光电子技术与器件 红外技术与器件

TN213 2005064355 8-14 μm波长低红外发射率涂料的研究=Study on low infrared emissivity of coating in 8-14 μm[刊,中]/王庭慰 (南京工业大学材料科学与工程学院．江苏,南京 (210009)),程从亮…∥光学技术．-2005,31(4)．-598- 600     

光电子技术与器件 红外技术与器件

TN211 2005010523 卷云在红外波段的散射特性=Single-scattering properties of cirrus clouds in infrared region[刊,中]／薛方芳(中科院安徽光机所国家863计划大气光学重点实验室．安徽,合肥(230031)),魏合理…∥激光与红外．-2004,34(4).- 286-291 用T矩阵(T-matrix)、Lorenz-Mie等效球和几何光学 (GOM)相结合的方法计算了六角冰晶尺度在1-10000 μm范国内、波长在红外2．5-13 μm范围内的散射特性。依据实际测定的30种卷云粒子尺度分布,得到有效尺度     

信息光学 光学记录、存储与器件

TP333．4 2005031926 高密度光存储实现途径分析=Analysis of approaches to high density optical data storage[刊,中]／菅冀祁(清华大 学光盘国家工程研究中心．北京(100084)),王玉英…∥半 导体光电．-2004,25(4)．-308-312 应用信道分析的方法,讨论了影响存储密度的因素和 参量,提出光学系统分辨本领及光存储机理是其中最重要     

光电子技术与器件 红外技术与器件

TJ765．3 2005053748 防红外成像制导伪装技术途径探讨=Study on camouflage approachs against infrared imaging guide[刊,中]／胡江华 (解放军理工大学工程兵工程学院．江苏,南京(210007)), 秦建飞…∥红外技术．-2005,27(2)．-119-123 论述了战场目标防红外成像制导伪装的必要性。在 分析红外成像制导基本原理的基础上,提出了相应的伪装 对抗技术途径和方法。图3参6(严寒)     

光电子技术与器件 光放大、控制与器件

TN144 2005053743 ICCD系统中对像增强器制冷降噪效果的分析=Research of reducing the ICCD system noise with TE cooler[刊, 中]／沈飞(北京理工大学光电工程系．北京(100081)),刘 广荣…∥光学技术．-2005,31(3)．-434-436,440 在ICCD摄像机上加装一个半导体制冷器,对像增强 器进行实时降温处理,以降低系统时空域噪声。为了评价 半导体制冷器对ICCD系统噪声的影响,运用三维噪声模 型对制冷前后系统的时空域噪声和信噪比进行了分析,发 现半导体制冷器能够有效地降低像管的噪声。图3表2 参11(王淑平)     

激光器件 固体激光器

TN248．1 2006064936外腔式KGd(WO_4)_2Raman激光器的输出特性研究= Output properties of external resonator KGd(WO_4)_2 Ra- man laser[刊,中]/苏富芳(山东大学信息科学与工程学院．山东．济南(250100)),张行愚…//光电子·激光．—2006,17(5)．—538-541研究了外腔式KGd(WO_4)_2Raman激光器在红外纳秒脉冲抽运下的输出特性,通过改变KGd(WO_4)_2晶体的     

光电子技术与器件 光电成像与器件

TN144 2005010470 微通道板电子透射膜的工作特性=Operating effectiveness of electron transmission film at the input of MCP[刊,中]／阎金良(烟台师范学院物理系．山东,烟台(264025))∥光子学报．-2004,33(2)．-164-166 利用静电贴膜技术在MCP输入面制备了4 nm厚 Al2O3非晶态电子透射膜．此工艺不造成MCP通道壁内表面碳污染。探讨了贴膜与气体辉光放电的关系,测量了 MCP电子透射膜的电子透过特性和离子阻挡特性。实验表明．4 nm厚Al2O3非晶态电子透射膜能有效地透过电子,阻止反馈离子。图4参6(严寒)     

光电子技术与器件 光显示与显示器件

TN141 2005021352 显示器件发展趋势=Development trends of display devices [刊,中]／阎璋(华东电子集团公司．江苏,南京(210028)) //光电技术．-2004,45(4)．-33-36,50 介绍了当今市场各种显示器的研发现状和发展趋势 以及销售情况。图2参1(杨妹清) TN141．9 2005021353 液晶投影显示颜色均匀性的测量及校正系统=Measure-meat and correction system of color uniformity of liquid crystal projection display[刊,中]／陈颖(浙江大学现代光     

光电子技术与器件 红外技术与器件

O441．4 2006065299太赫兹成像技术的实验研究=Terahertz time-domain spectroscopy imaging[刊,中]/张振伟(首都师范大学物理系．北京(100037)),崔伟丽…//红外与毫米波学报．—2006．25(3)．—217-220建立了一套透射式逐点扫描太赫兹(THz)辐射成像装置,它采用<100〉-InAs晶体作为高功率、宽频谱的THz辐射源和高灵敏度、低噪声的电光取样差分探测方法,具有对隐蔽在非透明电介质材料内物体成像的能力。系统能够获得成像物体上每一点的光谱数据,可以对物体进行     

光电子技术与器件 光能转换与器件

TM914 2005021351 主链含冠醚的交簪共聚物的合成及其发光电化学池的性 能=Synthesis of an alternating copolymer containing crown ether in the main chain and properties of related light-emitting electrochemical cells[刊,中]／周建平(襄樊 学院化学与生物科学系．湖北,襄樊(441053)),王海侨// 中南民族大学学报(自然科学版)．-2004,23(4)．-5-8 采用分子设计的思想,合成了一种分子主链由离子传 导链段-24-冠-8和共轭发光链段-1,5-二苯乙烯基萘组     

薄膜光学 薄膜材料与器件

O484.12006010522AlGaN/GaN分布布喇格反射镜的设计与表征=Designand characterization of Al GaN/GaN distributed Bragg re-flectors[刊,中]/姬小利(南京大学物理系,江苏省光电功能材料重点实验室.江苏,南京(210093)),江若琏…∥激光与红外.—2005,35(11).—888-890设计了反射中心波长为500nm的Al0.3Ga0.7N/GaN和Al N/GaN两种分布布喇格反射镜(DBR),并采用光学传递矩阵方法对其光谱反射率进行了理论上的模拟。采用金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了样品。实际测量的样品反射谱中有明显的反射峰,但峰值波…     

薄膜光学 薄膜材料与器件

O484．1 2005032053 甩迭代Chebyshev方法设计密集型波分复用窄带滤光片= Design of DWDM narrow band filters with iterative Cheby- shev method[刊,中]／王懿喆(中科院上海技物所．上海 (200083)),张凤出∥红外与毫米波学报．-2004,23 (4),-303-307 提出了一种简单而有效的设计方法,即迭代Cheby- shev方法。通过对Chebyshev带通滤光片设计过程的研 究,指出由于多层λ0／4反射堆与原型滤光片的相位特性 差异,造成最终带宽显著变窄。从某个给定的比较大带宽     

光电子技术与器件 光电成像与器件

TH703 2005064334 距离选通成像系统分辨力模拟测试装置的设计=Design of the resolution simulation measurement setup for range- gated imaging system[刊,中]/李丽(北京理工大学信息科 学技术学院光电工程系．北京(100081)),高稚允…∥光学 技术．-2005,31(4)．-545-547,550     

光电子技术与器件 红外技术与器件

P225.2 2004053769 红外相位测距系统精度及误差分析=Accuracy and error analyses for IR phase rangefinder[刊,中]/汪芙蓉(西安应用光学研究所,陕西,西安(710065))∥应用光学。—2003,24(增刊),—19-23 就红外相位测距系统的测距精度及误差来源等,对系统的合理化设计、正确使用及系统检验有非常重要影响的因素进行了定性、定量分析,并提出改进措施。图7(杨妹清)     

光电子技术与器件 射线探测技术与装置

O441．4 2005042976 太赫兹(THz)成像的进展概况=Review of the progress of T-ray imaging[刊,中]／张蕾(首都师范大学物理系,北京 (100037)),徐新龙…／／量子电子学报,-2005,22(2),- 129-134 评述了太赫兹射线成像的进展情况。太赫兹(THz) 辐射介于微波和红外之间。与微波、X射线、核磁共振 (NMR)成像相比,太赫兹成像不仅能给出物体的密度信息,而且能给出频率域的信息,以及在光频、微波和X射线范围内所不能给出的材料的转动、振动信息。太赫兹射线与其他频段的电磁波相比,它能量低,不会造成对生物样     

光学材料 其他

TB381 2005032359 3 mm涂层隐身材料的天线温度模型=Antenna tempera- ture model of 3 mm coating stealth material[刊,中]／缪晨 (南京理工大学毫米波、光波近感技术所．江苏,南京 (210094)),娄国伟…∥红外与毫米波学报．-2004,23 (3)．-221-224 根据电磁场理论导出了3 mm涂层隐身材料的辐射 率,在此基础上建立了涂层隐身材料的辐射计天线温度模     

光电子技术与器件 光能转换与器件

TB3812007043646灰色节能型太阳热反射水性涂料的研制=Preparation ofgray saving-energy waterborne solar heat reflecting coat-ings[刊,中]/郭清泉(广东工业大学轻工化工学院.广东,广州(510640)),李大光…//太阳能学报.?2006,27(12).?1294-1297以灰色涂层为研究目标,通过配     

光电子技术与器件 光探测与器件

TL816．5 2005053713 位置敏感探测器统一结构模型的分析=Analysis of uni- form configuration model of position sensitive detector[刊, 中]／尚鸿雁(北京航空航天大学仪器科学与光电工程学 院．北京(100083)),张广军∥光电工程．-2005,32 (7)．-89-92     

辐射与发光 发光与发光器件

TN312．8 2005053215 GaN基发光二极管芯片提取效率的研究=Study on light extraction efficiency of GaN-based light-emitting diode chips[刊,中]／申屠伟进(清华大学电子工程系,集成光电 子学国家重点联合实验室．北京(100084)),胡飞…∥光电 子·激光．-2005,16(4)．-384-389 基于蒙特卡罗方法模拟分析了限制GaN基发光二极 管(LEDs)芯片光提取效率的主要因素。结果表明,GaN 与蓝宝石之间的较大折射率差别严重限制了芯片光提取 效率的提高,通过蓝宝石背面出光比通过p型GaN层的 正面出光的芯片光提取效率至少高20％;同时,低GaN光 吸收系数、高电极反射率以及环氧树脂封装可以有效地增 加芯片光提取效率,并且LEDs芯片尺寸在400μm以下 时光提取效率较高。图6表3参13(严寒)     

薄膜光学 薄膜材料与器件

TB43 2005010438 紫外波段干涉截止滤光片=Optical filter of interference of cut-off in UV[刊,中]／林永钟(福建师范大学激光研究所．福建,福州(350007))∥福光技术．-2004,26(1)．-17-19 介绍紫外波段干涉截止滤光片的设计、制备工艺及实验结果。图3参2(于晓光) TB43//TN248．4 2005010439 MOCVD生长薄膜材料制作半导体可饱和吸收镜=Saturable absorption mirror grown by MOCVD[刊,中]／王勇刚