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The present paper deals with films and threads of a mesomorphic cholesteric polymer: the hydroxypropyl cellulose. The steady flow behaviour and the shear induced textures (observed by optical microscopy under crossed polars) of films of lyotropic solutions of this polymer have been studied. A detailed analysis of the banded structures, of either the sheared solutions or the dried films obtained by solvent evaporation, is reported. We point out the existence of transverse striated patterns—“torsads”—superposed on the main banded structures, which are associated with the rewinding of the cholesteric structure following the cessation of the shear stress. The torsads, also observed in some threads, originate from the same relaxation phenomena and are discussed in the last part of the paper. 相似文献
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随着功能器件向微型化发展,微纳米尺度的低维晶体成为构建新一代功能器件的材料基础。传统的体块单晶生长方法不适用于低维晶体。长久以来,对新型低维材料的研究依赖于机械剥离、溶液法和化学/物理气相沉积等方法,这些方法在效率、可控性和适用性等方面存在诸多限制,因此发展高效可控的低维晶体新型生长方法成为实现这些低维材料器件实用化的前提。山东大学晶体材料国家重点实验室陶绪堂、刘阳团队基于多年来在分子材料结晶基础方面的研究成果,发明了新的“微距升华”低维晶体生长方法。“微距升华”法利用原料与生长衬底之间的微小间距,可以在常压下实现常规物理气相传输中需要高真空才能够达到的分子流传输模式,使生长过程不再受传质限制,因此微距升华法无须真空和载气,速度快,原料利用率接近100%。该方法适用于大部分的有机半导体、金属配合物,甚至含有大量羧基、羟基的药物分子及熔点在一定范围内的无机物晶体,生长的微纳米晶体与电子器件制程匹配,屡次创新器件迁移率记录。新方法受到业界广泛关注,已被多国科学家采用。 相似文献
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Loboda A. Y. Kolobylina N. N. Tereshchenko E. Y. Murasheva V. V. Shevtsov A. O. Vasilev A. L. Retivov V. M. Kashkarov P. K. Yatsishina E. B. 《Crystallography Reports》2018,63(6):1034-1042
Crystallography Reports - A unique artifact—the “idol” from the 10th century mound “Chernaya Mogila” (“Black Grave”), a famous Old Rus’ site, has... 相似文献
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对一种黑心片样品进行了分析.在确认黑心区为低少子寿命区的基础上,发现其电阻率明显偏高;发现黑心区经Secco刻蚀后,表面密布重叠圆形蚀坑,但与普通位错蚀坑有明显特征性区别;从其密度、形状与出现条件来看,它与电子半导体业中普遍报告的氧化堆垛层错(OSF)也不一致;进一步发现黑心区经Sirtle刻蚀后,表面呈现典型的大小明显不同的两种漩涡缺陷蚀坑,其密度明显低于上述Secco蚀坑.根据所得结果推测:黑心区主要密布一种性质上与普通位错相近,而所造成晶格畸变特征与范围不同于普通位错的晶格缺陷,它不属于已知的OSF微缺陷,而可能是一种由结晶生长过程中过饱和氧沉淀诱发形成的位错环;此外,黑心区还含有少量漩涡缺陷. 相似文献
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David Coates 《Liquid Crystals Today》2013,22(1)
Abstract Paul Drzaic, World Scientific, 1995, ISBN 981 02 1745 5 相似文献
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