共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
3.
4.
利用飞秒脉冲激光和泵浦 探测技术测量了金属超微粒子 半导体复合薄膜Ag-BaO的瞬态光学透过率随延迟时间的变化曲线,观察到了薄膜对光的吸收漂白现象,并在不到2ps时间内恢复.该现象是薄膜中金属超微粒子内费密能级附近电子被飞秒激光脉冲激发,产生非平衡电子而经历瞬态弛豫造成的.弛豫主要包括非平衡电子越过超微粒子和周围介质的界面位垒进入周围介质,以及非平衡电子同晶格和界面的散射两种过程.超微粒子粒径的差别会引起非平衡电子弛豫时间的差别
关键词: 相似文献
5.
本文阐述了薄膜型热释电探测器原理及其薄膜的制备方法,进一步分析、整理了薄膜制备过程中的条件及参数。 相似文献
6.
7.
本文研究了PECVD抗反射膜SiN的热退火特性。测量结果表明,经过制备GaAs透射光阴极的热压粘结工艺的热退火处理SiN薄膜的折射率增加了约0.1,薄膜厚度减少了约15%.IR透射谱分析表明,这是由于退火后膜中H的释放而引起化学键比例变化所致。此项工作为透射式GaAs光阴极抗反射膜的设计和制备提供了依据。 相似文献
8.
9.
10.
11.
12.
研究衬底偏置机理。在低温偏压衬底下,用三极反应溅射法镀制出在可见光区透射率为83%的ITO膜。测试低温负偏置衬底法与高温无偏置衬底法镀制ITO膜的光谱特性,发现两者在红外区有相似变化。确定出氧分压范围在(5~7)×10~(-3)Pa。 相似文献
13.
14.
用电子自旋共振实验研究La0.65Ba0.35MnO3(LBMO)薄膜的磁性,从磁性膜的各向异性铁磁共振谱得到不同角度θh时的共振磁场Br,求出样品的等效磁场Beff及旅磁比γ,并通过样品的饱和磁化强度Ms,求出各向异性常数K. 相似文献
15.
根据能量平衡原理,导出了脉冲激光作用靶材的烧蚀率公式,并根据流体动力学理论,得出了脉冲激光产生的等离子体的空间运动特性方程,将靶材烧蚀率公式与等离子体空间动力学方程结合起来,根据实验研究了不同激光功率密度和波长对Kta0.65Nb0.35O3(KTN)薄膜沉积特性的影响,得到了一些有价值的结果,并对结果进行了详细的讨论,理论计算结果与实验大体符合.
关键词:
PLD技术
烧蚀率
等离子体
KTN薄膜 相似文献
16.
17.
本文详细测试了用RF-PECVD法制备的非晶硅碳薄膜发光二极管的光强电流特性和温度对器件发光强度的影响.在直流电流驱动下,器件的发光在注入电流1A/cm2左右趋于饱和,而在低占空比的脉冲电流驱动下器件的发光直至注入电流20A/cm2仍随电流近似线性增长,但提高环境温度发光随之下降.结合对器件受热情况分析表明,热致猝灭而非场致猝灭导致了器件在大电流下的发光饱和,并简要提出了改进器件散热的措施. 相似文献
18.
19.
复合绝缘层交流薄膜电致发光显示屏的综合设计 总被引:2,自引:1,他引:1
本文从交流薄膜电致发光(ACTFEL)显示屏的稳定性与可靠性角度出发,兼顾其发光亮度以及驱动电路对屏的RC响应的要求,对ACTFEL矩阵屏的结构进行了综合优化设计.从理论上分析了复合绝缘层SiO2/Ta2O5击穿方式的转变条件并计算了其合理的厚度比例及ZnS:Mn发光层的厚度和衬底ITO方块电阻的取值范围.通过实验对理论结果进行了验证,并在理论设计的指导下研制了640×480(10英寸)ZnS:MnACTFEL单色计算机终端显示器. 相似文献
20.
LARGE AND EXTREMELY FAST THIRD-ORDER NON-LINEARITY OF Ag NANOPARTICLES EMBEDDED INTO A CsxO SEMICONDUCTOR MATRIX 下载免费PDF全文
Zhang Qi-feng Shao Qing-yi Hou Shi-min Zhang Geng-min Liu Wei-min Xue Zeng-quan Wu Jin-lei Wang Shu-feng Liang Rui-sheng Huang Wen-tao Wang Dan-ling Gong Qi-huang 《中国物理》2001,10(13):65-69
The third-order optical nonlinearity of Ag-O-Cs thin films, where Ag nanoparticles are embedded into a CsxO semiconductor matrix, was measured by the femtosecond optical Kerr technique. The third-order nonlinear optical susceptibility, χ(3), of the thin films was estimated to be 1.1×10-9 esu at the incident wavelength of 820 nm. The response time, i.e. the full width at half-maximum of the Kerr signal, is as fast as 114 fs only. The intrinsic third-order optical nonlinearity can be attributed to the intraband transition of electrons from the occupied state near the Fermi level to the unoccupied state. It is suggested that such a nonlinearity is further enhanced by the local field effect that is present in the metallic nanoparticles composite thin films. 相似文献