍、铜、金、锰、铅等).     

半导体电阻率标样通过鉴定

半导体电阻率标样系用于校准测量半导体表面薄层电阻、电阻率的四探针电阻率测试仪,能保证精确测定单晶硅片电性能,提高中、大规模集成电路的成品率和可靠性。目前国际上都采用美国国家标准局(NBS)的SRM标样。由上海市测试技术研究所与上海轻工材料厂合     

原子吸收光度法测定铸造铝合金中铁镁

四方机车车辆厂用铝合金 (ZL1 0 1 )制造机车上的铝风扇 ,对材料中的硅、铁和镁的成分分别要求控制在 w Si 6.5%～ 7.5%、w Fe 0 .0 %～ 0 .5%和 w Mg0 .2 5%～ 0 .45%范围内。以往采用光度分析方法测定 ,其中镁的测定方法虽经不断地改进 ,其测定结果仍不理想。改用原子吸收法同时测定铁和镁 ,无论是准确度和精密度 ,还是操作的简便性和经济效益 ,都优于原光度分析法。1　试验部分1 .1　仪器与试剂WFX- 1 D型原子吸收分光光度计 (北京第二光学仪器厂 )铝、硅、镁标准溶液 :均为 1 0 mg·ml-1铁标准溶液 :1 0 0 μg· ml-1氯化锶 (AR) :…     

电感耦合等离子体原子发射光谱法测定煤和焦炭中硅、钙、镁和铝

煤和焦炭是炼钢、炼铁的重要原料。原料中硅、钙、镁和铝含量对于钢铁的冶炼具有重要影响。传统的测定方法是把样品灼烧后用硝酸、氢氟酸溶解,硅采用硅氟酸钾滴定法,钙、镁和铝采用EDTA滴定法,该方法不仅分析步骤繁琐,分析周期长,而且使用氢氟酸给人体和环境带来伤害和污染。本工作在文献[1-3]方法的基础上,用电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP AES)测定煤和焦炭中硅、钙、镁和铝的含量,此方法能代替原有的化学方法。     

新型石墨烯基LED器件：从生长机理到器件特性

III族氮化物因具有禁带宽度大、击穿电压高、电子饱和漂移速度大、稳定性高等优异特性而广泛应用在发光二极管(LED)、激光器以及高频器件中。目前III族氮化物薄膜通常是异质外延生长在蓝宝石衬底表面,但是由于蓝宝石与III族氮化物之间存在较大的晶格失配与热失配,使得外延生长的III族氮化物内部存在较大的应力与较高的位错密度,严重影响了器件性能;与此同时,蓝宝石衬底热导率差,限制了其在大功率器件方面的应用。近年来研究发现,石墨烯作为外延生长缓冲层,能够有效解决蓝宝石衬底与外延III族氮化物薄膜之间由于晶格失配和热失配导致的高应力与高位错密度等问题,进而获得了高品质薄膜,并提升了器件的性能。本文综述了石墨烯/蓝宝石衬底上III族氮化物生长与LED器件构筑的研究现状,着重介绍了本课题组提出的一种新型外延衬底—石墨烯/蓝宝石衬底的特点,阐明了III族氮化物在该新型衬底上的生长机理,总结了其对III族氮化物质量提升的作用,并对其发展前景进行了展望。     

用俄歇电子能谱分析Y-Ba-Cu-O超导薄膜与衬底的界面互作用

高T_c的Y-Ba-Cu-O超导材料在弱电方面进入实用的一个重要条件,就是需要制备出优质的超导薄膜。已有多种制备超导薄膜的方法见报道。用蓝宝石或Si衬底制备超导薄膜,通常会由于薄膜与衬底强烈的界面反应使其零电阻温度大为降低,严重时甚至变成非超导。而我们在实验中发现,YSZ(掺钇稳定立方氧化锆)衬底在高温下与薄膜的界面反应也较为严重。在YSZ衬底上沉积一层Ag缓冲层则可以减轻薄膜与村底的相互作用。     

蓝色吸热平板玻璃的透光曲线及其分析

在毛主席革命路线的指引下,我国社会主义建设事业正在突飞猛进。我们一年级工农兵学员按照毛主席关于“教育必须为无产阶级政治服务,必须与生产劳动相结合”的教导,与耀华玻璃厂协作,在教师和工人师傅的指导下,对蓝色玻璃有了一点肤浅的认识。我们用国产751型分光光度计(测试范围为200—1000毫微米),对试制过程中的蓝玻璃进行透光率的测定,并分别描绘出透光光谱曲线(见图7)。从玻璃的无色到有色,吸热性能渐强的演变过程来认识过渡元素铁、钴离子在钠-钙-硅系统玻璃中的着色机理,并选定着色剂的合适的加入量,以满足具有一定艺术色彩和吸热性能     

Si衬底上生长的铁硅化合物结构和取向分析

采用分子束外延法分别在650-920℃的Si(110)和920℃的Si(111)衬底表面生长出铁的硅化物纳米结构,并主要分析了920℃高温下纳米结构的形貌、组成相及其与Si衬底的取向关系.扫描隧道显微镜(STM)研究表明,920℃高温下,Si(110)衬底上生长的铁硅化合物完全以纳米线的形式存在,且其尺寸远大于650℃低温下外延生长的纳米线尺寸;Si(111)衬底上生长出三维岛和薄膜两种形貌的铁硅化合物,其中三维岛具有金属特性且直径约300 nm、高约155 nm,薄膜厚度约2 nm.电子背散射衍射研究表明920℃高温下Si(110)衬底上生长的纳米线仅以β-FeSi2的形式存在,且β-FeSi2相与衬底之间存在唯一的取向关系:β-FeSi2(101)//Si(11 1);β-FeSi2[010]//Si[110];Si(111)衬底上生长的三维岛由六方晶系的Fe2Si相组成,Fe2Si属于164空间群,晶胞常数为a=0.405 nm,c=0.509 nm;与衬底之间的取向关系为Fe2Si(001)∥Si(111)和Fe2Si[1 20]//Si[112].     

分光光度法测量铝镓氮外延片中的铝含量

采用熔融的氢氧化钠刻蚀在蓝宝石衬底上生长的铝镓氮外延层,用深紫外光致发光光谱仪测量铝镓氮的荧光光谱来控制铝镓氮层的刻蚀深度,用盐酸将含铝氢氧化钠中和并调节至酸性(pH1~2)后转移至250 mL的容量瓶内定容,用铬天青S络合显色,用分光光度计在546 nm处测定吸光度来确定铝的浓度。该法测量结果的相对标准偏差为1.1%(n=5),加铝标准溶液做回收试验,回收率为96%~103%。该法可用于铝镓氮外延片中铝含量的准确测量。     

球墨铸铁中稀土和镁的联合比色测定

稀土-镁球墨铸铁的应用,代替了大量贵重的钢材,是一种成本低、用途广的好材料。近年来随着我国工农业生产的迅速发展,球墨铸铁的生产使用也日益广泛起来。因此,对其化学成分测定工作“快、准、省”的要求也就更加迫切。遵照毛主席“教育必须为无产阶级政治服务,必须同生产劳动相结合”的教导,我们本着以典型任务组织教学、使“分析化学”更好地为三大斗争服务的精神,到生产和使用球墨铸铁的安阳柴油机厂进行开门办学。直接参加生产实践,拜工人为师,急生产之所急,走“实践—理论—实践”的认识道路。我们参考了现有的方     

硅铝催化材料合成的新进展

本文综述了硅铝催化材料合成方面的最新进展即所合成的催化剂的孔径从微孔向中孔发展以及利用以溶胶-凝胶法为代表的新制备技术。详细介绍了几种中孔催化材料的合成方法和材料的基本物理化学性质以及溶胶2凝胶法在制备硅铝担体与担载型催化剂方面的应用。     

电感耦合等离子体原子发射光谱法同时测定石灰石中铁、铝、钙、镁、硅

采用碱熔法,以移液枪分取试样,用电感耦合等离子体原子发射光谱法同时分析石灰石中铁、铝、钙、镁、硅5种化学成分。在分析过程中对氩气加湿,避免盐析效应的影响,铁、铝、钙、镁、硅的分析谱线分别为259.940,396.152,315.887,279.553,251.611 nm。5种成分在各自的线性范围内均具有良好的线性,线性相关系数在0.990 74~0.999 99之间,方法检出限为0.000 6%~0.005 1%,回收率为95.6%~105.4%,测定结果的相对标准偏差小于1%(n=6)。该方法检出限低、重现性好,适合于石灰石样品中铁、铝、钙、镁、硅的快速检测。     

具有Ru-M (M=Fe, Co, Ni, Mo)双金属活性中心的负载型氨合成催化剂

 研究了钾促进的双金属中心Ru-M (M=Fe, Co, Ni, Mo)氨合成催化剂.结果表明, Ru-Co催化剂活性最高, Ru和Co含量均为2%的Ru-Co催化剂具有最好的应用价值,其催化活性与Ru和Co含量均为4%的催化剂相近. 此外,还对以镁铝尖晶石、氧化镁和镁铝复合氧化物等不同氧化物为载体的Ru-Co双金属中心催化剂进行了对比研究. 结果表明,以高温煅烧制得的氧化镁作载体的催化剂活性最高.     

X射线荧光光谱法测定铝硅铜合金中主次元素含量

正铝硅铜合金是当今公认的一种高强度压铸铝合金,在国外已广泛应用于家用电器、汽车、摩托车等零件,在我国应用起步较晚,还有许多特性有待研究和开发。铝硅铜合金中主次元素含量的高低将直接或间接地影响材料的性能与用途,尤其是硅、铅、锡、锆等元素,因此铝硅铜合金中主次含量元素的测定非常重要。目前测定铝硅铜合金中主次元素含量的常用方法有化学法[1]、原子吸收光谱法[2]、发射光谱