近期外文资料索引

一、发光的一般问题一九七三年塞格德(匈)发光会议 Aeta Phys.et ehem,Szeged,1973, 19(4)P。321一459。晶体发光粉及其应用 BeeTR。AH CCCP。1974.4,112 一1 14。判定稀土磷光体中的辐射与无辐射过程 J .Eleetroehem.Soe.1974,121 (3),950。直流激发的场致发光粉末材料 英国专利1357420场致发光器件用的磷光粉一激活的磷光体上 镀有一层无阴离子金属 英国专利1353143二、场致发光场致发光材料和显示器的最新进展 European Conferenee on Eleetro- teehnies EUROCON,74.D呈gest, 22一26,April,74。掺稀土离子的场致发光ZnS薄膜…     

近期外文资料索引

一、场致发光:薄膜显示开关(a cEL屏用)AD一772544 场致发光屏(用电介质材料) OTKP址THa,H3o6.nPoM曰坦几eHnHeo6Pa3双H,?oBaPHHe 3HaKH 1973,50 (25)198.(Zn,Cd)S磷光体的结构和光学特性IndianJ。Chem。,1973,11(8)场致发光屏亮度和稳定性的提高C刀eToTexaHKa 1974(6)11792重掺杂半导体场致发光理论中T n 1973,7(11)2103 稀土掺杂的ZnS场致发光薄膜器件中亮度对电压的依赖性 Jap.J.Appl.Phys.1974,13(2)性264低温下重掺杂半导体场致发光结构的特中T n 1973,7(12)2269 通过EL对Znse边缘发射中施主一受主对复合的观察 J。…     

《国外发光与电光》一九七六年分类目录

一、发光的一般问题- 期页磷光体的视觉效率(会议文摘)11ZnS:Ag,Al和ZnS:Cu,Al磷光体发光的浓度碎灭(会议文摘)12_从1975年国际发光会议看发光学及其技术动向(动态报导)31一低能离子电子发光(动态报导)43稀土在无机晶体中的发光48稀土在光学和发光材料中应用的理论基础4 30专题讨论会一稀土在发光中的应用446磷光体应用的最近进展533发光材料4上_发光使我们能看到看不到的东西548__研磨对硫化锌荧光粉性能的影响561-氢硫化物荧光粉(专利选报)5 74生物化学中的发光(上)6 47 二、电致发光(场致发光) 粉末薄膜材料和器件-谈场致发光器件的…     

《国外信息显示》一九七三年分类目录

一无机发光材料的一般问题: 发射光谱 余辉测量 光和颜色的测量 国外无机晶体发光研究概况 发光材料的能带结构 体效应场致发光 一种联合的发光中心 等电子陷阱二场致发光显示器件和材料: CdS:Cu粉末磷光体直流场致发光(DCEL)性质的研究 利用场致发光屏作发光天棚的可能性 粉末场致发光屏亮度的测量 粉末材料EL效率的测量 n一班族化合物粉末的直流场致发光 ZnS薄膜场致发光 粉末场致发光应用现状 薄膜PC一EL夹层型象加强器 碱卤晶体的场致发光简讯:一种硫化镐场致发光器件 ZnS:TbF3薄膜的直流场致发光 Mn注入的ZnS薄膜场致发光元件…     

近期外文资料索引

一、发光的一般问题: n一F族半导体的某些光学特征(部分I和且) AD一753562 电磁场激发的光谱宽度对无幅射过程速度的影响 Chem.Ph,5.Lett.,1973,23(4)541 非补偿和部分补偿的杂质能级激活能的确定 Phys.Status Solidia,197凌,21 (1)377 铁、钻、镍在硫化锌、镐发光时起碎灭作用的某些规律性 狱。11。C 1974,20(1)59 21届发光会议材料(晶体磷光体) H3B.AHCCCP eep.中。3.,1974,38 (6),1 129 硫氧化物中电子空穴过程对杂质中心发光动力学的影响 同前1213 发光材料与超纯物质〔9〕 C6.uay二.Tp.BHHH二lomoHo中opoBH oeo6o。从HeT。…     

近期外文资料索引

一发光的一般问肠对n一U族化合物的电子自旋共振的研究 ,\D 760803I一VI族化合物中的本征缺陷 AD 771797Yvo。、YAso‘、YpO;中稀土离子在激发 态的多声子弛豫 AD 772194测量在77和50OK之间发光的衰减时间的荧 光计 Nouv.Rev.Opt.,一973,4(2),57.36个字母的直流场致发光字符显小器 一973 SID,p30.多晶硫化锌驻极体的场致发光闪光 袱flC。,1973,19(4)641.ZnS:Mn薄膜自发与刺激场致发光理沦 水3T中,1973,(1)371。场致发光装置 日本专利72,27594。 二场致发光对老化的Z。S(Cu,CI)场致发光粉中浅陷 阱的研究 C .R。Aead。Bulg.Sc…     

“国外发光与电光”一九七四年分类目录

一固体发光的一般问题: 固体发光简介 发光材料的光谱特征(1) 制备荧光纯硫化锌原料的一种新方法 发光材料的光谱特征(2) 光度学简介 东芝磷光体 简讯: 用高压烧结法制备磷光体,51一5583一8753一5977一8786一9415一231 2 3 3 56二场致发光材料和器件: 场致发光的应用和固体显示前景 硫化锌和有关化合物的直流场致发光 直流场致发光材料与平板电视显示技术 场致发光磷光体 场致发光Zns: Er“ 薄膜的激发机理 固体X射线图象转换器 新的场致发光显示屏 场致发光体悬浮浓的电泳沉积 粉末材料的场致发光(1) 简讯: 关于场致发光器件的讨论 ZnS:…     

粉末材料的场致发光(1)

1.场致发光的基本现象及一般原理 (1)交流激发下的场致发光 用于交流激发的粉末场致发光材料主要是ZnS:Cu之类材料。 交流场致发光的亮度和所加电压的关系符合经验公式: B=B_0exp[-(V_0/V)~(1/2)] 其中B为亮度,V为外加电压,B_0和V_0为和电压无关的常数。从这个经验公式可以知道,亮度是随电压的增大超线性增加的。B_0和V_0与温度、电压的频率,所用的发光粉,发光屏的结构有关。频率越高,温度越     

近期外文资料索引

一发光的一般问题无机发光材料的制备· 西德专利1592571碱卤化合物的本征发光 日本物理学会志1974,29 (6)发光 固体物理3(4)11一W一V:族化合物半导体 固体物理6(6)11一W族化合物的能带结构 固体物理8(5)二场致发光硫化锌磷光体的gud碑en一pohl效应和 表面态 J。Lumineseenee 1973。8 (2)164经由EL存贮屏进行扫描变换 美国专利3680087EL光源—在发光材料上触接镀碳灯 妊, 美国专利3772556用升华法制备的磷光体的场致发光 Nekot Aktual VoP. Sovrem。Estest,ozn。 1971。59场致发光层的电泳沉积 CBeToTexH从Ka 1974,5 (11)ZnS粉末…     

《国外信息显示》一九七二年分类目录

期页一、场致发光显示器件和材料: 粉末状氧化铝的场致发光127 Cdse单晶的双注入、负阻效应和场致发光磷光体场致发光129 SrS一Cu,Eu磷光体场致发光的磷光现象132 延长场致发光屏寿命的几种方法一136 稀土激活的ZnS粉末的直流场致发光27 稳定的低压场致发光屏210 对未来场致发光平板电视的设计考虑214 直流控制的固体X光图象转换器425 场致发光理论(一)415 场致发光理论(二)31 场致发光理论(三)614 由于声电不稳定性引起的ZnS低压场致发光56 场致发光层的高温固化对其亮度的影响510 磁场对ZnS一Cu场致发光粉结构和光学性质的影响512 …     

最近外文资料索引

一、发光的一段问题:1.磷光体对快速离子的光谱响应 Can.J.Phys.,51(11),1143～ 7.2.复合发光的扩散动力学 Izv.Akad.Nauk SSSR Ser.Fiz., 37(4),818～24.3.施主受主对复合发光的统一理论 J.Luminescence,1972,5(4), 285～296.     

近期外文资料索引

1975,11(7),1320 一、发光的一般问题:1。、二。、招,。 一、仪沙”一联’,咫‘13.场致发光矩阵屏 1.有机分子光物理学苏联专利256一092 Organie Moleeular Photophysies.14.直流场致发光电视显示部分中间调1975年出版653页制显示方式 2。光子学少F公步二步1975,3,216 Photoni。5.1975年出版412页15.固体显示器件(场致发光) 3.无机磷光体应用物理1975,44(6),643 HeopraH。!一ec二二e。。M二HO中。po 16.薄摸场致发光文字、数字、图象显1975年出版197页示器件 4.发光及其技术发展动向电子材料1975,(11),52 工*夕卜。二夕,1975,(12)17.场…     

Mn注入的ZnS薄膜场致发光元件

日本J.Appl.phys.11(10)72,发表一篇短文,介绍Mn注入的ZnS薄膜场致发光元件,内容如下: 利用离子注入技术制造薄膜场致发光元件是卓有成效的。我们研究了Mn注入的ZnS薄膜的场致发光性能及有关特性。这种技术有如下一些引入注目的优点:(1)通过反复交替地注入激活剂(Mn,Cu,Al,     

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一、发光的一般问题非晶半导体的发光 Adv.Phys.,1976,25(4),397-453.在射频溅射的氧化锡膜中共溅射的铕的结晶学位置     

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9.氢共激活的ZnS一Cdse场致发光粉 一、发光的一般问题:的发光特性 1.发光研究的目前趋势同上488 IN产OPT.PROP.Ions in Solids’Plenum Publ.co.N.Y.vol.8,1975 10.掺锰的硫化锌场致发光薄膜器件中 固有的存贮效应 2.全波发光会议Proe.Conf.Solid State Devices Post.Fiz。1975。26(2)230 1974,6,103 3.由低带隙的高强度激发引起的CdS n.直流场致发光薄膜器件发光美国专利3.889.016 Solid State Commun。,1975,17(4),523 12.叠层场致发光屏 西德专利DS 1639一104 4 .22届全苏发光会议(分子发光) Te3二c。江oK二.AHCCCP.AH…     

由于声电不稳定性引起的ZnS低压场致发光

本文报导ZnS—Ⅰ单晶的均匀(没有通常看到的那种亮点和线)击穿前场致发光。用欧姆接触加电压,当电压达到晶体内平均电场为≥10~2v/cm时,可以看到这种场致发光。单晶是用气体输运反应法制得的,接着在熔融锌中进行处理,在室温和液氮温度研究了光谱、电压—亮度、电流—电压(Ⅰ—Ⅴ)和随时间变化的特性。场致发光光谱除了宽的红带和兰带以外,还有个一紫外带,延伸到330nm。在用上升时间为0.2微秒的方脉冲电压激发时,场致发光亮度波形的前沿没有时间延迟。N形的伏安特性和电流及亮度发生振荡的事实表明,晶体中产生了可动的电子畴,它集中了电场,并可能是决定这种场致发光的特征的主要因素。从振荡周期计算出的电子畴的运动速度和ZnS中的声速一致。从这一事实可以设想,在场致发光时存在着声电不稳定性。     

近期外文资料索引

一、发光的一般问题: 硫化锌中的发光 AD 751 302 11一砚族半导体的某些光学特性 AD 753 562 晶格位错的动力学理论 AD 753 576 稀土材料在发光方面的应用 A D 758 760 施主受主对中的构形相互作用 AD 762 909 掺过渡金属离子的11一硕族化会物的发光 Lumin。Cryst.,Mol.,Solutions,proe.Int。Conf.,1972,553一63。 施主受主对光谱中的位形相互作用和交连效应 同上,628一37。 强合金半导体的发光理论 中Tn,1973,7(6),1058一68。 强合金补偿的非简并半导体的发光理论 中Tn,1973,7(6),1069一80。磷光体老化防止剂 特许公报昭48一9709 …     

交流粉末场致发光材料

本文描述了粉末场致发光材料的制备工艺方法和发光性能的测试结果.在交流电场激发下。比较了绿色材料ZnS:Cu,Eu(以铜铕激活的硫化锌)、红色材料(Zn,Cd)(S,Se):Cu,Gd(以铜钆激活的硫硒化锌镉)和蓝色材料ZnS:Cu,Cl(以铜氯激活的硫化锌)的发光性能.在300V,600Hz电场激发下,它们的发光亮度依次在～120尼特、～10尼特和～80尼特以上.实践表明,这些材料正日益广泛地用于工业、农业和国防上,有广阔的应用前景. 一、引 言 交流粉末场致发光材料,是主要以硫化锌等II-VI族化合物为基质,经掺杂、加热处理之后,在交流(或脉冲)电场作用下,发出可…     

最近物理学综述评论文献题录

89-71.化学物理和分子物理中的磁效应和自旋效 应. ,155(1988)。No·1,3—45·参 115.89-72.金属孪生晶体中的局域超导性.155 (1988),No.1,47—88.参 92.89-73.层状晶体中的形变现象.,155(1988),No· 1,89——121·参 132.89-74.质子-(反)质子的高能截面和散射振幅. 155(1988), No·1,139——151·参 32.89-75.原子上的光作用力:用激光冷却和俘获原子. (S.Stenholm).Contemp.Phys,29(1988),No 2,105——123·参约 45.89-76.分子气体中的多声子过程.(M·N R Ash- ford et al·)·Contemp·Phys·,29(1988),No 2,125——157·参约 50.8…     

碱卤晶体的场致发光

碱卤晶体的场致发光只是最近才被确定下来和进行了研究(1、2)。这种现象对于研究表面势垒、强电场中的注入以及导电性差的材料中的输运过程都是有意义的,这些现象的解释还不完全,理论基础还没有最终建立起来(3、4)。如果利用大于10~(-4)伏·厘米~(-1)的交变场,那么不需辅加的放大就能很容易地用光电倍增管把发光记录下来。在液氮或更低的温度下可以观测到NaI、KI、RbI、