气体介质对多间隙气体开关电晕均压与自击穿特性的影响

快脉冲直线变压器型驱动源（FLTD）是近年来快速发展的新型脉冲功率源技术,多采用多间隙气体开关作为开关器件。电晕均压措施有利于提升开关击穿性能,但不同气体中电晕放电有显著区别。本文首先研究了空气中针电极对单间隙电晕放电特性的影响,确定了电晕针电极的尺寸,之后研究了N₂,CO₂,SF₆/N₂混合气体、C₄F₇N/N₂混合气体中的电晕放电特性,研究了电晕均压6间隙气体开关击穿电压及其稳定性随气体种类和气压的变化规律。实验结果表明,N₂中电晕电流较大且不稳定,空气中电晕电流比N₂中低,且电晕放电较为稳定,微量强电负性气体加入会极大降低电晕放电电流。当采用空气和N₂作绝缘介质时,气体开关击穿电压随气压升高线性增加,但存在低值击穿,微量强电负性气体混合N₂可显著提升击穿电压的稳定性。1%SF₆/99%N₂混合气体在0.18 MPa时,击穿电压约为197.33 kV,标准偏差占击穿电压比例为1.50%,1% C₄F₇N /99%N₂混合气体在0.15 MPa时,击穿电压约为190.42 kV,标准偏差为0.55%。这表明,微量环保替代气体C₄F₇N与N₂的混合气体对于提升多间隙气体开关击穿电压稳定性有显著作用。     

脉冲气体放电管特性测量实验

用TDS210型存贮示波器测量了脉冲气体放电管(闪光灯)的放电特性，同时用PIN型硅光电池测量脉冲光的波形，测量了它们之间的延迟，并计算了脉冲气体放电管的动态电阻，讨论了放电过程从触发到结束的物理图象．     

空间放电辐射脉冲的探测与定位

提出一种基于辐射场窄带测试的空间放电辐射信号探测系统,系统主要由8路定向性天线阵、高增益接收前端以及数据处理单元构成。基于该探测系统建立了空间平面4元阵列定位模型,研究了空间放电辐射源位置快速搜索算法,并对定位精度进行了试验验证。实验结果表明,该系统能对1 km以内的空间放电辐射源进行探测,阵元尺寸为10 m的空间平面4元阵列的距离定位误差小于2.5%。该探测定位系统可以用于复杂电磁环境下空间放电源位置的确定。     

气体放电等离子体特性测量I-V曲线不对称性的研究

利用气体放电双探针法研究了等离子体的I-V曲线中的电流I相对于电压V轴交点的不对称性,并提出2种可能的解释:一认为是由于两探针表面积不同引起的;二认为是由于探针所在处等离子体电位不等引起的.本文利用仪器的工艺误差和调换放电管电压的方法,对提出的2种可能原因分别进行验证,并指出第二种解释的合理性,并对其进行了理论分析.     

An improvement of high voltage power supply for pseudospark discharge

An analysis of the high voltage power supply removing the Pulse Forming Line (PFL) is presented in this paper. This is an important improvement to make a desktop free electron laser with about one meter length instead of an original device length of 5.5 meters and to realize other applications of the new beam source of pseudospark discharge at high voltage of 200kV and a current of 2kA.     

电晕均压多间隙串联气体开关特性实验

研制了一种电晕放电均压的小型多间隙串联气体开关,分析了电晕放电在开关工作过程中的作用,开展了开关自击穿特性、电晕放电伏安特性、针尖烧蚀以及开关寿命测试等特性实验。结果表明：老练后开关自击穿电压标准偏差小于3.5%,电晕均压效果明显;随着放电次数增加,电晕针尖逐渐钝化,触发性能变化不大;开关电晕放电电流随耐受电压升高增大,增长趋势逐渐变快;开关充400 kPa干燥空气,100 kV工作电压下开关放电50 000次以上,触发性能稳定,触发击穿时延抖动约4.3 ns,自放电概率低于110-4。     

Radiation hardness of COTS EPROMs and E2PROMs

This paper examines and compares the effects of exposing commercial, off the shelf erasable programmable read-only memory (EPROM) and electrically erasable programmable read-only memory (E²PROM) components to gamma rays. Results obtained for CMOS-based EPROM (NM27C010) and E²PROM (NM93CS46) components provide evidence that EPROMs have a greater radiation hardness than E²PROMs. Moreover, the changes in EPROMs are reversible, and after erasure and reprogramming all EPROM components restore their functionality. On the other hand, changes in E²PROMs are irreversible. The obtained results are analyzed and interpreted on the basis of gamma ray interaction with the CMOS structure.     

用于红外单光子探测的雪崩光电二极管传输线抑制电路模型的理论分析

结合利用雪崩光电二极管(APD)进行红外单光子探测电路模型的工作原理和特点以及传输线瞬态电脉冲产生的过程,提出了将传输线瞬态过程脉冲发生电路模型用于APD雪崩抑制的一种新方法,该方法可以实现利用APD门模工作方式进行红外单光子探测的过程.主要从理论上计算了红外单光子信号入射APD时,传输线脉冲发生电路模型中负载电阻输出电脉冲的特点,讨论了传输线终端不同边界条件对输出电脉冲的影响,通过理论计算确定了这种利用APD进行红外单光子探测新模型的电路结构与参数,证明了该电路模型用于红外单光子探测APD门模工作方式的 关键词： 红外单光子探测技术 雪崩光电二极管(APD) 抑制电路 传输线瞬态过程     

埋氧注氮工艺对部分耗尽SOI PMOSFET顶栅氧的辐射硬度的影响

研究了埋氧注氮对部分耗尽SOI PMOSFET顶栅氧的总剂量辐射硬度所造成的影响。注入埋氧的氮剂量分别是8×1015 , 2×1016 和1×1017cm-2。实验结果表明，辐照前，晶体管的阈值电压随氮注入剂量的增加向负方向漂移。在正2V的栅偏压下，经5×105 rad(Si)的总剂量辐照后，同埋氧未注氮的晶体管相比，埋氧注氮剂量为8×1015 cm-2的晶体管呈现出了较小的阈值电压漂移量。然而，当注氮剂量高达2×1016 和 1×1017cm-2时，所测大多数晶体管的顶栅氧却由于5×105 rad(Si)的总剂量辐照而受到了严重损伤。另外，对于顶栅氧严重受损的晶体管，其体-漏结也受到了损伤。所有的实验结果可通过氮注入过程中对顶硅的晶格损伤来解释。     

极板电压与间距对大气压射频氩等离子体放电参数的影响

基于1维流体力学模型,对大气压射频裸露金属电极氩气放电过程进行了研究。模型中考虑了氩等离子体放电过程中主要发生的激发和电离等7个反应过程,对等离子体反应产生的主要粒子,包括电子、氩原子离子Ar+、氩分子离子Ar2+和氩激发态Ar*等,建立连续性方程、动量方程和电流平衡方程。分析了极板电压、极板间距对上述粒子数密度分布的影响。给出了电子,Ar+,Ar*和Ar2+密度随极板电压及间距变化的时空演化过程。得出极板电压或极板间距的改变会使放电空间的电场发生改变,对应一定的极板间距,极板电压有一个最佳值,极板电压和间距的变化会使对应的极板间有一个最佳电场值,而对应最佳电场有一个等离子体气体间最佳反应系数,从而使放电空间粒子数密度发生改变。     

空气放电模式下静电放电模拟器瞬态电流峰值与上升时间的关系

使用2种静电放电模拟器,在空气放电模式下以任意速度向靶运动并进行放电,同时测量瞬时放电电流波形,考察放电电流上升时间与峰值电流的关系.结果发现,峰值电流和充电电压的比值与放电电流的上升时间存在着指数关系：Iptr^ξ/Vc=const..     

Numerical and theoretical calculation of breakdown voltage in the electrical discharge for rare gases

This work has been devoted to a numerical and analytical calculus of the voltage breakdown in electrical discharge for several rare gases such as argon, krypton, neon, xenon and helium. It was performed using a fluid model 2D, which is based on the numerical solution of the two Boltzmann equations (equation of continuity and momentum), coupled to Poisson's equation to measure the breakdown voltage according to the product of the electrode spacing and the pressure. This study allowed a better comprehension of the physical phenomena occurring in the discharges. We, thus, developed a calculation, based on the empirically Paschen's law, allowing the determination of the breakdown voltage, which describes the transition from insulating gas to the conductive state. Paschen's curves of the different gases are plotted and a comparison between numerical and experimental as well as analytical results is also presented and analyzed.     

多间隙气体开关电晕均压结构优化

电晕针均压的多间隙气体开关,其各间隙电晕电流一致性会直接影响开关的耐压稳定性。在工作气压0.1,0.2,0.3,0.4 MPa条件下,实验测量了六间隙气体开关在不同电压下的各间隙电晕电流。结果显示,针-板间隙电晕电流明显高于针-杆间隙电晕电流。对针-板间隙进行结构调整并进行三维静电场仿真。对调整结构后的针-板间隙进行电晕电流测试,测试数据的变化趋势与仿真结果相符。基于实验和仿真结果,优化了针-板间隙中电晕针的高度,充电25 kV时,开关各间隙电晕电流的相对标准偏差最大为8%。     

多间隙气体开关绝缘子寿命

针对设计的一种堆栈式结构多间隙气体开关,分析了绝缘子污染对开关寿命的影响机理。对绝缘子表面电场分布进行了模拟计算,实验研究了绝缘子污染对开关自击穿电压的影响,得到了开关自击穿电压和绝缘子表面绝缘电阻的变化规律,开关在放电电流32 kA实验条件下工作13 000次后,自击穿电压平均值由171.5 kV降低至130.8 kV,绝缘子表面绝缘电阻由200 G下降至22.6 G,绝缘子已无法正常使用。同时提出了提高绝缘子抗污染能力、延长绝缘子寿命的措施和方法。     

多间隙气体开关绝缘子寿命

针对设计的一种堆栈式结构多间隙气体开关,分析了绝缘子污染对开关寿命的影响机理。对绝缘子表面电场分布进行了模拟计算,实验研究了绝缘子污染对开关自击穿电压的影响,得到了开关自击穿电压和绝缘子表面绝缘电阻的变化规律,开关在放电电流32 kA实验条件下工作13 000次后,自击穿电压平均值由171.5 kV降低至130.8 kV,绝缘子表面绝缘电阻由200 G下降至22.6 G,绝缘子已无法正常使用。同时提出了提高绝缘子抗污染能力、延长绝缘子寿命的措施和方法。     

氦,氢,氮空心阴极放电的真空紫外辐射特性

介绍了一种水冷、陶瓷封接结构的空心阴极放电装置.研究了He、H_2、N_2在120nm～20Onm范围内该装置的真空紫外辐射特性,获得了100～600mA电流范围内的辐射强度与放电电流的关系,以及充气气压变化对它的影响.实验表明:在实验条件下,主要发射谱线为氮的原子线和氦的离子线;辐射谱线强度在0.03～0.72mW·cm~(-2);气压改变时,N_2、H_2辐射强度有一极大值,而He的离子线辐射强度则出现二个极大;在He/H_2混合气体放电时,随着He的加入,氢分子带光谱有明显下降.     

氢气放电源和X光机X射线源打靶谱的研究

用氢气放电源打靶的方法,测到了系列的谱线.为了鉴别这些谱线,进行了X光机X射线源打靶实验和两种源打靶的对比实验.实验结果表明:在X光机X射线源打靶谱中,除靶材料的特征X射线和两条源谱线外,还存在两种谱线:一种是能量变化的谱线,根据不同衍射角θ和测量角φ的实验结果,及打多晶体靶和非晶体靶的实验事实,表明这种能量变化的谱线是衍射线;另一种是能量恒定不变的谱线.氢气放电源和X光机X射线源打靶谱的对比实验结果表明:两种源打靶谱自洽.这说明和X光机X射线源打靶谱一样,氢气放电源打靶谱中那些能量变化的谱线是衍射线.但     

Comparative investigation of resistance and ability to trigger high voltage discharge for single and multiple femtosecond filaments in air

A comparative investigation of resistance and ability to trigger high voltage (HV) discharge for single filament (SF) and multiple filaments (MF) has been carried out. The experimental results show that the trend of the breakdown threshold of the SF exactly follows that of its resistance, but this is not the case for the MF. The MF's resistance is much smaller than SF's. However, the MF shows a bit higher HV breakdown threshold than the SF. The underlying physics is that the measured resistance of the MF is collectively contributed by every filament in the MF while the HV breakdown threshold is determined by only one single discharging path.     

DFB激光二极管电流-温度调谐特性的解析模型

从DFB型激光二极管调谐机理出发,提出了电流-温度调谐特性的解析模型,通过实验测量结果辨识出模型参数,将模型应用于四个不同厂家的DFB型二极管激光器,得到激光器电流-温度调谐的解析模型;将模型预测值与实验测量值比较,相关系数均在0.9999以上.同时,利用CO₂气体的多个吸收谱线测量激光的波长,验证了解析模型的预测波长值,与HITRAN谱库中CO₂气体吸收波长的误差在3 pm内.解析模型能够精确预测激光器在快速调谐过程中的瞬态输出波长,其精度能够满足光谱分析、光 关键词： DFB激光二极管 调谐机理 解析模型 电流调谐和温度调谐     

Comparative investigation of the resistance and ability to trigger high voltage discharge for single and multiple femtosecond filaments in air

A comparative investigation of the resistance and ability to trigger high voltage(HV) discharge for a single filament(SF) and multiple filaments(MFs) has been carried out.The experimental results show that the trend of the breakdown threshold of the SF exactly follows that of its resistance,but this is not the case for the MF.The MF’s resistance is much smaller than the SF’s.However,the MF shows a slightly higher HV breakdown threshold than the SF.The underlying physics is that the measured resistance of the MF is collectively contributed by every filament in the MF while the HV breakdown threshold is determined by only one single discharging path.