格值连续函数的下方图形超空间及其Hilbert方体紧化

设L 是连续半格,用 USC(X, L) 表示乘积空间 X×ΛL 的包含集合 X×{0} 的所有闭的下集之族,用 ↓C(X, L) 表示由X到ΛL的连续函数的下方图形全体．赋予 Vietoris 拓扑后, USC(X, L)是拓扑空间,↓C(X, L) 是它的子空间. 证明了如果X是无限的局部连通的紧度量空间且ΛL是绝对收缩核,则USC(X, L) 同胚于 Hilbert 方体 [-1,1]^ω. 此外, 如果L是可数个闭区间的乘积,则↓C(X, L)在USC(X, L)中是同伦稠的,即存在同伦 h: (X, L)×[0,1]}→ USC(X, L), 使得h₀=id_{USC(X, L)}, 且对任意的t>0, 有h_t(USC(X, L))Ì↓C(X, L). 但 ↓C(X, L)不是可完备度量化的.     

A∞∞ _ 型 Ringel-Hall 代数

这是利用 A^∞_∞ -型 Ringel-Hall 代数研究sl ^∞_∞ -型量子群的两篇文章中的第一篇. 为此首先需要研究建立在任意域k 上的无限维路代数 kA^∞_∞ 的有限维表示. 在文章的第一部分, 我们给出了所有的不可分解 kA^∞_∞ - 表示, 并且清楚地刻画了它们之间的扩张关系; 在第二部分, 对于给定的有限域k, 我们研究了 Ringel-Hall 代数 H(kA^∞_∞). 主要观察是把H(kA^∞_∞) 看作 Ringel-Hall 代数 H(kA_∞) 的正向极限, 把 H(kA_∞) 看作Ringel-Hall 代数 H(kA_n) 的正向极限. 特别地, 我们得到了H(kA^∞_∞) 的一个 PBW-基, 并且 证明了H(kA^∞_∞) 恰好和它的合成子代数重合.     

齐型空间上的一些新的Triebel-Lizorkin空间及其标架

设(X, ρ, μ)_d,θ是齐型空间, ε∈(0,θ), |s|<ε且 max{d/(d+ε), d/(d+s+ε)}<q≤∞. 引进了一类新的Triebel-Lizorkin空间F^s_∞q(X),并通过先建立与空间F^s_∞q(X)的范数相关的Plancherel-Pólya型不等式的方法建立了这些空间的标架特征; 给出了当|s|<ε, max{d/(d+ε), d/(d+s+ε)}<p≤∞且0<q≤∞时, Besov 空间B^s_pq(X),以及当|s|<ε, max{d/(d+ε), d/(d+s+ε)}<p<∞且max{d/(d+ε), d/(d+s+ε)}<q≤∞时, Triebel-Lizorkin空间F^s_∞q(X)的标架特征; 此外, 还引进了与给定仿增函数b相关的新的Triebel-Lizorkin空间bF^s_∞q(X)和HF^s_∞q(X), 并且建立了空间bF^s_∞q(X)和空间HF^s_∞q(X)的相互关系; 进一步证明了如果s=0且q=2, 则HF^s_∞q(X)=F^s_∞q(X). 因为F^s_∞q(X), 所以事实上这也给出了空间BMO(X)一个新的特征刻画.     

在险值与Lp-空间上的连续一致风险度量

本文研究了在险值和L^p-空间上的连续一致风险度量之间的关系.利用凸集分离定理和截尾逼近方法,获得了在险值可以用L^p-空间上的连续一致风险度量表示的结果,并且得到了L^p-空间上的表示定理的一种新的证明方法.它们分别是文献[2]的相关结论从L^∞-空间到L^p-空间上的推广和对Inoue^[4]做的一些补充证明.     

Hilbert空间上线性算子广义逆A(2)T,S的存在性及其表示式

设H₁和H₂是两个Hilbert空间, B(H₁,H₂)表示从H₁到H₂的所有有界线性算子的集合, T和S分别是H₁和H₂的两个闭子空间. 如果存在线性算子X ∈ B(H₂,H₁)满足XAX=X, R(X)=T, N(X)=S,则称X为线性算子$A$的具有指定像空间T和零空间S的外逆,记为A⁽²⁾_T,S. 该文进一步研究了线性算子广义逆A⁽²⁾_T,S存在的若干等价条件及其性质,建立了算子广义逆A⁽²⁾_T,S的表示形式.     

Gd2SiO5: Eu3+中VUV激发的量子剪裁

在北京同步辐射装置的真空紫外光谱站, 对Gd₂SiO₅: Eu³⁺激发谱、发射谱进行了研究. 基于Gd³⁺-Eu³⁺体系通过能量传递发生可见光量子剪裁的原理, 对实验结果进行了讨论. 当直接激发Gd³⁺的⁶GJ态时, 有2个来自Eu³⁺的可见光光子发射, 粗略的估算表明Gd₂SiO₅: Eu³⁺是一种有效的量子剪裁材料.     

可递Lie代数胚1阶上同调群的局部化

对连通流形M上可递Lie代数胚A的任意一个向量丛F上的表示, 研究一个称作局部化的同调群的同态¡ ^k: H^k (A, F)→H^k (L_x, F_x), 其中L_x是在x∈M处的伴随Lie代数. 主要结果是: 当底流形M单连通或者H⁰(L_x, F_x)平凡时, ¡¹是单射, 即Lie代数胚A的1阶上同调群由在点x∈M处伴随Lie代数 的1阶上同调群完全决定.     

∑e1型Banach空间上C0半群稳定性的谱特征

讨论一类不可分解的∑_e¹型Banach空间上有界线性算子的谱的特殊性质;给出了∑_e¹型Banach空间上一致有界C₀半群稳定性的一个谱特征,并给出稳定性定理的一个应用.     

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定义了L^*-逆半群, 并引入了半群左圈积的概念. 证明了半群S是一个L^*-逆半群, 当且仅当S是一个型A半群Γ和一个左正则带B连同结构映射φ的左圈积B_âφ. 这一结果的一个直接推论是关于左逆半群结构的著名Yamada定理. 利用半群的左圈积, 给出了一个非平凡的L^*-逆半群的例子.     

不含4圈的平面图的全色数

用Δ(G), χ_ve(G)分别表示图G的顶点最大度和全色数.Vizing猜想: 对任何 简单图G, Δ(G) +1≤χ_ve(G)≤Δ(G)+2. 即使对于平面图, 这一猜想仍未获得完整的证明, 唯一待完成的困难情形是Δ(G)=6. 本文证明:若Δ(G)=6的平面图G不含有4圈, 则χ_ve(G)≤8.这一结果和以前在该问题上的已知结果表明：对于不含有4圈的平面图，Vizing猜想是正确的.     

一类算子值解析函数族的极值点

设 H 是一个Hilbert空间. B(H) 表示所有H 到 H 的有界线性算子构成的Banach空间. 设 T= {f(z): f(z)=zI-∑^∞_n=2 zⁿA_n 在单位圆盘|z|<1上解析, 其中系数A_n是 H 到 H 的紧正Hermitian算子, I 表示 H 上的恒等算子, ∑^∞_n=2 n(A_n x, x) ≤1 对所有x ∈H, ∣|x∣∣=1 成立. 该文研究了函数族 T 的极值点.     

算子值Fourier乘子

利用一维情形已知结果和数学归纳法给出了L_p([0, 2π]^d; X)上算子值Fourier乘子结果的简单证明.     

与强奇异 Calderón-Zygmund 算子相关的Toeplitz型算子

研究与强奇异Calderón-Zygmund 算子和Lipschitz函数b∈Λ^&#8729;_β0（Rⁿ）相关的Toeplitz型算子T_b(f)从 L^p（Rⁿ）到L^q（Rⁿ） 的有界性和 L^p（Rⁿ）到F^&#8729;β₀,∞ _p的有界性,1/q=1/p-β₀/n. 得到了广义Toeplitz型算子Θ^b_α0 是 L^p（Rⁿ）到L^q（Rⁿ）有界的,1/q=1/p-(α₀+β₀)/n.上述结果包含了相应的交换子的有界性.同时还得到了与强奇异Calderón-Zygmund 算子和BMO函数b相关的 Toeplitz型算子 T_b(f)的L^p（Rⁿ）有界性, 1ápá∞ .     

Woronowicz C*代数交叉积的正则与协变表示

A是Woronowicz C^*代数, G是作用于其上的离散群, 主要证明了它们的交叉积代数A×_αG的正则表示和协变表示都对应于乘法酉算子,同时证明了正则协变的C^*代数也是一个对应乘法酉算子的Woronowicz C^*代数,最后给出了C(SU_q(2)×_αZ对应的乘法酉算子的一个明确表示.     

分段Koszul代数

一般情形下, 分段Koszul代数是一类不同于经典Koszul代数的齐次代数, 同时, 它包含经典Koszul代数和高阶Koszul代数作为其特殊例子. 通过研究分次代数的Yoneda-Ext代数E(A)的极小生成次数, 给出了一个正分次代数是分段Koszul代数的判定定理, 并且在E(A)上构造了一种特殊的A_∞-结构. 最后讨论了分段Koszul代数和经典的Koszul代数的关系. 特别地, 所得结果与Green-Marcos的一个未解决问题有密切的关系.     

非线性抛物椭圆方程组的正则解和奇异解

该文用单模方法在Lorentz空间研究了抛物椭圆方程组奇异解和正则解的存在性, 其中初值属于Lorentz空间L^{n/2,∞ ₍}Rⁿ), n≥ 3. 利用时间加权的Lorentz空间, 还得到了其正则解. 此外, 如果初值满足自相似结构, 也得到了自相似解的存在性.     

某些射影平坦的(α, β)-度量

考虑了一类具有如下形式的Finsler度量: 其中是一个Riemann度量, b=b_iy_i是一个1-形式, ε和k≠0是常数. 得到了F为局部射影平坦的充要条件, 给出了非平凡特解, 并且证明了具有常旗曲率的这种射影平坦Finsler度量是局部Minkowski度量.     

高次Koszul复形

推广了Koszul复形以及Koszul代数,引入了高次Koszul ( t -Koszul)复形和高次Koszul (t-Koszul)代数的概念, 其中t为不小于2的正整数. 证明了代数为高次Koszul代数当且仅当其相应的高次Koszul复形的高阶(≥1)同调群为0. 还通过引入t次对偶代数的概念, 对t-Koszul代数的上同调代数进行了具体的刻画, 证明了对任意的非负整数m, 其中L₀是L的所有单模的直和, 而L^!是L的t次对偶代数.     

ZnAl2O4/α-Al2O3复合衬底的制备和GaN薄膜的生长

利用脉冲激光淀积法(PLD)在α-Al₂O₃衬底上淀积了ZnO薄膜, 通过ZnO和α-Al₂O₃固相反应制备了具有ZnAl₂O₄覆盖层的α-Al₂O₃衬底. X射线衍射谱(XRD)表明ZnAl₂O₄薄膜随反应时间由单一(111)取向转变为多晶取向, 然后变为不完全的(111)择优取向. 同时扫描电子显微镜(SEM)照片表明ZnAl₂O₄表面形貌随反应时间由均匀的岛状结构先变为棒状结构, 然后再变为突起的线状结构. 另外, XRD谱显示低温制备的ZnAl₂O₄在高温下不稳定. 在ZnAl₂O₄覆盖的α-Al₂O₃衬底上利用光加热低压MOCVD法直接生长了GaN薄膜. XRD测量表明随ZnAl₂O₄厚度增加GaN由c轴单晶变为多晶, 单晶GaN的摇摆曲线半高宽为0.4°. 结果表明薄ZnAl₂O₄覆盖层的岛状结构有利于GaN生长初期的成核, 从而提高了GaN的晶体质量.     

氢化非晶硅氧薄膜微结构

以Raman散射、X射线电子能谱和红外吸收光谱细致研究了PECVD法250℃衬底温度下制备的氢化非晶硅氧(a-SiO_x∶∶H)薄膜的微结构及键构型. 研究表明, 在0.52≤x≤1.58的氧含量范围内，a-SiO_x∶∶H薄膜成分和结构不是均一的，依赖于局域键构型氧化程度的不同，大致存在着5种在一定程度上相互分离的结构组分，即Si, Si₂O(∶H), SiO(∶H), Si₂O₃(∶H)和SiO₂. 其中的Si相以非氢化的非晶硅(a-Si)颗粒形式存在，随氧含量x的增加其尺度持续减小但始终存在. 提出一种多壳层模型来描述a-SiO_x∶H薄膜的结构，认为a-SiO_x∶H薄膜中a-Si颗粒依次为Si₂O(∶H), SiO(∶H), Si₂O₃(∶H)和SiO₂壳层所包围. 随薄膜氧含量x的增加，各壳层厚度相应变化但各自的化学构成基本保持不变.