脉冲激光沉积CuF2薄膜的电化学性能

采用脉冲激光沉积法在不锈钢基片上制备了纳米结构的CuF2薄膜,其充放电性能显示该薄膜具有540mAh·g-1可逆容量,对应于每个CuF2可与2.0个Li发生反应.其循环伏安特性显示在2.2和2.8 V(νs Li/Li+)处出现了一对新的氧化还原峰.充放电后薄膜的组成与结构通过非原位高分辨电子显微和选区电子衍射来表征.结果揭示了纳米结构CuF2薄膜的电化学反应机理,LiF在过渡金属Cu的驱动下可以发生可逆的分解和形成.     

脉冲激光沉积纳米TiO2薄膜电极的现场光电化学

在O3 /O2 气氛中采用 35 5nm激光烧蚀金属钛靶的反应性沉积薄膜方法 ,成功地在镀ITO膜的玻璃基片上制备了纳米锐钛矿相TiO2 薄膜电极 .用循环伏安法研究了在Li/TiO2 电池中TiO2 薄膜电极的电化学嵌入Li离子的行为 .由现场快速紫外可见吸收光谱实时监测TiO2 薄膜电极的显色特性 ,在波长 42 0和 6 5 0nm附近出现 2个明显的吸收峰 ,并发现TiO2 薄膜电极的吸收谱的涨落过程与Li离子的嵌入和脱嵌过程具有相关性与可逆性 ,表明该纳米TiO2 薄膜电极具有高质量的光电化学性能 .     

脉冲激光沉积CrP薄膜及其电化学性能

采用脉冲激光溅射Cr和P粉的混合靶成功制备了CrP薄膜,选区电子衍射(SAED)和光电子能谱(XPS)分析显示经过真空原位400℃退火以后,薄膜主要由多晶态的CrP组成。非原位HRTEM和SEM测试结果表明CrP薄膜在充放电前后的形貌有较大的改变。SAED、充放电和循环伏安测试证实了CrP和锂的电化学反应机理如下：CrP在Li⁺的驱动下,生成了Cr和Li₃P。在其后的充放电过程中,发生了Li在LiP中可逆的嵌入和脱出反应。由于CrP首次容量高达1 168 mAh·g^-1以及在0.7 V左右具有平稳的放电平台,显示了它可能成为一种新型的锂离子电池的负极材料。     

脉冲激光沉积法制备FeSe薄膜电极及其电化学性质

采用脉冲激光溅射Fe和Se粉末的混合靶制备FeSe薄膜并用XRD、充放电和循环伏安测试研究了薄膜的结构和电化学性质. XRD结果显示, 当基片温度为200 ℃时, 薄膜主要由晶态的FeSe组成. 在电压1.0～3.0 V范围内, 该薄膜的可逆容量为360.8 mAh•g^－1, 经过100次循环之后的放电容量为396.5 mAh•g^－1, 具有很好的循环性能. ex situ XRD结果显示FeSe能够和Li发生可逆的电化学反应, 颗粒尺寸大于5 nm的纳米铁颗粒能够驱动Li₂Se的分解并在充电过程中重新生成FeSe. FeSe具有较高的可逆容量和较好的循环性能, 可能成为一种优良的锂二次电池正极材料.     

脉冲激光沉积CuF2薄膜的电化学性能

采用脉冲激光沉积法在不锈钢基片上制备了纳米结构的CuF2薄膜, 其充放电性能显示该薄膜具有540 mAh·g-1可逆容量, 对应于每个CuF2可与2.0个Li发生反应. 其循环伏安特性显示在2.2和2.8 V (vs Li/Li+)处出现了一对新的氧化还原峰. 充放电后薄膜的组成与结构通过非原位高分辨电子显微和选区电子衍射来表征. 结果揭示了纳米结构CuF2薄膜的电化学反应机理, LiF在过渡金属Cu的驱动下可以发生可逆的分解和形成.     

脉冲激光沉积LiMn2O4薄膜的研究

在氧气氛下采用355nm脉冲激光烧蚀制备了LiMn₂O₄薄膜,并用四极质谱和发光光谱技术考察了脉冲激光烧蚀过程及环境氧气对薄膜沉积过程的影响.质谱测定结果表明,355nm激光烧蚀LiMn₂O₄的产物主要有Li⁺、Mn⁺等离子和O₂、O、LiO₂、LiMnO、MnO及锂原子的多聚体等中性产物.不同氧气压下测定的发光光谱表明烧蚀原子在环境氧气氛中存在氧化过程.用循环伏安法和X射线衍射法对薄膜进行了表征.     

脉冲激光沉积掺杂二氧化硅的钴酸锂正极薄膜材料

采用脉冲激光溅射的方法成功制备了掺杂二氧化硅的钴酸锂薄膜电极。结合SEM, XRD,HRTEM,SAED,EDX,充放电,以及循环伏安等手段对其形貌,结构与电化学性能进行了研究。结果表明,掺杂了二氧化硅的钴酸锂电极薄膜在电化学反应的过程中具有结构刚性,放电平台稳定,极化较小等优点,因此可能成为一种优良的二次锂离子正极材料。     

脉冲激光沉积法制备SnSe薄膜电极及其电化学性质

采用脉冲激光溅射Sn和Se粉末的混合靶制备SnSe薄膜, XRD结果显示室温下得到的是Sn和Se的混合薄膜, 当基片温度为200 ℃时, 薄膜主要由晶态的SnSe组成. 该薄膜的首次放电容量为498 mAh•g-1, 30次循环之后的放电容量为260 mAh•g-1. 充放电测试、循环伏安曲线和ex-situ XRD结果显示, SnSe能够和Li发生可逆的电化学反应, 充电过程中能够重新生成SnSe, 表现出不同于其它氧族元素锡化物的电化学性质.     

脉冲激光沉积LiFePO4阴极薄膜材料及其电化学性能

采用脉冲激光沉积结合高温退火的方法在不锈钢基片上制备了LiFePO₄薄膜电极. XRD谱图显示, 经650 ℃退火制得的是具有橄榄石结构的LiFePO₄薄膜. 充放电测试表明, LiFePO₄薄膜具有3.45/3.40 V的充放电平台, 与LiFePO₄粉体材料相当. 首次放电容量约为27 mAh•g^－1, 充放电循环100次后容量衰减51%.     

脉冲激光沉积具有锂离子储存能力的CeO2薄膜

锂电池具有比能量高,循环性能好的优点,已成为二次电池研究的热点．锂离子电极材料的电致变色性能也引起了人们的广泛兴趣．最近一项日本专利报导了水热法合成的氧化铈粉末,属单斜晶系,作为锂离子电池阳极时,其体积比容量达５３０ｍＡｈ·ｃｍ－３,高于通常用的石墨阳极．该专利还指出,以ＣｅＯ２为阳极,ＬｉＣｏＯ２为阴极,与非水电解质组成的锂电池平均放电电压为３．５Ｖ左右［１］．近年来,全固态薄膜锂离子微电池为适应电子器件的微型化而受到重视,它可以采用不同的二维形状直接构织到集成电路上．例如,可作为动态随机存储…     

脉冲激光法制备修饰纳米Eu_2O_3/聚苯胺导电杂化薄膜

采用聚焦脉冲激光法(PLA-IT/SFL)制备修饰纳米Eu2O3/聚苯胺有机溶胶及其杂化薄膜材料。考察了制备条件对修饰纳米Eu2O3/聚苯胺有机溶胶荧光性能的影响。TEM显示Eu2O3粒子粒径约为15 nm且其在聚苯胺中有较高的稳定性。荧光光谱表明该杂化薄膜材料在紫外光照射下发出强烈的红光,且荧光强度达2.53×105a.u。杂化薄膜材料的电导率为1.13×10-2S.cm-1。热分析表明该杂化薄膜比导电性聚苯胺(PAN-HCSA)薄膜具有更好的热稳定性。该杂化薄膜材料可望用于电致发光领域。     

脉冲激光法连续制备纳米钴乙醇溶胶的研究

纳米钴因其优异的磁性能在磁记录材料 [1]、超顺磁材料 [2 ]、巨磁材料 [3 ]和雷达吸波 [4 ]方面具有重要应用 .金属钴有面心立方、密排六方和非晶态 3种结构 [5] .目前 ,用等离子加热及碳电弧法制备的纳米钴粉基本上都是面心立方结构 [6] .Gibson等 [7]用超声化学方法获得了密     

胶溶法制备NiO纳米晶热敏材料

本文用胶溶法合成了NiO纳米晶超微粒.初步探讨了合成的最佳实验条件.研究了不同灼烧温度及同一温度不同灼烧时间对NiO超微粒子微晶的晶化过程的影响.用X射线衍射、红外光谱、热重、差热、透射电镜研究了样品的性能.结果表明,用胶溶法制得的NiO纳米晶的粒度均小于6nm,属立方晶系,形状为球形.电导率随着温度的升高而迅速增大,是一个有应用前景的热敏材料.     

透明KTN薄膜的PLD法制备及其铁电性能研究

Using the Sol-Gel method for producing the KTN ultrafine powder and the sintering technique with K2O atmosphere to prepare KTN ceramics as the targets instead of the KTN single crystal, highly oriented KTN thin films were produced on the transparent single crystal quartz (100) by the pulsed laser deposition (PLD). The XRD analysis indicates that the perovskite structure with (h00) orientation is the major phase (>98%) in KTN. The Current-Voltage characteristics were found to be Ohmic at low fields and space-charge-limited at higher fields. This phenomenon is reasonably explained by SCLC theory. The leakage current was lower than 250 μA/mm2 at 0-5 V, which shows the film has good ferroelectric performances. The frequency dependence of dielectric constant results demonstrates that the dispersion of electric capacity is large at low frequency but small at high frequency. The dielectric constant was 12600 at frequency of 10 kHz. The P~E hysteresis loop shows that the remanent polarization and the coercive field are 9.25 μC/cm2 and 7.32 kV/cm, respectively. The SEM results shows that the surfaces are homogeneous, smooth, crack-free and dense. The refractive index was 1.776 at incident wave length 1.2 μm, the thickness 968 nm, and the growth rate 0.027 nm per pulse.     

脉冲激光轰击法连续制备C60原位修饰铜团簇杂化材料的研究

采用脉冲激光轰击浸于流动C₆₀ /正己烷溶液中的铜靶，获得表面为C₆₀修饰的铜团簇(Cu-C₆₀)。UV-Vis发现(Cu-C₆₀)/正已烷溶胶中C₆₀的特征吸收峰值下降，在195～240 nm之间出现了增强的铜溶胶特征吸收带；荧光光谱表明C₆₀增强了铜溶胶的荧光强度，意味着C₆₀修饰铜团簇使其表面电子浓度增加或离域范围扩大；TG-DSC分析表明样品在50～1 000 ℃之间的5个失重区和1个增重区中，680～960 ℃区间的失重对应于C₆₀失重；XRD结果显示样品呈衍射峰峰值变小、峰宽变大的典型纳米铜特征，其表面修饰物为非晶态；元素分析得样品中Cu、C和H质量分数分别为64.82%、31.44%和1.60%，此外还有少量O和N，表明其中主要是C₆₀修饰的铜团簇；VSM的M-T曲线显示样品在203 K处有一居里转变点，表明采用PLA/ISFL方法, 在具有高温、高压和超高速剧冷微区的特殊条件下C₆₀对铜团簇的修饰对(Cu-C₆₀)杂化材料的磁学特性有明显的影响。