分步曝光机汞灯灯箱的热设计

<正> 前 言 随着超大规模集成电路技术的发展,对半导体工艺设备的要求也越来越高,象现在的兆位集成技术,就要求分步曝光机(亦称DSW)系统具有足够的曝光能量来实现高效率生产,也就是要具有大功率的照明光源。做为DSW系统,它对环境的要求是非常苛刻的。为使DSW系统高可靠地工作,就必须对其主要发热元件——大功率汞灯曝光光源部分进行合理的热设计,以使灯箱结构满足整机对它的散热要求,提高设备的工作性能和可靠性。 汞灯箱体热设计的必要性     

BG-101J直接分步曝光机实用化汇报

<正> 概述 BG—101J直接分步曝光机是91年10月初运到北京半导体器件三厂的。十一月中旬完成了安装调试工作。之后,器件三厂从苏州订购净化小室,今年5月份完成了净化小室的安装调试工作。这期间器件三厂还作了中间版及工艺条件等准备工作。到今年6月下旬,完成了这些工作之后开始光刻器件。     

采用暗视场自动对准的光学分步重复曝光机

本文叙述了一种实验用的直接分布重复曝光机。它装备了一套简单的自动对准系统。其工作原理是以亮视场照明而以暗视场进行光强检测。当暗视场有最大光通量时,掩模和片子就对准了。掩模在座标校准台上进行预对准。自动聚焦和找平是通过检测三个气动传感器的输出信号以校正相应的晶片高度来实现的。     

可变孔径透镜使1100型分步重复曝光机如虎添翼

<正> 在西部半导体展览会上,UltratechStepper公司已展出了世界上第一台可变孔径(即:可变光阑)的分步重复曝光机:Ultrastep 1100—4035。 该机的光学透镜由五种光学元素组成,为1:1分步重复曝光机,具有在大视场下兼顾     

BG—102型分步曝光机承片台结构分析

介绍了ＢＧ—１０２分步曝光机的承片台结构，并对其运动原理、精度及结构特点作了分析。     

紫外线曝光机的总体设计

随着电子行业的飞速发展,对作为电子元器件基础的印制板的需求量及其加工精度的要求越来越高。紫外线曝光机是印制板制造工艺中的重要设备。在实验基础上设计了双玻璃晒架曝光机,改进了其主要组成部分,实验结果表明,散射光双玻璃晒架曝光机达到了总体设计要求。     

对於0．35μm设计规范的高NA、大视场分步曝光机的评估

人们已经打算使各种光刻技术朝着０．３５μｍＩＣ设计规范的目标迈进。几年前，第一选择对象是Ｘ射线光刻。当今，对这种设计规范，人们普遍懂得使用光学方法来实现，即已经发展了的具有达到０．３５μｍ设计规范能力的ＤＵＶ和ｉ线分步曝光机。它们具有高ＮＡ、宽视场镜头；新型的移相技术，ｉ线在０．３５μｍ设计规范能力方面与ＤＵＶ相比不差上下。随着步进机技术的发展，允许用同一机身适应宽视场ｉ线和ＤＵＶ镜头，并且报道了采取通过镜头、直接参考掩模的对准方法。对ｉ线和ＤＵＶ两种机型在载物面积、逐芯片调平和环境控制方面普遍得到改进，并且达到了套刻要求。采用共性工艺技术和同一对准方式，在０．３５μｍ设计规范内，ｉ线和ＤＵＶ机更容易实现最佳状态的混合匹配应用。公司已经报道了步进机性能的实验性研究，为０．３５μｍ的设计规范奠定了基础。套刻性能是在ＣＭＯＳＩＣ的衬底上进行评价的。所研究的光刻特性使用了一般工艺以及包括移相掩模在内的更加先进的工艺技术。测试衬底上的结果表明，套刻性能符合０．３５μｍ设计规范要求。光刻结果表明０．３５μｍ线对，使用常规ｉ线和ＤＵＶ可以达到，不管怎样，采用移相掩模保证了ｉ线在０．３５μｍ规范内的工艺容限。     

紫外线曝光机的总体设计

随着电子行业的飞速发展,对作为电子元器件基础的印制板的需求量及其加工精度的要求越来越高。紫外线曝光机是印制板制造工艺中的重要设备。传统曝光机的玻璃-迈拉晒架在生产过程中需要人工赶气,迈拉膜需要经常更换。由于冷却系统过于臃肿,使得其生产成本高、效率低,已不能满足PC B 生产的需要。在实验基础上设计了双玻璃晒架曝光机,改进了其主要组成部分,包括晒架系统、光路系统、冷却系统以及电气和控制系统的整体设计。实验结果表明,散射光双玻璃晒架曝光机达到了总体设计要求。     

高性能分步重复对准系统的性能数据及混合匹配

本文简要地介绍了1980年问世的晶片分步重复对准系统,接着着重讨论了全晶片对准设备的混合匹配,详细论述了与混合匹配有关的问题(晶片预对准和曝光区的精对准)。给出了分辩率、套刻精度、生产率的基本性能数据,并报道了首次混合匹配的结果。     

尼康上市生产能力提高20％的ArF曝光机和KrF曝光机

尼康面向半导体行业开发出了用于量产的干式ArF曝光机“NSR—S310F”和KrF曝光机“NSR—S210D”。2种曝光机通过采用为ArF液浸曝光机开发的串联载物台，实现了高生产能力和高定位性能。前者将于2007年10～12月上市，后者将于2008年1～3月E市。     

行进式曝光机的研制

本文主要介绍了行进式曝光机的工作原理、结构设计考虑及其在长基片SAW器件研制中的应用.     

电子束曝光机图形处理系统

本文针对现有电子束曝光机在图形处理过程中存在的一些问题，提出了以辅配微机来增强原机处理能力的方法。对曝光机的图形处理过程及异机通讯等问题作了较详细的介绍。     

新的电子束投影曝光机

美帝休格公司制成新的电子束投影曝光机,可代替威斯汀豪斯公司1969年研制的电子束图象投影系统。在操作中,要在片子上曝光的集成电路图形置于移象管的光电阴极部位,采用普通的接触印制方法或电子束描扫方法均可。把涂复钯的光电阴极和片子(它作为阳极)放在真空中,使紫外线通过阴极(或掩模),电子便从钯涂层中发射出来。电子达到10000电子伏的     

SB-601型曝光机

SB-601型曝光机主要用于功率电子器件、传感器、光电子器件、GaAs微波器件、微波电路、MEMS(微电子机械系统)以及其它新型电子元器件的单、双面对准及曝光工艺.     

PWB用曝光机的动向

1 PWB现状 随着BUM基板的问世,正在加速PWB细线化的进程。携带电话等电子机器业已发展到高性能化和高密度化,为了适应高密度化的PWB制造,必须有高性能化的曝光机与之匹配,必须开发包括光致抗蚀剂在内的曝光体系。本文就细线化涉及的内容和相应的曝光机加以叙述。 2细线化 与一般基板的细线化趋势比较,FC、CSP等封装基板的细线化趋势日益加速。大量的基     

电子束直接曝光机简介

电子束直接曝光机简介郑国强（甘肃平凉市电子部第４５研究所，７４４０００）１引言电子束曝光技术是集光、机、电、计算机和超高真空技术为一体的综合性技术，它可以把亚微米工艺的集成电路和器件图形直接光刻在Ｓｉ和ＧａＡｓ等圆片上。电子束直接曝光设备在军事微电子...     

电子束投影复印曝光机

本文介绍电子束投影复印曝光机的结构和性能。此复印曝光机的特点是采用电子束能够同时曝光大面积的图形,复印图形的面积为φ50毫米,最高分辨率为0.5微米。此复印曝光机可在半导体技术中用于复制高分辨率的掩模版和制作声表面波器件,光栅器件等。     

亚微米图形曝光机

最近日本加农公司发表了一种用于超大规模集成电路的高精度投影曝光机,并已出售商品,以前人们普遍认为投影曝光方式,在大规模集成电路等微米领域的图形制作中是很有效的。但若用于超大规模集成电路等亚微米领域是不太可能的。加农公司采用综合透镜技术制出了超高分辨率透镜,进而打破了投影曝光方式不能用于亚微米技术的错误结论,成功地制出了亚微米图形曝光机。 用电子束或接触方式制作亚微米半导体器件一般是很有效的。但是,以激光和X线为光源的电子束方式,曝光时间太长。接触方式制备掩模太困难,成品率也低,因此都具有局限性。而投影曝光方式曝光时间短,又由于光掩模不与片子直接接触,所以成品率大大提高。 加农公司的这种新的亚微米图形曝光机不仅可以用作超大规模集成电路,也为超高频晶体管、CCD(电荷耦合器件)等新器件的研制开拓了新的途径。     

我国超大规模集成电路工艺设备上的一项重大新成果 直接分步投影曝光机在四十五所研制成功

<正> 电子工业部第四十五研究所的科技人员、工人和干部满怀振兴我国电子工业的雄心壮志,刻苦攻关,在非常艰苦的条件下,经过多年的试制研究,终于研究成功可实用的直接分步曝光新设备。这一科研成果是我国超大规模集成电路工艺设备研究制造工作上的一个重大突破。利用光学曝光技术把中间掩模缩小投影,直接在经过处理的硅片上进行曝光,是七十年代后期首先在美国研制成功的。初期、代表样机是GOA公司的Mann4800DSW系统。这一新技术的出现,加速了VLSI的爱     

计算机控制的电子束投影掩模对准曝光机

微电子学中的光学曝光方法已达到其分辨率极限,因此,提出了电子束曝光和x射线曝光两种新技术。虽然这两种技术在实验室里已证明是可行的,但还不适用于生产过程。本文介绍一种用于生产的电子束投影系统,此系统能在三吋直径的成象平面上制作亚微米图形。所描述的电子投影系统配有控制掩模同片子对准的计算机以及真空系统中加工片子的自动操作系统。