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在考虑了二次谐波的吸收对转换效率影响的情况下,由光在介质中的波动方程,推导出负单轴晶体Ⅰ类相位匹配时平面二次谐波的耦合波方程和二次谐波转换效率的理论公式。在此基础上,再考虑走离效应的影响,给出了二次谐波转换效率的理论公式。根据这些公式,以负单轴晶体K2Al2B2O7(KABO)为例,对二次谐波的转换效率进行了数值计算。结果表明:考虑二次谐波的吸收时,存在倍频晶体长度的最佳值,当倍频晶体取该值时,二次谐波的转换效率最高;走离效应的存在使二次谐波的转换效率降低。 相似文献
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提出一个新的二维变分方法计算PH3+(X2A2")的对称伸缩振动(v1)和伞形振动(v2). 因为采用了对称化的笛卡尔坐标,所以动能项变得简单,同时伞形振动模式也能得到很好的反映. 相比采用经常使用的一维模型计算伞形振动,这个二维模型不需要约化质量的假设,同时也考虑了v1和v2振动模式之间的相互作用. 用二维模型对PH3+首次进行了计算, 前七个能级的理论值和实验值的平均相对误差小于3 cm-1. 用相同的方法也计算了NH3,结果没有PH3+理想,说明这个方法有一定的局限性. 相似文献
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将Fourier-Bessel级数引入KZK方程的求解,用于计算黏滞媒质中零阶Bessel型超声场的二次谐波声场,得到其级数形式的解析解,并由此得出二次谐波声场在近场分布的一个新结论.设声源表面声压分布为J0(α0r),则二次谐波声压在近场的径向分布服从J20(α0r)函数规律.这一结论合理解释了相关的实验结果,表明二次谐波声场在近场和远场有不同的径向分布,从而解决了非线性Bessel型超声场二次谐波的近场分布问题.研究还发现二次谐波声场具有类似基波声场的有限衍射特性.给出了一个数值计算和仿真实例. 相似文献
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为了寻找高能量密度的材料,本文设计了一系列基于4,8-二氢二呋咱[3,4-b,e]吡嗪的含能材料. 利用密度泛函理论研究了它们结构与性质之间的关系. 结果表明,这些设计化合物的性质受到含能基团和杂环取代基的影响. -N3含能基团是提高设计化合物生成热的最有效取代官能团,而四唑环/-C(NO2)3基团对炸药的爆轰性能有较大贡献. 键解离能分析表明,引入-NHNH2,-NHNO2,-CH(NO2)3和-C(NO2)3基团会显著降低键解离能. 由于化合物A8,B8,C8,D8,E8和F8具有良好的爆轰性能和热稳定性,最终被筛选为潜在的高能密度材料. 此外,还计算了这些筛选化合物的电子结构. 相似文献
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利用分子动力学模拟统计了几种不同温度下三种不同二聚物(Cu2, Ag2和Pd2)在铜衬底(100), (111)表面上的扩散和解离行为, 探讨同质和异质二聚物在Cu表面上扩散和解离的特点; 采用分子动力学中的静态计算方法计算了这三种二聚物在扩散和解离过程中的能量势垒, 并与动力学模拟、二聚物与衬底的结合能等结果进行了比较, 探讨二聚物扩散和解离过程与扩散势垒、结合能、表面性质和温度等的关系. 原子间相互作用采用半经验EAM势. 结果表明: 同质和异质二聚物在各个不同表面上的扩散势垒、解离势垒有一定的规律, 并和二聚物与衬底的结合性质有关; 二聚物是否易解离与衬底表面的结构以及二聚物与衬底的结合性质关系密切; 二聚物解离前协同扩散的快慢与二聚物和衬底的结合性质以及二聚物在表面的扩散和解离势垒密切相关. 相似文献
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利用等温滴定量热仪、圆二色谱和荧光光谱,研究和分析了人工合成的DNA单链序列d(T6C6T6C6T6C6T6)与Hg2+和Ag+相互作用的折叠过程. 在改变离子添加顺序的情况下,尽管热力学数据显示两种情况下都能通过两种不同反应路径得到一种相对稳定的发夹结构,但等温滴定量热仪数据却显示最终产物形成的机理截然不同.当先加入Hg2+时,发夹结构首先通过T-Hg-T碱基对形成然后C-Ag-C碱基对得到进一步稳定. 然而当先加入Ag+时,通过圆二色谱和荧光分析确认了一种不常见的金属碱基对T-Ag-C取代了经典的C-Ag-C碱基对. 相似文献
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本文根据年龄理论,考虑下列问题:二介质由球面r=a分开,球面外的介质一直延伸到无限,球面内的介质中在r=R处放有壳形单能快中子源;要求二介质中由此引起的中子慢化密度的空间分布。求解时应用了拉氏变换的方法。求出了适用於(τ1)1/2≤α情形的展开式,这里τ1是中子在球面内介质中的年龄、物理上出现的实际情形多半满足(τ1)1/2?α的条件,这时展开式收敛很快。对於二介质是重水和石墨的一个实例;我们算出了热能处中子慢化密度的数值结果(假定快中子源的能量为2兆电子伏),并和用通常二群近似方法求得的结果进行了比较。 相似文献
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本文利用单晶与粉末衍射方法测定了V2Ga5的晶体结构。V2Ga5属四方晶系,其单相区约为VGa2—V2Ga5。在18℃的点阵常数是a=8.9540?,c=2.6892?,每个晶胞含有二个化合式量,空间羣为D4h5—P4/mbm。V原子与Ga原子分别占据在4(h)与8(i),2(d)的等效位置上。参数为:x相似文献