化学水浴沉积法制备CdSe薄膜

CdSe是直接跃迁宽带隙的II-VI族化合物半导体,具有立方和六方两种结构,以及与太阳谱中可见光波段相适宜的带宽(<1.7ev),是制作异质结太阳电池和光电化学太阳电池的重要原料[1,2].     

电化学沉积CdSe纳晶薄膜的性能及沉积机理

电化学沉积是半导体薄膜制备的一种简便方法,常用于Ⅱ-族化合物半导体薄膜的制备.通过电沉积条件的适当改变可成功地在导电衬底上制备半导体纳晶薄膜^[1].CdSe薄膜作为一种透光性好、导电性好的半导体材料,可进行光学性能和光电性能方面的研究,而半导体纳晶多孔电极的光电化学特性与体材料之间有很大不同.本文采用电化学沉积法制备了CdSe纳晶薄膜并研究了其性能,通过扫描隧道显微镜(STM)形貌分形分析进一步研究其沉积机理.     

InGaAs薄膜电共沉积研究

本文应用优化工艺条件的电共沉积方法 ,制备发射光近于 1.3～ 1.5μm波长的InGaAs薄膜 .用能谱分析仪进行薄膜成分分析 ;分光光度计和单色仪测量薄膜的透射率 ,同时也测量了薄膜的V I特性、导电类型及其表面形貌 .     

电沉积CuInSe2薄膜的热处理研究

报道了热处理对电沉积ＣｕＩｎＳｅ２薄膜的表观形貌、结构及光电性质的影响。     

Fe-Ni-S软磁薄膜的电沉积

酸性镀液中以硼酸为缓冲剂、柠檬酸三钠为配合剂,在紫铜箔上电沉积得到非晶Fe-Ni-S合金薄膜。 采用扫描电子显微镜和能谱分析技术(EDS)研究了镀液组成和沉积条件对镀层表面形貌和组成的影响。 结果表明,在镀液中加入2 g/L C7H5O3NS（糖精）和0.4 g/L 1,4-丁炔二醇可获得表面平整无裂缝和较小内应力的合金镀层;电流密度和镀液pH值对镀层组成影响较小,但施镀温度对镀层组成影响较大。 获得了理想的镀液组成和沉积条件,所得Fe73Ni9.5S17.5薄膜的X射线衍射表明其为非晶结构,在室温下具有较高的饱和磁化强度(Ms约为876.25 kA/m)和较低的矫顽力(Hc约为4.96 kA/m),具有良好的软磁性能。 循环伏安曲线和阴极极化曲线均表明,镀液中CS(NH2)2会促进Fe-Ni-S共沉积。     

沉积电位对电沉积ZnS薄膜的影响

采用电沉积方法,在不同沉积电位条件下,在氧化锡铟(ITO)导电玻璃上沉积制备了ZnS薄膜,利用XRD、SEM和UV-VIS测试技术对在不同沉积电位所制备薄膜的晶相结构、表面微观形貌和光学性能进行了表征.研究结果表明:沉积电位在1.5 V—1.7 V范围内制备的ZnS薄膜呈非晶态,其可见光透过率从60 %降低到20 %,薄膜的光学带隙约为3.97 eV.在沉积电位为2.0 V条件下所沉积薄膜为ZnS结晶相和金属Zn混合相,薄膜透过率显著降低.     

电沉积多晶CdTe薄膜结构的电镜研究

CdTe(能隙E_g=1.45 eV)是一种制作太阳电池的理想半导体村料。用阴极电沉积法制备多晶CdTe薄膜具有方法简单、周期短、材料费用低于单晶硅而接近非晶硅等优点,颇引人注目。但该技术发展较晚,因此对其成膜机理,各种因素对薄膜质地、内部结构和光电性能的影响尚缺乏足够了解。本文通过实验发现:采用双阳极、调节电沉积电流、改变电解液组成,可使CdTe薄膜表面平整、不易产生枝晶。如进一步在氩气或空气流中进行热处理,可使薄膜中CdTe晶粒增大到0.4～0.5μm,最大可达0.7～0.8μm,并使伴生的CdTe孪晶现象也更明显,这些对CdTe薄膜光电转换性能的提高是有利的。     

电活性分子L-B膜修饰CdSe薄膜电极的光电化学研究

用电活性分子——硬脂酸二茂铁酯L-B膜修饰了薄膜CdSe电极,在单色光650nm光照下用循环伏安法研究修饰的薄膜电极的光电化学性能。研究结果指出经多层L-B膜修饰后,薄膜CdSe电极的,I-V性能和光稳定性都有明显改善。用界面能级关系讨论了硬脂酸二茂铁酯L-B膜在光照的CdSe薄膜/Fe(CN)₆^4-溶液界面起传递电荷的中介作用,加速了界面的电荷转移。     

电子功能外延薄膜的电沉积

电沉积作为一种在温和条件下从溶液中合成材料的技术已被广泛应用于在导体和半导体基底表面合成各种功能材料。电沉积一般由人为施加于基底的电刺激（如：施加电位/电流）来触发。这种电刺激通过氧化或还原靠近基底表面的溶液层内部的离子、 分子或配合物从而使该溶液层偏离其热力学平衡状态,随后引起目标产物在基底表面的沉积。在电沉积过程中, 许多实验参数都可能从不同的方面对沉积物的物化性质造成影响。迄今为止,已通过电沉积制备出多种单质（包括金属和非金属单质）、 化合物（例如：金属氧化物、金属氢氧化物、 金属硫化物等）以及复合材料。电沉积制备的这些材料大多为多晶、 织构或外延薄膜的形式。其中, 外延薄膜是一种具有特定的面外和面内晶体生长取向且其晶体取向受基底控制的类单晶薄膜。由于外延薄膜中高度有序的原子排列,它们常呈现出独特的电磁性质。本文总结了常见的电沉积合成路线及影响沉积物外延生长的关键实验因素。此外, 本文简要介绍了用于表征外延薄膜的技术。最后, 本文还讨论了一些采用电沉积制备的具有特殊电子、 电磁及光电特性的功能外延薄膜。     

Pt-Ru合金薄膜的电沉积制备及其电化学表面增强红外吸收光谱

在1mmol·L-1H2PtCl6+1mmol·L-1RuCl3+0.1mol·L-1H2SO4镀液中采用电沉积法在化学镀金膜的红外窗口Si反射面上制备Pt50Ru50合金电极.利用原子力显微镜(AFM)可以观察到制备的Pt50Ru50合金电极形貌呈现出100-200nm大小的颗粒.常规电化学分析方法得出该电极具有典型的合金特征,对CO和CH3OH具有很好的催化氧化作用.应用电化学现场衰减全反射表面增强红外光谱法(ATR-SEIRAS)可以观察到该电极上Pt位和Ru位上CO的振动谱峰,且表现出Pt-Ru二元金属良好的协同催化性能.     

超微粉二氧化钛和掺杂三氧化二铁光催化剂的表面光电压谱研究

基于表面光伏效应测得的表面光电压谱在半导体表面化学物理的研究中早已获得极为广泛的应用。近年来,我们实验室成功地将这一技术应用于复相光催化的研究中^[1,2],如发现表面光伏信号是半导体多晶粉末光催化剂具有活性的必要条件,光电压信号愈强光催化活性愈高,而且二者存在半定量的关系。这些结果启发我们,表面光伏技术有可能发展成为一种快速评估光催化剂的有效方法。     

电沉积紫膜薄膜中菌紫质的光电响应对N-端表面的金属阳离子浓度的依赖性

用不锈钢/电沉积紫膜薄膜/含水胶(电介质)/钢型菌紫质光电池研究了作用于N-端表面(紫膜外表面)的钾、镁、镧离子对菌紫质光电响应的影响。在所测条件下光电极性均与质子泵方向一致。光电压幅值是离子浓度依赖性的,对钾、镁、镧离子均存在极大值浓度,它们之间有数量级的差异;依赖性曲线趋势和极大值浓度均各自分别与溶液中菌紫质的质子泵效率对阳离子浓度的这种依赖性相一致。不过,光电响应对作用于C-端表面的这些离子不存在上述的浓度依赖性。上述的两种依赖性成相关性说明:电沉积紫膜薄膜中菌紫质的光电响应主要来自质子泵运而非非质子离子的贡献;存在一合适的离子浓度使菌紫质的光电响应有极大值。用质子泵结构域模型和扩散双电层理论对这种依赖性进行的讨论认为:金属阳离子的结合与屏蔽两种效应可以解释这种依赖性。     

CHARACTERIZATION OF THE SURFACE OF POLYMER LATICES BY PHOTON CORRELATION SPECTROSCOPY

The effects of salinity and temperature on interfacial tension are discussed for oil-water-mixed surfactant. At an appropriate formulation, an interfacial tension minimum occurs that corresponds to miscibility between oil and water phases. We have named this system as miscible system. It is essential that the surfactant-rich middle layer containing a dispersion of small special liquid crystals forms in order to get ultra-low interfacial tension. These complicated surfactant (ionic-nonionic) systems display behavior similar to that of pure nonionic surfactants.     

INVESTIGATION OF DAMAGE TO FOREST BY EPR SPECTROSCOPY in vivo

Spruce needles collected from several trees of the Black Forest were investigaled by EPR spectroscopy. These needles show in the g = 2.00 region a signal II_S(Tyr D ₊) and a light-induced signal I(P700₊) and a Mn₂₊ hyperfine structure which superimposes the other absorptions. Difference spectra, light minus dark, partly eliminate the manganese hyperfine structure, and P700₊ can be observed. By comparison of these EPR signals with those of spinach chloroplast or thylakoid membranes described in the literature, significant deviations were observed, whereas several trees grown in the vicinity of Tubingen exhibit the well known D₊ and P700₊ EPR spectra. After treatment of branches of these 'normal' trees with herbicides like Amitrol and Roundup or chemicals like toluene or trichlormethane the EPR signals obtained are comparable with those observed with needles of the Black Forest.     

四苯基卟啉及其衍生物的表面光电压谱

酞菁和卟啉染料是一类典型的分子半导体材料,由于其在生命过程、癌的治疗等生物学上的探索及其化学传感、光电特性在固体电子学器件研究中占有很重要的地位。尤以这类染料的光电性质深受人们的重视,这与太阳能光电池、光MOS晶体管等的应用前景是分     

分光光度法及拉曼光谱法联合研究碱性染料-磷钼杂多酸-表面活性剂体系

本文用分光光度和拉曼光谱两种方法,对比研究了Triton X-100或聚乙烯醇(PVA)对结晶紫-磷钼杂多酸缔合物(CV-PMo)的增溶、增敏作用,在适宜的实验条件下,不论CV-PMo-Triton X-100体系,还是CV-PMo-PVA体系,都可用于在水相中分光光度测定痕量磷。本文还对这两类显色体系的有关反应机理,作了讨论和比较。     

有机化合物表面光电压谱的研究

<正> 半导体与金属接触处产生表面势垒,当光照射在样品与金属的接触界面上时,在光照面和非光照面之间建立起电位差,记录这个电位差和入射光波长的关系得到表面光电压谱。表面光电压谱反映材料的光吸收性质和电子的带-带跃迁,同时又受到光生载流子寿命的影响。应用表面光电压技术已经测量了单晶半导体的光伏效应,少数载流子的扩散长度以及表面态等。近来,王德军等用表面光电压谱的方法研究了无机半导体粉末光催化剂的活性。     

稀土Pr6O11上CO和表面羟基反应的原位FT-IR研究

利用FT-IR原位考察了稀土氧化镨上CO和表面羟基的反应。在473K以下,未检测到CO和氧化镨表面反应的吸附物种;在CO气氛中,升温到473K,观察到甲酸根吸附物种的红外特征峰1578,1371和1367cm~(-1)。用同位素D_2部分还原的氧化镨吸附CO以及甲酸吸附证实了CO与氧化镨表面的羟基反应可生成表面甲酸根吸附物种。讨论了CO在氧化镨表面的反应机理及甲酸根的氧化过程。     

红外光谱法研究表面溢出效应

采用红外光谱法, 利用重氢交换反应证明在Pt-NaY/HY体系有氢溢出(spillover)效应发生, 测量了100 ℃和50 ℃时的交换速率。发现在50 ℃时高频羟基的交换速率大于低频羟基。并对溢出机构进行了初步的讨论。     

CONFORMATIONAL INVESTIGATION OF SOME SYMMETRICALLY SUBSTITUTED DIALKYL MONO-SULFIDES AND DISULFIDES BY IR SPECTROSCOPY

Abstract

Several infrared and Raman studies have been performed on compounds containing the disulfide group in the region of C-S and S-S stretching modes (1–4) in order to get a better insight of the correlations between molecular conformation and peculiar geometry parameters of the dihedral angle CS-SC.