Cu:KNSBN晶体光折变参量的温度特性研究

本文研究了Cu:KNSBN晶体光折变材料参量的温度特性.用光折变理论分析了文献6给出的Cu:KNSBN晶体两波耦合增益系数Γ随2θ在不同温度下的变化关系.得出了该晶体有效电荷密度N_eff,有效电光系数和电子-空穴对抗因子乘积Rr_eff随温度的变化关系.     

Ce∶KNSBN光折变晶体光栅衍射特性研究

研究了Ce∶KNSBN光折变晶体两波耦合作用写入体光栅的衍射效率与写入光偏振态和光强比的关系 ,分析了写入光偏振态造成光栅衍射效率差别的原因 ,并用修正耦合波理论对实验结果进行了拟合。实验结果为Ce∶KNSBN晶体在全息记录和光学信息处理领域的应用提供了依据。     

光折变晶体Cu∶KNSBN中的浅能级中心

从光栅擦除特性、光致吸收和热激发能三方面的实验和理论分析 ,证明了掺铜KNSBN晶体中除了掺入的铜离子作为深能级中心外 ,还存在浅能级中心 ,并认为它是晶体生长过程形成的氧空位。实验发现温度在 36 0K附近有最大的光折变二波耦合 (TWM )增益系数 ,利用双中心双光栅模型对此作了解释 ,阐明了此浅能级中心在光折变效应中的作用。     

Fe∶KNbO_3光折变晶体温度效应研究

介绍Ｆｅ∶ＫＮｂＯ_３光折变晶体温度效应（２９０～３８０Ｋ）的实验研究，分别给出了在不同实验配置下的两波耦合和特殊切割晶体的自泵相位共轭的测量结果．     

Ce：KNSBN光折变晶体栅衍射特性研究

研究了Ｃｅ：ＫＮＳＢＮ光折变晶体两波耦合作用写入体光栅的衍射效率与写入光偏振态和光强比的关系,分析了写入光偏振态造成光栅衍射效率差别的原因,并用修正耦合波理论对实验进行了拟合。实验结果为Ｃｅ：ＫＮＳＢＮ晶体在全息记录和光学信息处理领域的应用提供了依据。     

基于KNSBN∶Cu晶体的光折变联合变换相关器

给出基于KNSBN∶Cu晶体的光折变二波耦合联合变换相关器(TBJTC).以KNSBN∶Cu晶体作为平方律转换器,将强度较大且携带参考图象和待识别图象联合频谱的信号光波与一强度较弱的相干平面参考光波同时输入于KNSBN∶Cu晶体,通过光折变二波耦合过程的非线性能量转移,实现功率谱转换,进而实现相关识别.理论分析和实验结果表明,除输入输出外,该光学相关器无需CCD、LCLV等器件和相应的数字处理,是一个全光光学相关器.     

加偏压光伏光折变晶体中低振幅屏蔽光伏明孤子的温度特性

在忽略扩散效应的条件下,讨论了加偏压光伏光折变晶体中低振幅屏蔽光伏明孤子的温度特性.当温度一定时,晶体中可形成稳态屏蔽光伏明孤子,当温度改变时,孤子由一稳态变为另一稳态.通过适当调节温度,可以控制孤子的空间形态.     

Ce:KNSBN光折变晶体光栅衍射特性研究

研究了Ce:KNSBN光折变晶体两波耦合作用写入体光栅的衍射效率与写入光偏振态和光强比的关系, 分析了写入光偏振态造成光栅衍射效率差别的原因, 并用修正耦合波理论对实验结果进行了拟合。 实验结果为Ce:KNSBN晶体在全息记录和光学信息处理领域的应用提供了依据。     

Ce∶KNSBN晶体衍射特性研究

在非同时读出条件下测量了Ce:KNSNB晶体两波耦合体光栅衍射效率随写入光强比、写入光偏振态和写入光夹角的变化关系,并与同时读出条件下衍射效率变化规律的测量结果进行了比较,发现二者基本一致.利用耦合波理论对实验结果进行了理论分析和拟合,拟合结果和实验数据较好的吻合.     

光折变效应中二波耦合温度特性的研究

本文研究了光折变效应中,温度对晶体内空间电荷分布影响的微观机制,提出了空间电荷场的修正项,给出了钛酸钡晶体的空间电荷场与温度的理论曲线以及二波耦合中光强耦合系数与温度的理论曲线.     

Ce:KNSBN晶体的热激发速率的温度特性

提出了一种测量热激发速率与光电离常数比值的新方法，通过Ce:KNSBN单晶的双光束耦合温度特性的实验数据，计算了Ce:KNSBN该比值的温度特性．理论计算与实验结果相符 关键词：     

光折变晶体中高速调制光放大特性的研究

本文对光折变晶体中高速调制光的放大特性进行了理论分析,给出了在Ce:SBN晶体中进行的实验结果,并从物理概念上进行了讨论,指出光折变晶体中的双光束耦合可以用于时域编码通讯。     

泵浦光调制对Ce∶KNSBN光折变晶体全息存储质量的改善

实验研究了泵浦光斩波、斩波占空比、斩波频率对两波耦合过程及光扇噪声的影响 ,结果说明斩波调制抑制了光扇噪声 ,Ce∶KNSBN晶体体全息存储再现图像质量得到明显改善     

利用Ce∶KNSBN光折变晶体提高光学图像相关模式识别鉴别率

给出了在相干匹配滤波系统中利用Ce∶KNSBN光折变晶体非线性特性实现图像边缘增强光学相关模式识别的理论分析和实验结果。实验中自相关峰半最大值宽度降低了 75 % ,自相关峰与互相关峰的强度比增强了近一倍 ,自相关峰的边瓣强度和互相关峰的强度得到抑制 ,系统的信噪比和相关鉴别率得到显著提高     

入射光参量对Ce∶KNSBN晶体中光扇效应的影响

采用非同时读出条件下晶体两波耦合实验装置,研究了入射光强度及光入射角对Ce∶KNSBN晶体中光扇效应的影响.结果表明,光扇效应存在明显的入射光强度阈值特性,入射光强度阈值为38.2 mW/cm2.对应相同的入射光强度,光入射角θ为15°时稳态光扇强度Ifsat最强,如:入射光强度为38.2 mW/cm2时,Ifsat最大为0.7 mW/cm2;入射光强度为57.3 mW/cm2时,Ifsat最大为1.8 mW/cm2.     

基于KNSBN:Cu晶体的光折变联合变换相关器

给出基于KNSBN:Cu晶体的光折变二波耦合联合变换相关器(TBJTC).以KNSBN:Cu晶体作为平方律转换器,将强度较大且携带参考图象和待识别图象联合频谱的信号光波与一强度较弱的相干平面参考光波同时输入于KNSBN:Cu晶体,通过光折变二波耦合过程的非线性能量转移,实现功率谱转换,进而实现相关识别.理论分析和实验结果表明,除输入输出外,该光学相关器无需CCD、LCLV等器件和相应的数字处理,是一个全光光学相关器.     

Fe：KNbO3光折变晶体温度效应研究

介绍Ｆｅ：ＫＮｂＯ３光折变晶体温度效应（２９０～３８０Ｋ）的实验研究，分别给出了在不同实验配置下的两波耦合和特殊切割晶体的自泵相位共轭的测量结果。     

Ce∶KNSBN光折变类光纤简并四波混频特性研究

研究了Ce∶KNSBN光折变类光纤在泵浦光和信号光夹角分别为小角度和大角度两种情况下简并四波混频的基本特性 .当夹角较大时 ,在光折变类光纤内部形成了两个四波混频作用区域 ,获得了比小角度情况提高 4倍的大相位共轭反射率 .给出了Ce∶KNSBN光折变类光纤中 ,在入射夹角分别为小角度和大角度两种情况下 ,相位共轭光反射率分别随信号光光强、两束泵浦光光强比变化的实验结果 ,并用理论公式进行了拟合 ,理论分析和实验结果相符 .还研究了Ce∶KNSBN光折变类光纤四波混频光栅模式和相位共轭光时间响应特性 .光折变类光纤的相位共轭响应时间较快 ,可为秒量级 .     

光折变材料Cu∶KNSBN的晶格振动和d－d电子跃迁

比较了铜掺杂钾钠铌酸锶钡（Ｃｕ∶ＫＮＳＢＮ）和钾钠铌酸锶钡（ＫＮＳＢＮ）两样品的晶格振动和ｄ－ｄ电子跃迁谱，对于拉曼（Ｒａｍａｎ）谱，Ａ１（ｚ）对称类的差别较小，Ｅ（ｘｙ）对称类的差别最大；对于红外反射谱，两对称类的均差别较大，认为Ｃｕ２＋部分填充了晶格Ａ位和Ｃ位，可见光范围内，ｄ－ｄ电子跃迁谱表明Ｃｕ２＋在晶体中形成两个深能级２．５０ｅＶ和２．６４ｅＶ。     

Ce∶KNSBN晶体两波耦合中的光扇效应

采用两波耦合非同时读出实验装置 ,测量了掺铈钾钠铌酸锶钡 (Ce∶KNSBN)晶体两波耦合过程中的信号光和抽运光非同时打开条件下两波耦合增益的时间变化规律 ,讨论了光扇的入射光强阈值及光扇效应对两波耦合动态过程的影响。结果表明 :6 32 .8nmHe Ne激光在Ce∶KNSBN晶体中写入体光栅时 ,光扇效应存在明显的写入光强阈值特性 ,当入射光强大于 30mW /cm2 时 ,才存在强烈的光扇效应。利用修正耦合波方程对Ce∶KNSBN晶体中的两波耦合动态过程、增益随着信号光和抽运光打开时间间隔Δt的变化进行了模拟计算 ,理论模拟结果与实验测量结果基本一致