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对于余维数大于1的CR流形M 上的一点ξ , M 在ξ 附近的CR结构可由两步幂零Lie群Gξ的CR结构来逼近.Gξ随ξ变化而变化.M 上的¶b和¶b可由两步幂零Lie群上的¶b和¶b逼近.用两步幂零Lie群上¶b的拟基本解构造非退化CR流形M上¶b的拟基本解,并定义M 上的拟距离.¶b和¶b复形的正则性可从M 上的调和分析得到. 相似文献
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通过YBa2Cu3x)SnxO7+y体系样品的结构参数、XPS和Mssbauer谱、电阻-温度关系、氧含量以及热分解温度的综合测量,发现:Sn在该体系中替代了Cu的位置并保持4价状态;在x<0.4范围内Sn替代Cu对晶体结构没有影响,引起Tc的变化也极小;Sn替代Cu使体系的氧含量增加,并明显地影响了Cu的价态,使Cu呈现+3价,实验在结构、氧缺位及电子态方面为认识超导电性的起源提供了一些重要信息,在综合分析实验结果的基础上,本文提出:金属原子与氧原子间的耦合程度决定了体系的超导电性。 相似文献
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本文研究了Y替代Ca对Bi2Sr2Ca1-xYxCu2O8+y,超导体晶体结构和电子状态的影响,发现:Y替代Ca后至少使得Bi-O双层中所夹的一层额外的氧原子发生了变化,沿b轴方向的无公度超格子的调制周期从4.7b连续减小到大约为4.0b;并发现当Y完全替代Ca时,则同时存在大约为4b和8b的调制周期.用XPS进一步研究其电子状态变化的结果表明,超导电性的变化不是由于晶体结构的微小变化引起的,而主要是由CuO2层中O2p轨道空穴的逐步填充所致.结果明确表明,对于该替代体系依然是当Cu离子3d轨道存在一个空穴时(3d9态)对应于强关联的反铁磁绝缘体,而当CuO2层中氧离子2p轨道存在额外的空穴时(即3d9L态)对应于超导体. 相似文献
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用s1(2,R)的表示论的方法计算常微分方程的规范形的关键是找出KerLM和KeradM的生成元(算子LM和adM的定义见第二节),本文给出Ker LM和KeradM的生成元所满足的一个充要条件,并证明了Ker adM中任一向量多项式都可以由KerLM中的多项式按一定方式构造出来。 相似文献
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结合X射线衍射和57Fe高压MÖssbauer谱,对Ni替代的Fe4N的结构和超精细参数进行了研究。X射线的结果表明,Ni含量在0≤x≤0.6范围内可形成单相的Υ'-(Fe1-xNix)4N化合物,且随着Ni含量的增加,材料的晶格常数很好地满足a0(x)=3.7905-0.02157x-0.03167x2关系。用MÖssbauer谱区分了Ni原子的磁体积和化学键效应对Fe的超精细磁场和同质异能移的影响,并研究了不同晶位上这两种效应的成分依赖关系,发现两者的作用规律是不同的,但化学键效应对该材料性能的改变起主要作用。 相似文献
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用矩形单模TE10n(n=3,5)微波腔体成功地烧结得到了致密的Y-TZP陶瓷及Y-TZP/Al2O3复相陶瓷材料.材料的微波加热特性与其组分有关.Y-TZP含量高有利于提高样品的加热速率并降低加热所需时间.试样加热至600—800℃之后,需随时调整输入功率、短路活塞位置及可调偶合窗开启尺寸,以保持腔体谐振和最佳偶合状态,从而保持一定的升温速度和达到稳定的最终烧结温度.纯Y-TZP及含20Vol%Al2O3的Y-TZP/Al2O3陶瓷材料均可微波烧结至相对密度98%以上,而晶粒尺寸则分别不大于0.4和1.0μm.实验还发现,温度过高时,试样中心由于达到高于其表面的温度而发生过烧现象. 相似文献
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设Γ 是一些单t- 一致超图的集合. 填充设计Pλ(t, Γ, v) (或覆盖设计Cλ(t, Γ, v)) 是一个二元有序组(X, B), 其中X 是完全t- 一致超图λKv(t) 的顶点集, B 是λKv(t) 的一些子超图的集合, 要求每个子超图都同构于Γ 中的某一个超图, 每个子超图称为是一个区组, 并且满足λKv(t) 中的每一条边至多(或至少) 含在B 的λ 个区组中. 给定参数t, v, λ, Γ, 填充设计Pλ(t, Γ, v) 的最大可能的区组数称为填充数, 记为dλ(t, Γ, v); 覆盖设计Cλ(t, Γ, v) 的最小可能的区组数称为覆盖数, 记为Cλ(t, Γ, v). 本文将确定Γ 中仅含超图K4(3) + e 时的dλ(t, Γ, v) 和Cλ(t, Γ, v) 的精确值. 相似文献
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设ψ : D → Ω 是一个单叶函数, 利用Schwarzian 导数, 本文获得了log ψ′ 属于QK 空间的一个充要条件. 此外, 本文运用了一个几何条件来刻画QK 空间. 相似文献
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证明如果T是L∞(Ω1,A,μ)到L∞(Ω2,B,ν)内的同构且满足‖T‖·‖T -1‖≤1+ε, ε∈(0,1/5),则在一定条件下‖T/T‖接近于一个等距,其误差小于6ε. 相似文献
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讨论在C*-凸理论下C*-代数A的广义态空间SCn(A)中的Krein-Milman型问题.证明了SCn(A)的任意一个BW-紧的C*-凸子集K都具有一个C*-端点,而且K是其C*-端点的C*-凸包. 相似文献
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令G是一个阶为n且最小度为δ的连通图. 当δ很小而n很大时, 现有的依据于最小度参数的彩虹边连通数和彩虹点连通数的上界都很大, 它们是n的线性函数. 本文中, 我们用另一种参数,即k个独立点的最小度和σk来代替δ, 从而在很大程度上改进了彩虹边连通数和彩虹点连通数的上界. 本文证明了如果G有k个独立点, 那么rc(GG)≤3kn/(σk+k)+6k-3. 同时也证明了下面的结果, 如果σk≤7k或σk≥8k, 那么rvc(G)≤(4k+2k2)n/(σk+k)+5k; 如果7k<σk<8k, 那么rvc(G)≤(38k/9+2k2)n/(σk+k)+5k.文中也给出了例子说明我们的界比现有的界更好, 即我们的界为rc(G)≤9k-3和rvc(G)≤9k+2k2或rvc(G)≤83k/9+2k2, 这意味着当δ很小而σk很大时, 我们的界是一个常数, 而现有的界却是n的线性函数. 相似文献