Mn在HDDR各向异性NdFeCOB磁粉中的作用

采用HDDR(氢化–歧化–脱氢–再复合)技术制备NdFeCoB合金磁各向异性磁粉。研究了元素Mn对NdFeCoB合金HDDR磁粉的磁性能和磁各向异性的影响。结果表明:加入x(Mn)为2%以下的Mn元素没有改变NdFeCoB合金的相组成,但可提高NdFeCoB合金各相在氢气中的稳定性:当加入x(Mn)从0增加到2%时,NdFeCoB磁粉的内禀矫顽力Hcj从700 kA/m降低到450 kA/m,而NdFeCoB磁粉的磁各向异性DOA值从0.22增加到0.45。     

金属粘结Sm2Fe17Cx永磁体

由电弧熔炼和气固反应（ＧＳＲ）可制备出Ｓｍ２Ｆｅ１７的碳化物。研究了用Ｚｎ粘结体来增加这些碳化物的矫顽力，发现经过适当的热处理后，由ＧＳＲ制备出的Ｚｎ粘结碳化物的矫顽力达０．９Ｔ以上。由于歧化作用产生的α－Ｆｅ可能是达不到Ｚｎ粘结氮化物的矫顽力值的主要原因。本文讨论了热处理条件和含Ｚｎ量对Ｓｍ２Ｆｅ１７的碳化物矫顽力的影响，并与其氮化物的性能进行了比较。     

包钴包亚铁γ-Fe2O3高矫顽力磁粉的试制

随着磁记录向高密度化发展,国外记录波长最短已达0.5μm,越来越需要有高质量的磁记录介质。目前在磁记录介质中,γ-Fe_2O_3已得到广泛的使用,这是因为γ-Fe_2O_3制造方便,价格便宜,稳定性好。但是由于γ-Fe_2O_3的矫顽力较低,分散性也不很好,不能满足高密度磁带记录的要求。为了满足高密度磁带的需要,人们已经对于高矫顽力的材料进行广泛的研究。掺钴型γ-Fe_2O_3、Fe_3O_4磁粉虽然能够提高矫顽力达1000○e左右,但是由于(1)磁晶各向异性强烈地依赖于时间和温度,(2)在压力下的磁滞伸缩损耗大,(3)取     

微型化2GHz低噪声高选择性放大模组的研制

本文介绍一种将微波低频段分布参数电路与超微细薄膜工艺结合的微型化、低噪声、高选择性的放大模组。对低噪声放大电路、椭圆函数带通滤波电路及后级平衡放大电路的设计完成后,将其制作在76×20×0.5mm^3氧化铝陶瓷基片上。本模组在1.8-2.2GHz范围内,增益Gp≥50dB,噪声系数Nf≤0.9dB,其1dB压缩点输出功率Po≈30dBm,带外抑制≥80dB。     

氧对Sm2（Co，Cu，Fe，Zr）17微观结构及磁性能的影响

Sm2（Co，Fe，Cu，Zr）17永磁体是Sm-Co永磁体中应用最为广泛的一种，主要体现在航空、航天和军工等高技术方面，特别是在工作温度较高的特殊环境及恶劣场合中，具有不可代替（如Nd-Fe-B替代不了）的优点。     

制备工艺对Fe2O3-MnO2-CuO系常温红外辐射材料结构及发射率的影响

在不同温度下采用缓冷、急冷、淬冷的方法合成铁氧体尖晶石,比较其晶体的晶格畸变系数以及在常温下8μm～14μm波段发射率的大小差异,找到合成高发射率铁氧体尖晶石的较佳制备工艺.研究表明:在1090℃急冷条件下得到的铁氧体尖晶石发射率达到了最高0.936,形成了反尖晶石结构和混合型结构的尖晶石,并且得出在此温度下的急冷处理得到的晶格畸变系数达到最大.     

CeO2高K栅介质薄膜的制备工艺及其电学性质

研究了CeO2作为高K（高介电常数）栅介质薄膜的制备工艺,深入分析了衬底温度,淀积速率,氧化压等工艺条件和利用N离子轰击氧化Si衬底表面工艺对CeO2薄膜的生长及其与Si界面结构特征的影响,利用脉冲激光淀积方法在Si(100)衬底生成了具有（100）和（111）取向的CeO2外延薄膜,研究了N离子轰击氮化Si衬底表面处理工艺对Pt/CeO2/Si结构电学性质的影响,研究结果显示,利用N离子轰击氮化Si表面／界面工艺不仅影响CeO2薄膜的生长结构,还可以改善CeO2与Si界面的电学性质。     

Al掺杂HfO2高k栅介质沉积后退火工艺研究

为满足集成电路发展需求,通过向HfO2掺入Al元素形成Al掺杂的HfO2新型高k材料,并在不同的环境和温度下进行退火,研究其电学特性的变化。通过对电学参数的分析,研究Al掺杂HfO2材料体内正电荷缺陷、k值（晶相变化）、界面层厚度、栅漏电等的影响。最终,在N2环境中700℃退火条件下,Al掺杂HfO2的电学特性达到最优,其EOT为0.88nm、Vfb为0.46V和Ig为2.19×10-4A/cm2。最优条件下的EOT可以满足14/16nm器件的需要（EOT<1nm）,Ig比相同EOT的HfO2材料小3个数量级。