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介绍用硅三级管作为样品,在低温150K-250K范围内,测量其PN结正向特征,可精确求得玻耳兹曼常量及硅半导体材料禁带宽度的值。 相似文献
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本文利用压强遵循玻耳兹曼分布律,导出毛细管公式和弯曲液面上方饱和蒸气压公式,并指出某些热学书中的毛细管公式和弯曲液面上方饱和蒸气压公式只适用于蒸气(或气体)密度远小于液体密度的情况. 相似文献
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应用弛豫近似法求解二元系的玻耳磁兹曼方程,确定了二元气体的非平衡分布函数,从而导出热扩散过程的线性唯象关系。所得到的结果满足Onsager倒易关系。 相似文献
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利用LabVIEW虚拟仪器采集小灯泡稳定发光以及通断瞬间的电压与电流信号,结合对灯丝中能量传递过程的定量分析,验证了热辐射的斯忒藩-玻耳兹曼定律,并计算了灯丝的长度、半径及有效发光面积. 相似文献
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考虑了存在温度梯度时,导体和半导体内传导电子的能量应视为温度的函数,从而给出了导体和半导体热导系数的更合理的推导过程及汤姆孙系数的更准确的量子统计表示。 相似文献
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从热力学与统计物理两个角度建立了理想气体的物态方程,通过比较两个方程求出玻耳兹曼常量,说明宏观理论与微观理论是相互印证的. 相似文献