空气稳定的氮杂蔻电子传输材料分子设计及三氮杂蔻衍生物迁移率计算

采用密度泛函理论研究氮功能化对蒄类化合物几何构型、电子结构及载流子传输性质的影响. 结果表明, 引入杂N原子可以线性降低前线轨道能级, 增强电子注入能力与空气稳定性, 且邻位掺杂较迫位和均匀掺杂调节效果更为显著. 其中, 十二氮杂蒄（12ac）具有新颖的“碗状”构型和高的电子亲和势（3.45 eV）, 是潜在的空气稳定电子传输材料构筑单元. 理论预测室温下2,6,10-三对甲氧基苯基-3,4,7,8,11,12-六甲氧基三氮杂蒄（3b）晶体的电子迁移率为0.242 cm2/V s, 预计是良好的电子传输材料, 值得进一步器件化研究.     

用于电子传输材料的含噻吩环噁二唑衍生物的合成(英文)

在有机电致发光器件研究中,电子传输材料占有特殊重要的地位。但现存的材料存在着不同的缺点。因噁二唑环的高的电子亲和性,噁二唑衍生物是常见的电子传输材料,如:2-(4- 叔丁苯基)-5-联苯基噁二唑(PBD),但容易结晶和低的电子亲和性限制了它的应用。为了得到新的有效的电子传输材料,本文以噻吩为起始反应物经过二碘代、羧酸化、酯化、氨解等步骤合成了噻吩二酰肼,再通过噻吩二酰肼与相应的取代苯甲酰氯缩合、关环的方法将富电子的噻吩环和高电子亲和性的噻吩环同时引入,合成了三种新的含噻吩环噁二唑衍生物2,5-双[2,2’-双(5-取代苯基)-1,3,4-噁二唑]噻吩(R-OXD R=H,OCH_3,CH_3)。同时,采用循环伏安法对其电化学性能进行了测定。这三种化合物都在负方向出现了-对可逆的氧化还原峰,由此得到其电子亲和势(EA)分别为-3.10eV,-3.07eV和-3.08eV,其EA值都高于常用的电子传输材料PBD。R-OXD的高电子亲和势有利于电子从阴极注入。并且由时间渡越法(TOF)测得R-OXD的电子迁移率达到10~(-4)cm~2/V.S(E=10~6V/cm)。所以R-OXD有可能是好的电子传输材料。     

制备二氮杂冠醚和三氮杂冠醚的新方法

以糖精为原料合成二氮杂冠醚和三氮杂冠醚。使糖精与二甘醇或三甘醇二氯化物和N,N-二(β-氯乙基)丁胺的DMF溶液在少量碘化钾存在下烃化、氨解,再用二甘醇或三甘醇的二对甲苯磺酸酯烃化生成保护的冠醚环。后者与20％盐酸作用除去保护基生成游离的环体。此法合成路线短原料价廉易得。二氮杂18-冠-6总产率37％左右。     

三氮杂大环及其衍生物的合成与其生物活性

合成了一种新的1,4,7-三氮杂十环配体及其4种衍生物,通过元素分析,IR,1HNMR和MS光谱对其结构进行了表怔。用人癌细胞Hela 和 HCT26对合成的目标化合物进行了生物活性研究,结果表明,所合成的化合物都有一定的抗肿瘤活性,并呈剂量效应关系,其中化合物4作用后的HCT26细胞呈现变性坏死的形态学改变,可明显诱导HCT26肿瘤细胞凋亡。     

多羟基氮杂茋衍生物的化学合成

多羟基氮杂茋衍生物的化学合成;氮杂茋;氯甲基吡啶;合成     

新型氮杂蒽醌衍生物的设计、合成及抗肿瘤活性

以氮杂蒽醌为母核结构,通过引入卤素和氨基侧链,设计并合成了4种新型的氮杂蒽醌衍生物（AQ-1~4）。其中,以异喹啉为起始原料,依次经氧化,脱水和傅克环酰化反应,制得6,9-取代苯并[g]异喹啉-5,10-蒽醌卤代衍生物（AQ-1和AQ-2）; AQ-F与胺类化合物发生芳环亲核取代反应,合成了6,9-二取代苯并[g]异喹啉-5,10-蒽醌衍生物（AQ-3和AQ-4）,其结构经¹H NMR, ¹³C NMR和HR-MS（ESI）表征。采用CCK-8法研究了AQ-1~4对人肺癌细胞（A549）,人乳腺癌细胞（MCF 7）和人宫颈癌细胞（Hela）的体外抗肿瘤活性。结果表明：AQ-4的抑制活性最好,IC₅₀分别为14.84 μmol·L^-1, 10.36 μmol·L^-1和10.55 μmol·L^-1。     

卤素及三卤甲基侧取代氮、硫杂冠化合物的电子结构

用ＡＭ１ 方法计算了２０ 个卤素及三卤甲基侧取代氮、硫杂冠化合物分子的电子结构。结果表明,这类杂冠化合物分子的总能量,最高占据分子轨道能量,杂冠醚环中氧、氮原子的电荷分布和空腔大小呈现出一定的规律性。它们对于络合过渡金属具有较强的选择性。     

光诱导单电子转移反应合成硫杂、氮杂冠醚

合成了以邻苯二甲酰亚胺为电子受体,末端三甲基硅烷基醚链为电子给体的新的分子内给受电子体系N-(末端三甲基硅烷基硫杂醚链)邻苯二甲酰亚胺(1)和N-(末端三甲基硅烷基氮杂醚链)邻苯二甲酰亚胺(2).化合物1和2在甲醇中进行光反应,在光诱导下发生分子内单电子转移反应,以很高的产率和很高的区域选择性生成硫杂冠醚(3)和氮杂冠醚(4).化合物1~4的化学结构经核磁共振、质谱的验证.     

电子传输材料噻二唑衍生物的密度泛函研究

用密度泛函B3LYP方法对7种3-(3'-吡啶基)-6-芳基-1,2,4-三唑并[3,4-b]-1,3,4-噻二唑分子进行全优化, 所有化合物都是平面分子. 计算了分子的垂直电子亲和势(VEA)、绝热电子亲和势(AEA)、分子内重组能以及绝对硬度等相关能量, 结果显示化合物的HOMO 与LUMO能级可通过连接不同取代基进行调节, 变化幅度为0.346～1.10 eV. 分子内重组能证实3-(4'-氰基-3'-吡啶基)-6-芳基-1,2,4-三唑并[3,4-b]-1,3,4-噻二唑是很有前途的电子传输材料, 不同取代基所对应的化合物分子内重组能也不同. 绝对硬度数据与分子内重组能都表明, 化合物E, G难于传输电子. 用TDDFT方法计算了化合物A, B和C的吸收光谱, 与实验值相比, 最大吸收峰的差值在3～10 nm之间.     

用于电子传输材料的含噻吩环噁二唑衍生物的合成

在有机电致发光器伯研究中,电子传输材料占有特殊重要的地位。但现存在的材料存在着不同的缺点。因噁二唑环的高的电子亲和性,噁二唑衍生物是常见的电子传输材料,如：2-(4-叔丁苯基)-5-联苯基噁二唑(PBD),但容易结晶和低的电子? 缀托韵拗屏怂挠τ谩Ｎ说玫叫碌挠行У牡缱哟洳牧希疚囊脏绶晕鹗挤从ξ锞獯Ⅳ人峄Ⅴセ苯獾炔街韬铣闪肃绶远ｋ拢偻ü绶远ｋ掠胂嘤Φ娜〈郊柞Ｂ人鹾稀⒐鼗返姆椒ń坏缱拥泥绶曰泛透叩缱忧缀托缘泥绶曰吠币耄铣闪巳中碌暮绶曰穱f二唑衍生物2,5-双[2,2'-双(5-取代苯基)-1,3,4-噁二唑]噻吩(R-OXDR=H,OCH~3,CH~3)。同时,采用循环伏安法对其电? 阅芙辛瞬舛āＵ馊只衔锒荚诟悍较虺鱿至艘欢钥赡娴难趸乖澹纱说玫狡涞缱忧缀褪?EA)分别为-3.10eV,-3.07eV和-3.08eV,其EA值都高于常用? 牡缱哟洳牧螾BD。R-OXD的高电子亲和势有利于电子从阴极注入。并且由时间渡? 椒?TOF)测得R-OXD的电子迁移率达到10^-^4cm^2/V.S(E=10^6V/cm)。所以R-OXD有可能是好的电子传输材料。     

氮硫杂冠醚及其衍生物的合成

以噻吩、水杨醛、二胺、溴乙酸、烯丙基氯和丙烯腈为原料合成了 4,5 :14 ,15 二苯 3 ,16 二氧 2 1 硫 7,12 二氮双环[16.2 .1]二十一环 1( 2 0 ) ,18 二烯 (简称氮硫杂冠醚 )及其 5种衍生物 ,经元素分析 ,IR ,1 HNMR和MS谱表征了这些化合物的结构 .     

1,3-二氮杂薁类衍生物电子结构和光谱性质的理论研究

对1,3-二氮杂薁类衍生物采用密度泛函理论(DFT)在B3LYP/6-31G(d)的水平上进行了几何构型的全优化, 在此基础上探讨了分子结构和前线分子轨道能量等性质的变化规律, 采用含时密度泛函理论(TD-DFT)计算了分子的电子跃迁性质, 采用二维平面图和三维立体图来直观表示激发态的性质, 研究分子内电子转移特性. 跃迁密度矩阵的二维等高线图反映了电子-空穴相干性, 三维跃迁密度图反映了跃迁偶极矩的方向和强度, 三维电荷差异密度图说明了激发过程中分子内电子转移性质.     

杂氮三环化学的进展

本文综述了含中心原子si、B、Ti、Al杂氮三环化学的进展。在合成工作的基础上利用各种手段着重研究了分子中N→M配位键的存在。研究表明配位键的强度不仅受取代基R的影响,而且还与环结构的变化有关。系统地采用X射线光电子能谱(XPS)技术对此类化合物的分子结构进行了研究。     

1,4-氧氮杂萘-2-酮类衍生物的电子轰击质谱分析

用电子轰击质谱(EI-MS)研究了1,4-氧氮杂萘-2-酮系列衍生物,分析并探讨了不同取代基对这类化合物EI-MS谱图的影响,分析得到一些裂解规律。     

7-氮杂吲哚衍生物分子基态和激发态性质的理论研究

用从头算HF和密度泛函B3LYP方法对7-氮杂吲哚衍生物1,3-二(N-7-氮杂吲哚基)苯、1,3,5 三(N-7-氮杂吲哚基)苯和4,4′-二(N-7-氮杂吲哚基)联苯进行全优化, 计算分子的电离势IP和电子亲和势EA等相关能量, 并用ZINDO和TDDFT方法计算吸收光谱, 用CIS优化三种化合物分子的S1激发态结构, 并分析其能量与发射光谱的关系, 计算溶剂中分子的吸收和发射光谱, 并与实验结果对照. 计算结果表明, 从7-氮杂吲哚到上述三种衍生物依次愈来愈容易接受空穴, 吸收和发射光谱红移.     

杂氮硅三环类化合物的紫外光电子能谱及化学键的理论研究

报道了10种杂氮硅三环类化合物的紫外光电子能谱(UPS).采用RHF/3-21G^*对各化合物进行了构型优化.根据各化合物UPS的谱带特征结合RHF/6-31G^*的计算结果对谱图进行了合理的解析和指认.利用6-31G^*基组进行的电子密度拓扑分析表明,各化合物的N和Si原子间均存在键鞍点,从理论上证实了N和Si原子间存在成键作用.各化合物的UPS和SCFMO计算和电子密度拓扑分析都表明,在该类体系中σ_N→Si配键是比杂氮硼三环类化合物中σ_N→B配键弱得多的成键作用;文中同时讨论了不同取代基对Si和N间成键作用的影响.     

氮杂对环吩CP66与萘衍生物超分子体系的研究

分子识别;氮杂对环吩CP66与萘衍生物超分子体系的研究     

新氮杂冠醚衍生物稀土硝酸盐配合物的制备、表征及荧光性质

通过N3O2大环化合物1，12，15-三氮杂-3，4：9，10-二苯-5，8-二氧杂环十七烷(以下简称为L)与乙酸酐、苯甲酰氯、邻苯二甲酸酐在吡啶介质中反应，合成了N，N’，N”-三乙酰(L^1)、N，N’，N”-三(2-羧基)苯甲酰(L2)、N，N’，N”-三苯甲酰(L3)N3O2大环配体，并制备了L^1的Sm，Eu，Tb，Dy稀土硝酸盐的配合物。通过元素分析、摩尔电导、热分析、红外的测定对配合物进行了表征。结果表明，L^1母体环上的醚氧、酰胺氮均没有参与对稀土离子的配位，并推测了配合物的可能组成。室温下研究了配合物的固体荧光光谱，固态时的配合物(除Sm^3 配合物外)均有较强荧光，其中Tb^3 配合物的荧光强度最高，表明配体三重态的能量与Tb^3 的振动能级更为匹配。在Eu^3 的配合物中，强度比η(^5Do→^7F2/Do→^7F1)=3．7，表明Eu^3 处于一非对称配位环境中。