单轴晶体Ⅰ类相位匹配时的转换效率分析

 在考虑了二次谐波的吸收对转换效率影响的情况下,由光在介质中的波动方程,推导出负单轴晶体Ⅰ类相位匹配时平面二次谐波的耦合波方程和二次谐波转换效率的理论公式。在此基础上,再考虑走离效应的影响,给出了二次谐波转换效率的理论公式。根据这些公式,以负单轴晶体K₂Al₂B₂O₇（KABO）为例,对二次谐波的转换效率进行了数值计算。结果表明：考虑二次谐波的吸收时,存在倍频晶体长度的最佳值,当倍频晶体取该值时,二次谐波的转换效率最高;走离效应的存在使二次谐波的转换效率降低。     

一个新的Si{001}2×1表面原子结构模型

本文提出了一个由低能电子衍射能带理论计算所确定的Si{001}2×1表面新的原子结构模型。新结构模型包括二聚键长l_d=2.387?,表面三个原子层间距d₁=0.50±0.01?,d₂=0.96±0.01?,d₃=1.17±0.01?和二聚原子的两个反对称移动。     

具有Uqp(U3)Uqp)(U2) Uqp(SO2)对称的双参数形变二维相互作用玻色子模型

构造了具有U_qp(U₃) U_qp(U₂) U_qp(SO₂)对称的双参数qp-形变二维相互作用玻色子模型(IBM),并给出了其能谱和跃迁矩阵元.结果表明,能谱和跃迁矩阵元极其敏感地依赖于第二个形变参数.     

二维MoS2/MoSe2异质材料的电子结构和热电性质研究

利用密度泛函理论结合玻尔兹曼输运理论计算体相和双层二维MoS₂/MoSe₂异质材料的热电性质. 计算表明,体相MoS₂/MoSe₂异质材料的热电性质比之于MoSe₂会有较大程度的提高. 该异质材料热电性质的提高主要源于异质材料本身带隙的减小以及层间的范德瓦尔斯相互作用. 二维MoS₂/MoSe₂异质材料存在热电应用的可能性.     

采用二维坐标和变分方法计算磷烷阳离子的伞型振动

提出一个新的二维变分方法计算PH₃⁺(X²A₂")的对称伸缩振动(v1)和伞形振动(v2). 因为采用了对称化的笛卡尔坐标,所以动能项变得简单,同时伞形振动模式也能得到很好的反映. 相比采用经常使用的一维模型计算伞形振动,这个二维模型不需要约化质量的假设,同时也考虑了v1和v2振动模式之间的相互作用. 用二维模型对PH₃⁺首次进行了计算, 前七个能级的理论值和实验值的平均相对误差小于3 cm^{-1. 用相同的方法也计算了NH₃,结果没有PH₃+理想,说明这个方法有一定的局限性.}     

基于Fourier-Bessel级数的Bessel型超声场二次谐波近场特性研究

将Fourier-Bessel级数引入KZK方程的求解，用于计算黏滞媒质中零阶Bessel型超声场的二次谐波声场，得到其级数形式的解析解，并由此得出二次谐波声场在近场分布的一个新结论.设声源表面声压分布为J₀(α₀r)，则二次谐波声压在近场的径向分布服从J²₀(α₀r)函数规律.这一结论合理解释了相关的实验结果，表明二次谐波声场在近场和远场有不同的径向分布，从而解决了非线性Bessel型超声场二次谐波的近场分布问题.研究还发现二次谐波声场具有类似基波声场的有限衍射特性.给出了一个数值计算和仿真实例.     

二维GaTe/Bi2Se3异质结：一类有潜力的Z型光解水催化剂

本文基于第一性原理方法,计算了二维GaTe/Bi₂Se₃异质结的电子结构、界面电荷转移、静电势分布、吸收光谱及光催化性质. 计算结果表明异质结是一个小能隙的准直接半导体,能有效捕获太阳光. 由于相对较强的界面內建极化电场和带边轻微弯曲,导致异质结中的光生电子和空穴分别有效分离在GaTe单层和Bi₂Se₃薄片上,可用于析氢和产氧. 这些理论计算结果意味着二维GaTe/Bi₂Se₃异质结是一类有潜力的Z型太阳能全解水催化剂.     

二羰基茂铁二聚体光反应产物的二维红外光谱

利用二维红外光谱研究了二羰基茂铁二聚体([CpFe(CO)₂]₂)在非极性溶剂CCl4中的平衡态光反应产物．时间分辨的二维红外光谱结果证实了一种可能的可见光驱动的光反应路径,其光反应产物为CpFe(CO)₂Cl,存在两个相互耦合的羰基基团,即对称和反对称羰基伸缩振动．这是主要的光产物,其光反应路径包括自由基形成以及氯加成过程．量化计算支持上述实验结果,结果表明,二维红外光谱方法可用来原位地检测凝聚相反应的化学物种的结构及其动力学     

Mg(IO3)2-H2O体系的一个新物相Mg(IO3)2·2H2O和溶解度-温度相图

在Mg(IO₃)₂-H₂O体系中发现了一个新的物相二水碘酸镁Mg(IO₃)₂·2H₂O.用称重法测定了Mg(IO₃)₂,Mg(IO₃)₂·2H₂O和Mg(IO₂)₂·4H₂O的溶解度随温度变化的曲线。     

基于4，8-二氢二呋咱[3，}4-b，e]吡嗪高能材料的设计与筛选

为了寻找高能量密度的材料,本文设计了一系列基于4,8-二氢二呋咱[3,4-b,e]吡嗪的含能材料. 利用密度泛函理论研究了它们结构与性质之间的关系. 结果表明,这些设计化合物的性质受到含能基团和杂环取代基的影响. -N₃含能基团是提高设计化合物生成热的最有效取代官能团,而四唑环/-C(NO₂)₃基团对炸药的爆轰性能有较大贡献. 键解离能分析表明,引入-NHNH₂,-NHNO₂,-CH(NO₂)₃和-C(NO₂)₃基团会显著降低键解离能. 由于化合物A8,B8,C8,D8,E8和F8具有良好的爆轰性能和热稳定性,最终被筛选为潜在的高能密度材料. 此外,还计算了这些筛选化合物的电子结构.     

二聚物在Cu表面上的扩散和解离研究

利用分子动力学模拟统计了几种不同温度下三种不同二聚物(Cu₂, Ag₂和Pd₂)在铜衬底(100), (111)表面上的扩散和解离行为, 探讨同质和异质二聚物在Cu表面上扩散和解离的特点; 采用分子动力学中的静态计算方法计算了这三种二聚物在扩散和解离过程中的能量势垒, 并与动力学模拟、二聚物与衬底的结合能等结果进行了比较, 探讨二聚物扩散和解离过程与扩散势垒、结合能、表面性质和温度等的关系. 原子间相互作用采用半经验EAM势. 结果表明: 同质和异质二聚物在各个不同表面上的扩散势垒、解离势垒有一定的规律, 并和二聚物与衬底的结合性质有关; 二聚物是否易解离与衬底表面的结构以及二聚物与衬底的结合性质关系密切; 二聚物解离前协同扩散的快慢与二聚物和衬底的结合性质以及二聚物在表面的扩散和解离势垒密切相关.     

J/ψ辐射衰变中θ(1720)宽共振峰的矩分析

本文用矩分析法对J/ψ辐射衰变产生的θ(1720)宽共振峰的结构进行了研究.由于f'₂(1525)和θ(1720)二共振峰有重迭,为此我们讨论了2⁺⁺(f'₂(1525))+0⁺⁺+0⁺⁺和2⁺⁺(f'₂(1525))+0⁺⁺+2⁺⁺二种三态耦合结构模式,这对于弄清θ(1720)这个宽共振峰的结构,确定可能包含在其中的二个共振态,例如G(1590)和f₂(1720)的质量、宽度、自旋以及其它重要性质,进一步认识这二个令人关注的共振态是有帮助的.     

金属离子诱导下DNA折叠的不同机理

利用等温滴定量热仪、圆二色谱和荧光光谱,研究和分析了人工合成的DNA单链序列d(T₆C₆T₆C₆T₆C₆T₆)与Hg²⁺和Ag⁺相互作用的折叠过程. 在改变离子添加顺序的情况下,尽管热力学数据显示两种情况下都能通过两种不同反应路径得到一种相对稳定的发夹结构,但等温滴定量热仪数据却显示最终产物形成的机理截然不同.当先加入Hg²⁺时,发夹结构首先通过T-Hg-T碱基对形成然后C-Ag-C碱基对得到进一步稳定. 然而当先加入Ag⁺时,通过圆二色谱和荧光分析确认了一种不常见的金属碱基对T-Ag-C取代了经典的C-Ag-C碱基对.     

Uq(sl2)的两维循环表示和八顶角Ising模型

明显地构造了U_q(sl₂)的二维循环表示及其扭结子.此循环表示是赋值(evaluation)表示,而扭结子(intertwiner)则是八项角Ising模型的R矩阵.     

层状钙钛矿La1.3Sr1.7Mn2-xCuxO7的磁性及电特性

通过固相反应烧结法成功制备了层状钙钛矿La_1.3Sr_1.7Mn_2-xCu_xO₇多晶，主要研究了其磁电特性.结果表明，样品为Sr₃Ti₂O₇型钙钛矿结构.随着温度的降低，其磁性经历了一个很复杂的转变过程.当x=0时，在T^*=231K出现二维短程铁磁有序，在<     

CuO2正方晶格的二维双孤子模型

采用较强的电声非线性相互作用作为电子配对机制,从氧化物高温超导材料的CuO₂面准二维特性出发,以实验观察到的CuO₂面上存在相当强的局域电声相互作用为基础,建立了一个二维双孤子理论模型,给出了具有拓扑稳定性的孤子解,双孤子的运动具有各向异性,且总是以低于声速的速度运动,因此它不辐射声子,即它的动力学能量不转变为热能,临界转变温度T_c与晶胞的质量无关,因而不存在同位素效应。     

N维各向同性谐振子径向平均值的递推关系和解析表达式

推导出了用于N维各向同性谐振子径向平均值计算的二个递推关系,并在-3≤s≤3的条件下,给出了平均值〈n_rJ_N-2|r^2s|n_rJ_N-2〉的值.二维和三维各向同性谐振子的相关结果均作为特例包含在结论中.     

α模型中不固定多重数下的阶乘矩、粒子数关联矩

利用二维相空间自仿射分形的随机级联α模型,采用蒙特卡罗模拟的方法,研究了阶乘矩､粒子数关联矩在不固定多重数下,对应于多重数相对起伏强度n_f的依赖关系,得到:阶乘矩、粒子数关联矩依赖于多重数相对起伏n_f,但间歇指数一般不依赖于n_f,当n_f较小时这种依赖性得以消除.     

关於中子在两种介质中的慢化问题

本文根据年龄理论,考虑下列问题:二介质由球面r=a分开,球面外的介质一直延伸到无限,球面内的介质中在r=R处放有壳形单能快中子源;要求二介质中由此引起的中子慢化密度的空间分布。求解时应用了拉氏变换的方法。求出了适用於(τ₁)^1/2≤α情形的展开式,这里τ₁是中子在球面内介质中的年龄、物理上出现的实际情形多半满足(τ₁)^1/2?α的条件,这时展开式收敛很快。对於二介质是重水和石墨的一个实例;我们算出了热能处中子慢化密度的数值结果(假定快中子源的能量为2兆电子伏),并和用通常二群近似方法求得的结果进行了比较。     

V2Ga5的晶体结构

本文利用单晶与粉末衍射方法测定了V₂Ga₅的晶体结构。V₂Ga₅属四方晶系,其单相区约为VGa₂—V₂Ga₅。在18℃的点阵常数是a=8.9540?,c=2.6892?,每个晶胞含有二个化合式量,空间羣为D_4h⁵—P4/mbm。V原子与Ga原子分别占据在4(h)与8(i),2(d)的等效位置上。参数为:x相似文献