工业还原NS—掺杂蓝钨过程中掺杂剂相的形成和结合

本文叙述了用于生产具有不下垂性能的细钨丝的ＮＳ－掺杂蓝钨工业还原过程中掺杂剂相的形成和结合。在还原过程中结合适量的掺杂剂是钾残留在烧结锭中的基本保证，钾能在丝材制造中形成钾泡串，使在随后的的灯丝工作时形成大晶联锁微结构，而这是不下垂特性的关键所在。本文的第一部分讨论了金属钨粉的工业生产方法。虽然掺杂Ｋ、Ａｌ、Ｓｉ的钨粉的生产方法与末掺杂的钨粉的生产方法基本相同，但仍有一些特别的区别要介绍。本文分析     

氧化钼掺杂氧化钨电致变色薄膜的显示特性

采用电子束蒸发工艺研究氧化钼掺杂氧化电致变色薄膜的显示特性。对氧化钼掺杂氧化钨电致变色薄膜的光谱特性、响应特性和循环伏安特性等显示特性进行了测试。     

几种掺杂浓度的GaAs表面Si—δ杂结构研究

本文利用了光调制光谱，原位测量了ＧａＡｓ（００１）表面Ｓｉ－δ掺杂结构样品，研究了不同要浓度对Ｓｉ－δ掺杂相关的光谱结构的影响，观察到了Ｓｉ－δ掺杂结构中，价带连续态到导带半Ｖ－形势阱中子带的跃迁，观察到该跃迁相随掺杂浓度增加先向高能移动，而后达到饱和。     

氮掺杂对4H—SiC电子结构的影响

采用广义梯度近似的密度泛函理论方法计算了4H—SiC的本征态的电子结构以及4H—SiC材料N掺杂后的电子结构,计算结果表明：与本征态相比,N掺杂后的4H—SiC的导带与价带均向低能端移动,导带移动幅度大于价带,使得掺杂后的禁带宽度小于本征态的禁带宽度：导带底进入N的2s态和2p态,但它们所占比重小,掺杂浓度变化对导带底...     

p型Si1—xGex应变层中重掺杂禁带窄带的计算

针对应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ的应变致价带分裂和重掺杂对裂值的影响，提出了该合金价带结构的等价有效简并度模型。模型中考虑了非抛物线价带结构。应用这个模型，计算了赝晶生长在〈１００〉Ｓｉ衬底上的ｐ型Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变层的重掺杂禁带窄带，发现当杂质浓度超过约２￣３×１０＾１９ｃｍ＾－３后，它在某一Ｇｅ组分下得到极大值，而当掺杂低于此浓度时，它则随Ｇｅ组分的增加单调下降。与实验报道的对比证实了本模型的有效性     

MBE法生长的调制掺杂GaAs／AlxGa1—xAs异质结构材料的输运特性研究

采用变磁场霍尔效应方法，在低磁场（B＜0．6T）和低温（T＝77K）条件下，了HEMT器件用调制掺杂GaAs/AlxCa1-xAs异质结构材料的输运特性，给出了材料电学参数（ρ、n和μ）与B的依赖关系，揭示了平行电导对材料质量的影响，并对上述依赖关系作了初步的定量分析。