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为了获得In0.83Ga0.17As探测器的暗电流机制,采用了TCAD软件对吸收层中含有和不含有超晶格电子势垒的p-i-n结构探测器暗电流特性进行仿真,并开展了器件验证,结果表明,超晶格势垒可以调整器件的能带结构,改变载流子传输特性,降低SRH复合,从而降低器件的暗电流,仿真结果与实验结果吻合;并在此基础上,分析了势垒位置和周期变化对暗电流的影响,提出了进一步降低器件暗电流的超晶格电子势垒优化结构。 相似文献
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报道了气态分子束外延 ( GSMBE)生长 1.8— 2 .0μm波段 In Ga As/ In Ga As P应变量子阱激光器的研究结果 .1.8μm波段采用平面电极条形结构 ,已制备成功 10μm和 80μm条宽器件 ,器件腔长 5 0 0μm,室温下光致发光中心波长约为 1.82μm,在 77K温度下以脉冲方式激射 ,阈值电流分别约为 2 5 0 m A和 6 0 0 m A ,中心波长分别在 1.6 9μm和 1.73μm附近 .2 .0μm波段 ,制备成功 8μm宽脊波导结构器件 ,器件腔长 5 0 0μm,室温光致发光中心波长约为1.98μm ,77K温度下以脉冲方式激射 ,阈值电流约为 2 0 m A ,中心波长约为 1.89μm,其电流限制和纵模限制效 相似文献
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研究了离子损伤对等离子体辅助分子束外延生长的 Ga NAs/ Ga As和 Ga In NAs/ Ga As量子阱的影响 .研究表明离子损伤是影响 Ga NAs和 Ga In NAs量子阱质量的关键因素 .去离子磁场能有效地去除了等离子体活化产生的氮离子 .对于使用去离子磁场生长的 Ga NAs和 Ga In NAs量子阱样品 ,X射线衍射测量和 PL 谱测量都表明样品的质量被显著地提高 .Ga In As量子阱的 PL 强度已经提高到可以和同样条件下生长的 Ga In As量子阱相比较 .研究也表明使用的磁场强度越强 ,样品的光学质量提高越明显 相似文献
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利用新型的PMMA/PMGI/ZEP520/PMGI四层胶T形栅电子束光刻技术制备出120nm栅长InP基雁配In0.7Ga0.3As/In0.52Al0.48As 高电子迁移率晶体管。制作出的InP基HEMT器件获得了良好的直流和高频性能,跨导、饱和漏电流密度、阈值电压、电流增益截止频率和最大单向功率增益频率分别达到520 mS/mm, 446 mA/mm, -1.0 V, 141 GHz 及 120 GHz。文中的材料结构和所有器件制备均为本研究小组自主研究开发。 相似文献
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利用电子束光刻技术制备出200nm栅长GaAs基InAlAs/InGaAs MHEMT器件.Ti/Pt/Au蒸发作为栅极金属.同时为了减少栅寄生电容和寄生电阻,采用3层胶工艺,实现了T型栅.GaAs基MHEMT 器件获得了优越的直流和高频性能,跨导、饱和漏电流密度、域值电压、电流增益截止频率和最大振荡频率分别达到510mS/mm,605mA/mm,-1.8V,110GHz及72GHz,为进一步研究高性能GaAs基MHEMT器件奠定了基础. 相似文献
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利用电子束光刻技术制备了200nm栅长GaAs基T型栅InAlAs/lnGaAs MHEMT器件.该GaAs基MHEMT器件具有优越的直流、高频和功率性能,跨导、饱和漏电流密度、阈值电压、电流增益截止频率和最大振荡频率分别达到510mS/mm,605mA/mm,-1.8V,138GHz和78GHz.在8GHz下,输人功率为-0.88(2.11)dBm时,输出功率、增益、PAE、输出功率密度分别为14.05(13.79)dBm,14.9(11.68)dB,67.74(75.1)%,254(239)mW/mm,为进一步研究高性能GaAs基MHEMT功率器件奠定了基础. 相似文献
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非冷却热探测器的性能在光谱检测应用中仍需要提高。为了降低热噪声和减小暗电流,实现器件的高温工作性能,本文通过将器件的倍增层和吸收层分离设计后,选用In083Al017As作为倍增层材料,利用仿真软件Silvaco TCAD,详细探究了不同温度对器件暗电流和光响应度的影响规律。结果表明,在高温160~300K范围内,随着温度的升高,器件的暗电流增大,光响应度呈现先增大后减小的变化。利用公式进一步计算出,-500mV和300K时,器件的暗电流密度为0485 A/cm2,15μm处的峰值响应度为1818 A/W,零偏置微分电阻面积为0053 Ω·cm2,比探测率为326×109cm·Hz1/2·W-1。 相似文献
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采用MOCVD生长技术在InP衬底上成功实现了晶格失配的3μm In0.68 Ga0.32As薄膜生长.通过As组分的改变,利用张应变和压应变交替补偿的InAsxP1-x应变缓冲层结构来释放由于晶格失配所产生的应力,在InP衬底上得到了与In0.68Ga0.32 As晶格匹配的InAsxP1-x“虚拟”衬底,通过对缓冲层厚度的优化,使应力能够在“虚拟”衬底上完全豫弛.通过原子力显微镜(AFM)、高分辨XRD、透射电镜(TEM)和光致发光(PL)等测试分析表明,这种释放应力的方法能够有效提高In0.68 Ga0.32 As外延层的晶体质量. 相似文献
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采用PECVD技术,以TEOS为源,对In0.53Ga0.47As材料进行表面钝化,研究了SiO2/In0.53Ga0.47As的界面态,提出降低界面态密度的方法,使其降低到8.5×10^10eV^-1cm^-2。 相似文献
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陈培杖 《固体电子学研究与进展》1987,(4)
采用n-(AI,Ga)As/GaAs异质结构材料制作的高电子迁移率晶体管(HEMT)在微波与超高速器件中已逐步成熟,并已开始出现实用化产品。 本简讯首次报导采用汽相外延方法在半绝缘GaAs衬底上生长N-GaAs/(I,Ga八s异质结构材料制作的HEMT,并已证实器件在低温下未出现陷附中心造成的异常。(国外均采用MBE生长的材料)。 所用材料结构为半绝缘GaAs衬底上汽相外延约1卜m In人a1.仲s层(X=0.15)及o.2~0.3urn N-GaAs层,(In,Ga八s层不掺杂,而GaAs层掺杂浓度约 5 x 10‘”cm-‘。为研制HEMT,采用厚度监控技术使顶部N-GaAs层减薄至1000A以内。… 相似文献
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