一种频率稳定的改进型CMOS环形振荡器

在传统的环形振荡器基础上,提出了一种改进的ＣＭＯＳ环形振荡器。它克服了传统ＣＭＯＳ环形振荡器振荡频率随电源电压变化而严重不稳的缺点。通过仿真得到了电源电压与振荡频率的对应关系,取得了满意的结果。     

基于0.18μm CMOS工艺的环形行波振荡器

环形行波振荡器（rotary traveling-wave oscillators, RTWOs）是近年提出的一种基于传输线的新型千兆赫兹时钟生成技术,但研究表明该技术同样适用于压控振荡器设计。与普通LC振荡电路不同,环形行波振荡器可以很方便地产生幅度一致的差分多相（360o）振荡信号。本文基于SMIC 0.18μm CMOS工艺设计实现了一个工作于5.8GHz频段的环形行波振荡器,文中同时给出了仿真结果和测试结果。芯片大小为1.5×1.5 mm2。测试结果表明环形行波振荡器实际振荡频率为5.285GHz,相应输出功率6.68dBm,距离载波1MHz处相位噪声为-102dBc/Hz。     

基于标准CMOS工艺的毫米波线性叠加振荡器

采用UMC0.18μm标准CMOS工艺,实现了输出频率为36.56GHz的振荡器。基波振荡单元使用交叉耦合振荡电路实现,两个基波振荡单元之间通过交叉互连实现相位钳位,得到四路振幅相等相位差为90°的正交振荡信号,四路正交信号通过线性叠加结构实现对基波信号的四倍频。突破了工艺截止频率的限制,显著的提高了振荡频率。芯片测试结果表明：工作电压1.8V时,消耗的电流为40mA,基波信号频率为9.14GHz,校正后输出功率为-10.85dBm,在1MHz频偏处相位噪声为-112.54dBc/Hz;四倍频信号频率为36.56GHz,校正后输出功率为-37.17dBm。本文中的振荡器可以广泛的应用于毫米波通信系统,有高集成度、低成本等优点。     

一种LED驱动芯片内置CMOS振荡器的设计

为了适应全彩LED驱动芯片的需要,采用CSMC 0.5μm标准工艺,设计了一种用于LED驱动芯片的新型CMOS环形振荡器.电路使用正负温度特性补偿、延时迟滞以及时钟同步技术.在电源电压为3～6 V、温度范围为-45℃～100℃,以及不同的工艺角下,利用Cadence平台下的Spectre进行验证,结果表明:在一定的电压、温度范围内,振荡器的输出频率为16 MHz,最大变化范围为±5％;在不同工艺角模型下,振荡器输出频率均在LED驱动芯片的解码允许误差范围之内.该振荡器已成功应用于一款LED驱动芯片.     

CMOS数控振荡器设计

设计并讨论了一种新颖的完全基于CMOS静态逻辑反相器设计的数字控制振荡器DCO结构(Digitally-Controlled Oscillator),这种数字控制振荡器采用全数字电路构成,较之LC振荡器更加易于设计和制造,适合于高频高性能数字锁相环的应用。电路结构的仿真采用Spectre仿真器,基于STMicroelectronics CMOS 90nm工艺,在1.2V电源电压下实现了1GHz～6GHz的数控振荡频率变化范围,功耗为0.1mW～3mW,10MHz的频率偏移处的相位噪音约为-114dBc/Hz。     

一种基于0.5 μm CMOS工艺的补偿型电流控制振荡器设计

提出了一种基于比较器的CMOS电流控制振荡器电路,该振荡器采用偏置电流对电容充放电,产生精准锯齿波,比较器及后续电路产生时序方波作为比较器输入,从而产生周期振荡.自偏置电路利用电阻和PNP管相反的温度系数产生PTAT、NTAT两路电流,叠加得到一路与温度无关的基准电流、实现了温度补偿;高摆幅共源共栅电流镜结构具有高PSRR实现了电源电压补偿.本设计采用0.5 μmCMOS工艺,典型情况下,振荡器频率为1.224 MHz,占空比为50%,通过spectre仿真结果表明:该振荡器在3.3 V～5 V的工作电压下、-40～120℃温度范围内都具有较好的工作频率.     

一种频率可调CMOS环形振荡器的分析与设计

给出了一个采用0．6um CMOS工艺设计的改进结构环形振荡器,电路由RC充放电回路、施密特单元以及反相延时单元组成,结构简单,工作频率受集成电路工艺参数影响小。该电路带有使能控制端,并且通过调节少量的外部元件可以改变电路的振荡频率,适用作各类中／低频数字集成电路中的时钟产生电路。分析了改进结构环形振荡器的工作原理,给出了Hspice软件环境下电路仿真方法。电路流片封装后的实际测试结果表明,用该结构的环形振荡器作为时钟产生电路,工作稳定,满足了系统工作要求。     

一种CMOS矩形波振荡器设计

振荡器是数字集成电路中常用的单元电路之一,为兼顾振荡频率和CMOS工艺集成,文中从电路结构着手,设计了一种CMOS矩形波振荡器。该振荡器采用标准CMOS电路,能够提供稳定的矩形波信号,信号输出频率和脉宽均可调节。     

一种频率稳定的集成CMOS环形振荡器

在分析传统的环形振荡器和一种改进型CMOS环形振荡器的基础上，提出了一种线路简单的环形振荡器。它的振荡频率随电源电压的变化很小，线路简单，具有很强的实用性。通过仿真，得到了电源电压和振荡频率的对应关系，取得了满意的结果。     

一种低成本的RC环形振荡器

本文提出了一种能够在纯数字CMOS工艺中制造的振荡器。通过电荷守恒原理将内部节点的电压范围限制在0~VDD之间,使其可以采用低成本的N-阱电阻和MOS电容。测试结果表明,振荡器输出频率中心值为1MHz,与设计预期相符。     

低相位噪声CMOS环形压控振荡器的研究与设计

针对个人电脑和通讯系统对频率合成器中振荡器的低相位噪声的要求,对基本的环形振荡器结构进行改进,设计了两种宽带低相位噪声CMOS环形压控振荡器(VCO),在800 MHz振荡频率、1 MHz频偏下,测试的相位噪声分别为-123 dBc/Hz和-110 dBc/Hz.两个VCO的调谐范围分别为450～1 017 MHz和559～935 MHz.     

一种低功耗晶振电路的设计

文章提出一种适于片内集成的低功耗CMOS晶体振荡电路,使得电路的平均工作电流从几μA下降到1μA。仿真表明在正常情况下,电路的平均工作电流小于1μA。     

一种基于SiGe工艺的ECL环形振荡器

介绍了一种基于SiGe平面集成电路工艺制作的ECL环形振荡器,采用15级反相器闭环结构,能够产生280 MHz高频振荡信号,振荡周期为3.58 ns,平均每级反相器延迟为119 ps。该电路结构简单、易集成、成本低,可广泛移植于各类片上系统,用作时钟信号源等。     

CMOS集成电路中振荡器的设计及性能分析

本文讨论在CMOS集成电路设计中,常用到的三种振荡器,计算它们的振荡周期,并对电路进行了仿真及性能分析。     

一种低功耗CMOS晶振电路的设计

文章提出一种适于片内集成的低功耗CMOS晶体振荡电路，使得电路的平均工作电流从几μA下降到1μA，仿真表明在正常情况下，电路的平均工作电流小于1μA。     

集成CMOS环形振荡器频漂补偿的实现

为了提高CMOS环形振荡器的稳定度,以温度传感器作为检测电路,利用单稳态电路整形、滤波,把频率变化转变为电压变化对压控振荡器(VCO)进行负反馈调节,在温度变化和电源微小波动时,抑制了频率漂移.测试结果表明:CMOS环形振荡器输出频率为3.55 GHz,在温度区间-20～80℃内最差稳定度为2.45％,优于2.5％,达...     

Synchronizable Compact CMOS Oscillator

This letter describes the design and implementation of a synchronizable compact CMOS oscillator. By using a fully differential topology, a reduction in area occupancy together with an improved robustness in front of on-chip interferences is achieved. Post-layout simulation results and experimental results for a standard CMOS 0.35 m technology are presented to validate the functionality of the tunable oscillator.