光致变色液晶高分子的研究（Ⅰ）—含胆甾介晶基元侧链聚硅氧烷…

用ＰＯＭ、ＤＳＣ和ＷＡＸＤ研究了十一烯酸胆甾酯及含胆甾介晶基元侧链聚硅氧烷的液晶行为。单体呈现胆甾相的油条及螺旋织构，单致变近晶相的扇形织构和固－固相变。均聚物显示ＳＡ相的扇形织构。     

光致变色液晶高分子研究（Ⅲ）──含胆甾介晶基元和偶氮苯光色基元侧链共聚硅氧烷的液晶行为

用热台偏光显微镜、Ｘ射线衍射和ＤＳＣ研究了含胆甾介晶基元和偶氮苯光色基元侧链共聚硅氧烷（ＰＳＩ）的液晶性．将非介晶基元并入液晶均聚物，所得共聚物的液晶态类型不变，仍显示近晶型织构，在ＰＳＩ共聚物中，保持液晶性的含介晶基元单体的最低极限组成为６０ｍｏｌ％．在液晶性存在的范围内，共聚物的清亮点由１３０℃升至１７０℃，液晶共聚物的热稳定性随非介晶组分含量的增加而增强．     

光致变色液晶高分子研究(Ⅳ)─含苯甲酸－4－甲氧基苯酯介晶基元和偶氮苯光色基元侧链共聚硅氧烷的液晶行为

用热台偏光显微镜和DSC法研究了含苯甲酸-4-甲氧基苯酯介晶基元和偶氮苯光色基元侧链共聚硅氧烷(PSⅡ)的液晶性。将非介晶基元并入液晶均聚物PSⅡ-1,共聚物PSⅡ-2、PSⅡ-3的液晶态类型不变,PSⅡ-4仅存在近晶相,PSⅡ-5～8无双折射现象,保持共聚物液晶性的最低含介晶基元单体的极限摩尔含量为80%.在液晶共聚物中,非介晶基组分含量增加时,其T_m、ΔH_m和ΔS_m降低;非介晶组分在10mol%时,T_i、ΔH_i和ΔS_i具有最小值。     

含对甲氧基苯氧羰基偶氮苯基团的侧链液晶高分子的光致变色 …

研究了含对甲氧基苯氧羰基偶氮苯基团的甲基丙烯酸酯单体及其与含对甲氧基苯氧羰基苯基团的甲基丙烯酸酯单体的共聚物的氯仿溶液,二甲基甲酰胺溶液和共聚物薄膜在紫外光诱导下的光导构化及热回复异构化行为。结果表明,它们在紫外光诱导下均能发生光致变色现象,且介质对其光致鸾以行为起决定作用。     

含偶氮苯类星型液晶化合物的光致变色

The photochromism of a new star-like liquid crystal that was written by Si(AZO)4 centered by Si and containing four butoxyazobenzene mesogens in its periphery was described. The quantum yield, photoisomerization and photo back-isomerization of Si(AZO)4 in CHCl3 and THF are studied by UV/Vis absorption spectra. The results indicate that the photochromism and photo back-isomerization of Si(AZO)4 in CHCl3 and THF were in accordance with the first order kinetics. The photochromism and photo back-isomerization rate constants are 10-1 s-1, which are 107 times larger than that of side-chain liquid crystalline polymers containing the same azobenzene moieties. These results indicate that the star-like structure does not significantly affect the photoisomerization activity of the azobenzene mesogen in its periphery. The kt/kc of Si(AZO)4 is less than that of azobenzene mesogen which shows that the Si(AZO)4 has better photo-reversibility. So the star-like liquid crystal has potential applications and will become a new type photocontrolable switch and information functional material.     

端基含4个丁氧基偶氮苯介晶基元光致变色液晶树状物的光化学研究

研究了新化合物含4个丁氧基偶氮苯介晶基元的零代(D0)光致变色液晶树状物在氯仿和四氢呋喃中的吸收光强、最大吸收波长、摩尔消光系数、量子产率、活化能、异构转换率、反-顺光异构化反应速率常数、热回复异构化反应速率常数、光回复异构化反应平衡常数及速率常数．D0的光致变色反应速率常数为10^-1s^-1,而含偶氮基元液晶聚硅氧烷的光致变色反应速率常数为10^-8s^-1,因此液晶树状物D0的光响应速度比后者快10^7倍．     

主链上含有氧化偶氮苯液晶基元的共聚液晶高分子的研究

以4.4′-二羟基氧化偶氮苯和1,10-癸二醇作为含羟基单体,按不同的重量配比,合成了一系列含氧化偶氮苯液晶基元的共聚液晶高分子,改变液晶基元的含量,共聚物相变温度可以调节。     

含氧化偶氮苯介晶基元共聚醚的合成与液晶行为

以1,6-二溴己烷(A)和1,10-二溴癸烷(B)为共缩聚单体,按不同摩尔配比与4,4'-二羟基氧化偶氮苯经相转移催化共聚醚化反应,合成了一系列主链上含有氧化偶氮苯介晶基元的共聚醚,它们均有好的液晶性,其取向膜观察到条带织构,当A/B的摩尔比为1时液晶态范围最宽。     

端基含4个丁氧基苯介晶基元光致变色液晶树状物的合成、结构及液晶性研究

合成了周边含4个丁氧基偶氮苯介晶基元(M5)端基新的零代光致变色液晶树状物(D0),并用元素分析、核磁共振、基质辅助激光解吸飞行时间质谱、红外、紫外、偏光显微镜、差示扫描量热(DSC)和广角X射线衍射法(WAXD)表征.D0显示向列相,与M5相同,树状物相态由介晶基元相态所决定,D0的相行为:K138N147I145N118K.对零代(D0)、一代(D1)、二代(D2)和三代(D3)液晶树状物的清亮焓、清亮熵、熔化焓和熔化熵进行了比较.     

刚性侧链型液晶高分子与含二维液晶基元的液晶高分子

提出了“刚性侧链型液晶高分子”与“含二维液晶基元的液晶高分子”两个新概念。     

二代光致变色液晶树枝状碳硅烷的光化学研究——端基含36个丁氧基偶氮苯介晶基元

研究了新的含36个丁氧基偶氮苯介晶基元的二代光致变色液晶树枝状碳硅烷(D2)在氯仿、四氢呋喃溶液中的光强,吸收光强,摩尔消光系数,最大吸收波长,量子产率,活化能,异构转换率,光回复异构化反应平衡常数,反-顺光异构化反应速率常数,光回复异构化正/逆和热回复异构化反应速率常数.     

三代碳硅烷光致变色液晶树状物的光化学研究——端基含108个4-丁氧基偶氮苯介晶基元

报道了新化合物含108个丁氧基偶氮基元端基的三代(D3)碳硅烷光致变色液晶树状物在各溶液中的反-顺光异构化(光致变色)反应速率常数k_p, 光化学回复异构化正/逆反应速率常数k_t和k_c, 热回复异构化反应速率常数k_H, 光化学回复异构化反应平衡常数k_t/k_c, 活化能E, 异构化转换率及热回复异构化反应中的反-顺异构体组分比. D3的光致变色反应速率常数为10^－1 s^－1, 而含偶氮基元的光致变色液晶聚硅氧烷的光致变色反应速率常数为10^－8 s^－1, 因此, D3的光响应速度比后者快10⁷倍.     

三代碳硅烷光致变色液晶树状物的光化学研究——端基含108个4-丁氧基偶氮苯介晶基元

报道了新化合物含108个丁氧基偶氮基元端基的三代(D3)碳硅烷光致变色液晶树状物在各溶液中的反-顺光异构化(光致变色)反应速率常数k_p, 光化学回复异构化正/逆反应速率常数k_t和k_c, 热回复异构化反应速率常数k_H, 光化学回复异构化反应平衡常数k_t/k_c, 活化能E, 异构化转换率及热回复异构化反应中的反-顺异构体组分比. D3的光致变色反应速率常数为10^－1 s^－1, 而含偶氮基元的光致变色液晶聚硅氧烷的光致变色反应速率常数为10^－8 s^－1, 因此, D3的光响应速度比后者快10⁷倍.     

偶氮苯和氧化偶氮苯液晶基元侧链聚硅氧烷液晶的合成和性能研究

利用侧链带酰氯基的聚硅氧烷与取代偶氮苯酚进行大分子反应,合成了6种以偶氮苯氧羰基为侧链的聚硅氧烷Ⅲ_a-f;将其中的Ⅲ_a-c进行氧化,得到3种以氧化偶氮苯氧羰基为侧链的聚硅氧烷Ⅳ_a-c聚合物结构通过核磁共振、红外光谱和元素分析表征,利用偏光显微镜和差热分析仪研究了聚合物的相行为.讨论了苯环上取代基和液晶基元的中心桥键对聚合物液晶性能的影响.     

含对甲氧基苯氧羰基偶氮苯基团的侧链液晶高分子的光致变色性能研究

研究了含对甲氧基苯氧羰基偶氮苯基团的甲基丙烯酸酯单体及其与含对甲氧基苯氧羰基苯基团的甲基丙烯酸酯单体的共聚物的氯仿溶液、二甲基甲酰胺溶液和共聚物薄膜在紫外光诱导下的光异构化及热回复异构化行为。结果表明,它们在紫外光诱导下均能发生先致变色现象,且介质对其光致变色行为起决定作用。     

光致变色液晶高分子的研究(Ⅰ)─含胆甾介晶基无侧链聚硅氧烷及其单体的液晶行为

用POM、DSC和WAXD研究了十一烯酸胆甾酯及含胆甾介晶基元侧链聚硅氧烷的液晶行为。单体呈现明甾相的油条及螺旋织构,单致变近晶相的扇形织构和固-固相变。均聚物显示S_A相的扇形织构。     

含硝基偶氮苯侧基的丙烯酸酯液晶聚合物的合成,结构与性…

以含硝基偶氮苯侧基的丙烯酸酯液晶聚合物为研究对象，利用ＤＳＣ、ＷＡＸＤ、偏光显微镜等手段研究了分子结构对侧链液晶聚合物结晶行为的影响。结果表明：丙烯酸酯类液晶聚合物的晶区是由介晶基团的规整排列形成的，大分子主链和柔性间隔基不参与结晶。随着柔性间隔基长度的增加，晶区分子排列有序性提高，结果度增大；非晶共聚组分ＭＡ含量的增加，限制了介晶基团的有序排列，当ＭＡ含量超过８３％后，只得到非晶共聚物。     

三代树状碳硅烷液晶研究——端基含丁氧基偶氮苯介晶基元

用发散法合成周边含丁氧基偶氮苯介晶基元(M5)端基新的三代树状碳硅烷(D3) 液晶,并用元素分析,核磁共振,激光解吸电离飞行时间质谱(MALDI-TOF-MS),红外、 紫外、偏光显微镜、差示扫描量热（DSC）和广角X射线衍射（WAXD）表征，D3为向 列相与M5相同，树状物相态由介晶基元相态决定，D3相行为；K79N1261116N，D3熔 点比M5降低33℃，D3清亮点比M5增加2℃，D3液晶态温区比M5加宽35℃。