首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
Limiters play a number of roles in the tokamak operation. It serves primarily to protect the wall from the plasma when there are disruptions, runaway electrons, or other instabilities and also the limiters localize the plasma–surface interaction. In this research, we presented the first results of movable limiter experiments and its effects on the tokamak plasma confinement. For this purpose, we designed, constructed, and installed a movable localized poloidal limiter, and then measured the effects of limiter position on the time intervals of plasma parameters such as plasma density, temperature, and energy confinement time. The results of effects of the movable limiter experiments on plasma confinement.  相似文献   

2.
A hot limiter biasing system with a simplified fast switch circuit was designed, constructed, and installed on the IR-T1 tokamak, and then the negative voltage applied to a hot limiter inserted inside the tokamak fixed limiter and the plasma current, poloidal, and radial components of the magnetic fields, loop voltage, diamagnetic flux, and the ion saturation currents in the absence and presence of the biased limiter were measured. Results of measurements of biasing effects on the plasma equilibrium behavior and edge plasma rotation are compared and discussed.  相似文献   

3.
在HT-7装置上采用红外热像仪测量了活动限制器的表面温度,显示了第一壁温度与等离子体水平位移、波加热参数的关系,一定程度上反映了等离子体与壁相互作用的程度。采用ANSYS计算了活动限制器表面大致的能流分布,其结果与方法可为EAST装置等第一壁温度的测量和能流的计算分析提供一定的参考。  相似文献   

4.
波导等离子体限幅器中气体的选择与触发条件计算   总被引:2,自引:1,他引:1       下载免费PDF全文
 为保护电子设备不受高功率微波损坏,在矩形波导中嵌入等离子体限幅器。计算了不同气体的微波击穿场强随气体压强以及微波频率的变化规律。在高气压条件下(1 333~133 320 Pa),气体击穿场强随气压增大而增大,在计算的4种气体中Ne的击穿场强最小;低气压条件下(1.333 2~133.32 Pa),气体击穿场强随气压增大而减小,且Xe具有最小击穿场强。高气压条件下气体的击穿场强明显高于低气压下的击穿场强。计算结果表明:当填充133.32 Pa的Xe时,限幅器能够在约30 km范围内,有效地防护10 GW级高功率微波对电子设备的损坏。  相似文献   

5.
为考察溢流孔结构几何参数及壁面电导率对液态锂流动的影响,通过数值模拟方法对不同尺寸、形状及壁面电导率的溢流孔中液态锂的流动进行了数值模拟。结果表明:溢流孔的截面宽度越小,其出口的速度分布越均匀,速度峰值也越小,但溢流孔进出口之间的压力降会显著增加;且随着壁面电导率增大,MHD压降也随之增大。对于圆形及椭圆形截面的溢流孔,其出口的速度分布远比矩形溢流孔均匀。另外,关于限制器热平衡的计算有助于保证限制器的安全稳定运行。结果对分配盒几何参数的设计、电磁泵及冷却系统的设计具有重要的指导意义。  相似文献   

6.
7.
为保护电子设备不受高功率微波损坏,在矩形波导中嵌入等离子体限幅器。计算了不同气体的微波击穿场强随气体压强以及微波频率的变化规律。在高气压条件下(1 333~133 320 Pa),气体击穿场强随气压增大而增大,在计算的4种气体中Ne的击穿场强最小;低气压条件下(1.333 2~133.32 Pa),气体击穿场强随气压增大而减小,且Xe具有最小击穿场强。高气压条件下气体的击穿场强明显高于低气压下的击穿场强。计算结果表明:当填充133.32 Pa的Xe时,限幅器能够在约30 km范围内,有效地防护10 GW级高功率微波对电子设备的损坏。  相似文献   

8.
HL-2M 装置设计有 8 套固定极向限制器和 1 套活动极向限制器,其主要功能是进一步加强保护真空 室及其内部件,同时活动限制器还将提供不同孔栏位形用于等离子体物理实验。根据 HL-2M 装置总体运行需求, 活动限制器结构设计可移动有效距离为 120mm,活动限制器移动精度可控制在±0.1mm 以内。基于激光跟踪仪测 量方法对 HL-2M 装置限制器系统完成了高精度的安装,限制器的面向等离子体关键位置安装精度优于±0.5mm, 通过初始等离子体放电实验表明其运行状态均正常。   相似文献   

9.
为了实现HL-2A 装置孔栏位移自动控制,根据步进电机的应用原理,设计了孔栏位移自动控制系统。选用两相混合式步进电机,采用S7- 300PLC 作为主控制器,FM453 作为步进电机的定位模块,实现了对孔栏步进电机的驱动、控制与检测。同时完成了与上位机的通信,实现了对HL-2A 装置孔栏位移设置和数据显示等功能。  相似文献   

10.
系统地介绍了 HL-2M 装置上软 X 射线阵列系统的工程概念设计、组成部分、关键工艺和技术研制 等。根据 HL-2M 装置的特点(如高温烘烤,真空室空间不足等),在该系统前置放大器设计中采用了很低的失调电 压和超低的偏置电流的高速宽带放大电路来降低暗电流和噪声,使得系统适用于较长距离传输的光电前置放大场 合,从而首次实现了前置放大器外置于真空室的安装布局。该放大器将大大增强整套软 X 射线阵列系统在高温烘 烤条件下的可靠性。   相似文献   

11.
本文研究了slide-away放电条件下的等离子体约束性能;分析了充气对等离子体约束性能以及反常多普勒共振不稳定性的影响.研究了等离子体密度的提升对slide-away放电过程中逃逸电子辐射行为的影响.研究结果发现:slide-away放电充气可以抑制逃逸电子反常多普勒不稳定性,但是使得等离子体约束状态变差,逃逸电子辐射增强.  相似文献   

12.
焦一鸣  周艳  姚良骅  董家齐 《物理学报》2004,53(4):1123-1128
讨论并研究了超声分子束在托卡马克等离子体中的消融和穿透问题,其中包括了分子束的绝热膨胀,团簇的形成和解离,束的静电屏蔽效应和冷通道效应.研究结果表明,在考虑了这些效应以后数值得到的结果与实验结果相近.这些研究对于更好地理解超声分子束与等离子体的相互作用和优化设计加料系统有一定作用. 关键词: 超声分子束 加料 托卡马克等离子体 消融和穿透  相似文献   

13.
介绍了EAST托卡马克逆磁线圈加补偿线圈的逆磁测量。该方法的优点是补偿线圈有效地消除了纵场线圈产生的磁通变化,而调节机构能降低来自极向场的误差信号。详细地叙述了逆磁线圈工程设计中考虑的材料选择和结构设计对逆磁线圈的影响。最后给出了次测量系统的误差分析。  相似文献   

14.
J-TEXT装置由许多相关子系统组成,其中央控制系统的主要功能和作用是统一调度和协调各个子系统,控制装置的运行状态。J-TEXT中央控制系统是基于Windows和QNX操作系统平台,并采用工业控制计算机结合PCI工业控制卡来实现的。该系统已经完成了相关测试并获得满意结果。在首轮的J-TEXT放电调试中,该系统运行稳定可靠,控制效果良好。  相似文献   

15.
在复杂电磁环境下,当电子学系统的关键器件遭受功能或物理损伤而发生非线性效应时,会导致电子学系统的探测性能下降,严重时可能使系统无法实现预期的功能。以一种对地成像雷达的限幅器为对象,研究了限幅器损伤后的非线性特性信号模型构建方法,较为深入地研究了它对雷达信号处理的影响。理论和仿真分析结果表明,典型电子学系统在关键器件发生非线性变化的情况下,会明显降低成像雷达的性能,如成像不能聚焦和分辨率下降等。  相似文献   

16.
脉冲宽度对PIN限幅器微波脉冲热效应的影响   总被引:1,自引:4,他引:1       下载免费PDF全文
通过数值求解半导体方程组仿真了高功率微波脉冲作用下的PIN二极管,研究了高功率微波脉冲的脉冲宽度对其烧毁的影响。发现脉冲宽度在ns至μs量级时,脉冲功率随脉冲宽度上升而下降,并且近似成反比。在此基础上,基于PIN二极管的Leenov模型和电路的戴维南定理对其机理进行了分析。在脉冲宽度由ns向μs量级变化中,器件热效应由绝热加热转为有热传导的加热;与此同时,其实际吸收功率由与入射功率成正比转为与入射功率开方成正比;此二者共同作用导致了脉冲宽度对烧毁影响。  相似文献   

17.
在HT-7装置上建立了一套高速CCD可见光成像诊断,测量了边界等离子体的可见光辐射成像。在HT-7装置放电中,首次观察到在等离子体边界区域存在一条极向旋转的可见光辐射带,由CCD诊断系统得到其极向旋转的频率为858Hz。根据多道Hα阵列测量得到极向旋转频率为952Hz。多道磁探针信号测量发现,等离子体内部存在m/n=3/1的电磁模,该模的旋转频率为972Hz。从电子回旋辐射诊断系统得到的电子温度剖面发现该模的磁岛宽度约为2.5cm。  相似文献   

18.
在核聚变实验中, 积分器是还原微分信号的基本手段,低漂移积分器系统的研制是托卡马克实验中 的重要环节。介绍了用于 HL-2M 装置磁测量的低漂移积分器系统。通过模拟与数字补偿相结合的方法减小漂移, 提高了信号间的测量精度。性能测试显示,积分器输出漂移小于 2mV/15s,积分时间常数精度优于 0.3%。该积分 器应用于 HL-2M 装置实验,满足磁测量系统的测量需要。  相似文献   

19.
通过数值求解半导体方程组仿真了高功率微波脉冲作用下的PIN二极管,研究了高功率微波脉冲的脉冲宽度对其烧毁的影响。发现脉冲宽度在ns至μs量级时,脉冲功率随脉冲宽度上升而下降,并且近似成反比。在此基础上,基于PIN二极管的Leenov模型和电路的戴维南定理对其机理进行了分析。在脉冲宽度由ns向μs量级变化中,器件热效应由绝热加热转为有热传导的加热;与此同时,其实际吸收功率由与入射功率成正比转为与入射功率开方成正比;此二者共同作用导致了脉冲宽度对烧毁影响。  相似文献   

20.
基于反馈技术设计了一款带宽2.7MHz、高线性度、低传输延时的光耦合隔离放大器,仿真分析了 I-V 转换电路补偿电容对电路频率特性的影响,并选择了合适的电路参数。将部分寄生参数考虑在内,建立了电路数学模型,仿真、测试与理论分析相结合研究了电路的线性度与频率特性。基于J-TEXT 装置静电探针悬浮电位测量系统验证了电路在系统中的可用性。  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号