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《中国光学与应用光学文摘》2004,(5)
TN209 2004053722 现代光学技术发展中值得关注的几个方向=Several devcloping directions in modern optical technology[刊,中]/文学俊(昆明爱克瑞光学技术有限公司,云南,昆明),李兴邦∥云光技术。—2004,36(1)。—14-17 相似文献
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《中国光学与应用光学文摘》2004,(2)
光探测与器件 TL816．5∥TN366 2004021294 电子轰击型PSD器件的研究与应用=Study and application of a electron bombing PSD device[刊,中]／富丽晨(长春理工大学光电子技术研究所．吉林,长春(130022)),李野…∥红外技术．—2003,25(2)．—51-53,59 介绍了新型半导体光电位敏器件(PSD)的独特优点,同时根据极微弱光探测的应用需求,提出了电子轰击型新概念器件EBPSD,研究了它的制作原理,并对已制出的器件进行了半导体增益测试。其结果表明,入射电子能量2 keV时增益大于10~2；5keV时增益可达10~3,证实了这种器件的优越性。还将(EBPSD)器件和微通道板相结合,充分利用微通道板的高增益特性,提出了电子增益高达10~8的MCP-PSD管设计方案,并制出了样管,指出这种器件可用于低于10~(-7)lx极微弱光图像的光子计数探测。图3参4(严寒) 相似文献
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《中国光学与应用光学文摘》2006,(2)
光探测与器件TN232006021443GaN p-i-n紫外探测器的研制=GaN p-i-n ultraviolet de-tectors[刊,中]/陈江峰(上海交通大学微电子学院.上海(200092)),李雪∥半导体光电.—2005,26(6).—491-493,498研制了一种GaN p-i-n型单元器件,详细地讨论了该器件的制备工艺,并对该器件进行了光电性能测试。测试结果表明,器件的正向开启电压在2V左右,零偏动态电阻R0约为1010~1011Ω,最大峰值响应率在365nm处为0.18~0.21A/W,器件的上升响应时间和下降时间分别为2.8ns和13.4ns。图6参9(杨妹清)TN3662006021444THz成像探测技术=I maging detection tech… 相似文献
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《中国光学与应用光学文摘》2007,(2)
光探测与器件TL816.52007021602一种二维近红外枕形Si基位置敏感探测器研制=Fabrica-tion of a newtwo di mensional near infrared pincushion sili-con based position sensitive detector[刊,中]/戚巽骏(浙江大学现代光学仪器国家重点实验室,国家光学仪器工程技术研究中心.浙江,杭州(310027)),林斌…//光电子·激光.-2006,17(10).-1208-1211,1232建立一种新的Si基位置敏感探测器(PSD)光生电流理论模型,导出了PSD的光生电流、光谱灵敏度的表达式;研究了PSD光敏面各层厚度和Si O2薄膜厚度对PSD波长响应灵敏度的影响,认为p层的厚度… 相似文献
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《中国光学与应用光学文摘》2007,(3)
光电子技术概论TN2012007032675光速控制及器件的发展=Light speed control and develop-ment of its device[刊,中]/掌蕴东(哈尔滨工业大学航天学院.黑龙江,哈尔滨(150001))//激光与光电子学进展.?2007,44(1).?73-75介绍的光速速率及器件在国内外发展的现状、原理以及应用实例 相似文献
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