无锂助熔剂B_2O_3对Li_(1.3)Al_(0.3)Ti_(1.7)(PO_4)_3固体电解质离子电导率的影响

采用固相法制备锂离子电池用固体电解质磷酸钛锂铝Li_(1.3)Al_(0.3)Ti_(1.7)(PO_4)_3(LATP),研究了不同烧结温度以及助熔剂对LATP固体电解质离子电导率的影响.采用X射线衍射、能谱分析、扫描电镜和交流阻抗等方法,研究样品的结构特征、元素含量、形貌特征以及离子导电性能.结果表明,在900?C烧结可以获得结构致密、离子电导率较高的纯相LATP陶瓷固体电解质.与添加助熔剂Li BO2的样品进行对比实验发现,采用B_2O_3代替LiBO_2作为助熔剂也可以提高烧结样品的离子电导率,并且电解质的离子电导率随助熔剂添加量的增大,先增大后减小,其中添加质量百分比为2%的B_2O_3的样品具有最高的室温离子电导率,为1.61×10~(-3)S/cm.     

固态电解质锂镧锆氧(Li_7La_3Zr_2O_(12))制备及第一性原理研究

固态电解质(SSE)是锂离子电池(LIB)的关键材料.Li_7La_3Zr_2O_(12)(LLZO)固体电解质是全固态锂离子电池开发中的关键部分.采用高温固相法制备了不同烧结温度后的四方Li_7La_3Zr_2O_(12)(t-LLZO)和立方Li_7La_3Zr_2O_(12)(c-LLZO),分析了两种样品的结构性能.800℃下烧结12小时的t-LLZO呈四方相,晶格尺寸为a=b=13.13064?,c=12.66024?,离子电导率为3.42×10~(-8)S·cm~(-1);1000℃下烧结12小时的c-LLZO呈立方相,晶格尺寸为a=b=c=13.03544?,离子电导率为8.48×10~(-5)S·cm~(-1).另基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算了四方相和立方相的LLZO固体电解质材料的能带结构、晶格参数、态密度和键布居.通过理论计算解释了四方相LLZO离子电导率低于立方相LLZO的原因.     

含分散第二相混合导体Li1＋xV3O8（x=0.1）的磁共振研究

本文研究了含分散第二相混合导体Li_1 x~(V_3O_8)(x=0.1 )体系的电性能和磁共振现象.经AC测定:表明室温下含6mol％α-Al_2O_3样品的总电导率是不含第二相样品的4-6倍.由ESR和NMR定性、定量分析确定分散第二相微粒的加入,增加了样品的电子浓度,加快了样品中电子和离子的跃迁频率,降低了样品中Li~ 离子迁移激活能,总电导率增加.室温下,总电导率的增量主要取决于Li~ 离子电导率的贡献,电子电导率也有一定影响.     

KNb_(1-x)Ti_xO_(3-δ)固溶体的合成与表征

利用高温高压法首次合成了KNb1 -xTixO3-δ(x =0～ 0 .4)系列固溶体 ,并使用X射线衍射、TG DTA、Raman谱和交流阻抗谱等对样品的结构、热稳定性和导电性进行了表征。XRD结果表明 ,随掺杂量的增加 ,晶胞体积减小 ;Ti掺杂引起了固溶体结构的转变 ,x <0 .1 5的样品为正交钙钛矿结构 ,而x≥ 0 .1 5的样品几乎为纯四方相结构。Raman谱和DTA结果显示 ,Ti掺杂使四方相区宽化 ,并且随掺杂量的增加 ,相变温度逐渐下降。阻抗谱测量表明 ,所有样品均以离子导电为主 ,其中KNb0 .85Ti0 .1 5O2 .92 5的氧离子导电率最高 ,在 80 0℃时达到 5 .6× 1 0 - 3S·cm- 1 ,在测量温度范围内 ,电导率可以拟合成两条直线 ,低温活化能小于高温活化能     

p型透明导电氧化物CuCr_(1 -x)Ca_xO_2的制备与光电性质研究

系统报道了铜铁矿CuCr1-xCaxO2 单相多晶材料的制备和光电性质研究结果、X光衍射 (XRD)以及电导的测量 .结果表明 ,适当的Ca2 + 取代Cr3 + 不改变材料的晶体结构 ,但能显著提高材料的导电性能 ,x =0 .0 6的原始Ca2 + 掺杂样品在室温的电导率达到 3.2× 10 -2 S/cm ,几乎比不掺杂样品的电导率提高了近 3个数量级 .所有掺杂样品的电导率随温度的变化曲线在 2 0 0～ 30 0K ,很好地符合Arrhenius关系 ,其Seebeck常数均为很大的正数 ,这表明所有样品均为典型的 p型半导体 ,其热激活能为 0 .2 7～ 0 .36eV .     

Li_2SO_4—Li_2B_2O_4,Li_2SO_4—(NH_4)_2SO_4赝二元系相图及离子导电性研究

本文用差热分析和X射线衍射方法对Li_2SO_4-Li_2B_2O_4和Li_2SO_4-[NH_4]_2SO_4两个赝二元系相图进行了研究。Li_2SO_4-Li_2B_2O_4是共晶体系,共晶温度为720℃,共晶点在含75mol％Li_2SO_4处。在Li_2SO_4-[NH_4]_2SO_4体系中只有一个包晶化合物LiNH_4SO_4,它在186℃附近有一个固态相变。 研究了Li_2BO_4晶态和非晶态及Li_2SO_4-(NH_4)_2SO_4体系中三种不同成分样品的离子导电性,发现在400℃以下非晶态Li_2B_2O_4的电导率比晶态至少高两个数量级,而且电导激活能大大降低。Li_2NH_4SO_4高温相电导激活能为0.12eV,而室温相为0.70eV.含Li_2SO_440mol％的样品(即LiNH_4SO_4和[NH_4]_2SO_4二相混合物)在高温相的电导率比纯LiNH_4SO_4高约两个数量级,这表明在一种离子晶体中加入适量的另一种离子晶体,可以使前者的电导率大幅度提高。     

Li2Mo2-xWxO6多晶材料的结构、电学性能与导电机理的研究

本文采用还原气氛制备导电性能优良的多晶多相陶瓷材料Li₂Mo_2-xW_xO₆(x=0,0.1,0.3),采用粉末X射线衍射分析、特征X射线能谱分析、红外光谱分析和电子自旋共振波谱分析等现代测试手段,得到样品的物相结构为Li₂Mo_1-xW_xO₄和MoO₂两相组成。W的掺入主要取代Mo进入Li₂ 关键词：     

钙钛矿型氧离子导体KNb1-xMgxO3-δ的制备和表征

在高温高压 ( 4 0GPa ,870℃ )下合成了具有正交钙钛矿结构的KNb1 -xMgxO3-δ(x =0 0— 0 3 )系列固体电解质 ,并系统地研究了Mg掺杂对其结构相变和导电性的影响 .变温拉曼谱和DTA测量结果表明 ,随着温度的升高 ,KNb1 -xMgxO3-δ发生了结构相变 ,由铁电正交、四方相转变为顺电立方相 .由于Mg掺杂削弱了B位离子对自发极化的贡献以及A位离子与BO6 八面体间的耦合作用导致了居里温度下降 .其中KNb0 85Mg0 1 5O2 775的居里点大约下降 40℃ ,为 3 92℃ .阻抗谱测量表明 ,所有样品都具有离子导电特征 ,但晶界效应较强 ,电导主要由晶界决定 .通过掺杂 ,提高了样品的电导率 ,其中KNb0 9Mg0 1 O2 85的氧离子电导率最高 ,70 0℃时达到 1.2× 10 - 3S cm .     

Sr2YRu1-xZnxO6结构、磁性及电输运特性

采用固相烧结工艺制备了Sr2YRu1-xZnxO6(x=0,0.1,0.2)陶瓷样品,采用多晶X射线和扫描电子显微镜技术对样品的物相成分、晶体结构和晶体表面形貌进行了表征与分析,将Sr2YRu1-xZnxO6(x=0,0.1,0.2)样品X射线衍射谱与理论模拟多晶样品X射线标准谱比较显示样品单相已经形成.X射线的实验结果表明:样品均形成了在a-b方向上具有双倍周期的钙钛矿结构,属于立方晶系,晶体空间群为Fm3m(No 225).Sr2YRuO6原胞为立方结构(a=0.816 4 nm),Y离子和Ru离子分别有序占据4a(0,0,0)和4b(1/2,1/2,1/2)原子等效位置.并且发现样品X射线衍射谱中的(111)衍射峰为B位Y离子和Ru离子有序占据时的特征峰.实验显示Zn离子取代Ru离子对晶胞参数影响很小.振动样品磁强计(VSM)测量了在常温下样品Sr2YRu1-xZnxO6(x=0,0.1,0.2)磁化强度与磁场强度的关系,样品在常温下显示顺磁性.计算得到Sr2YRuO6中Ru离子的有效磁矩为2.417 μB.用标准的四端子测量方法测量了样品的电阻随温度的关系,样品电阻随掺杂量的增加而降低,并且实现了由反铁磁绝缘体向半导体转变.     

Mg_2Si_(0.3)Sn_(0.7)掺杂Ag和Li的热电性能对比

采用两步固相法合成了物相均匀的Mg_(2(1–x))Ag_(2x)Si_(0.3)Sn_(0.7)(x=0,0.01,0.02,0.03,0.04,0.05)和Mg_(2(1–y))Li_(2y)Si_(0.3)Sn_(0.7) (y=0, 0.02, 0.04, 0.06, 0.08)热电材料,测试了室温物理性能和室温至773 K的热电性能,研究了不同掺杂剂的固溶度、微观结构、载流子浓度、电性能和热输运. X射线衍射图谱和扫描电子显微镜图像显示掺杂Ag和Li的固溶度分别为x=0.03和y=0.06.根据单抛物线模型, p型的Mg_(2(1–x))Ag_(2x)Si_(0.3)Sn_(0.7)和Mg_(2(1–y))Li_(2y)Si_(0.3)Sn_(0.7)的有效质量为1.2m0.对比结果表明:掺杂Ag或Li的最大载流子浓度分别达到4.64×1019 cm~(–3)和15.1×1019 cm~(–3);掺杂Li元素的样品有较高的固溶度、较高的载流子浓度和较高的功率因子PF约为1.62×10~(–3) W·m~(–1)·K~(–2);掺杂Li元素样品中较高的载流子浓度能够有效抑制双极效应,显著降低双极热导率; Mg_(1.92)Li_(0.08)Si_(0.3)Sn_(0.7)的最大ZT值0.54,比Mg1.9Ag0.1Si0.3Sn0.7的最大ZT值0.34提高了大约58%.根据Callaway理论,由于质量场波动和应变场波动增强声子散射,掺杂Ag和Li元素样品的晶格热导率比未掺杂样品明显降低.     

THE CRITICAL DYNAMICS OF THE KINETIC ISING MODELS ON THE SYSTEMS WITH Rmin> 2

We perform the exact TDRG transformations on the kinetic Ising model of the braced ladder whose R_min is 5. Within our knowledge, this is the only example that the exact TDRG transformations have been performed on a system with R_min >2. We show that under Achiam's linear response theory there must be important excitations of the multi-spin operators in the kinetic Ising models of the systems with R_min > 2, the dynamic critical behaviours of the systems are greatly affected by these excitations. Moreover, we get the conclusion that for the kinetic Ising models of the systems with R_min=∞ exact TDRG calculationa are impossible. The complete new and interesting results are given.     

癌基因MDM2阻断剂的分子结构的NMR研究

根据P53-MDM2复合物晶体结构,设计合成了非肽类小分子作为MDM2的阻断剂.利用超导核磁共振波谱仪,测定了化合物的¹H谱、¹³C谱、¹H-¹H COSY谱、HMQC和HMBC谱,确定了化合物的结构,归属了化合物的¹H、¹³C化学位移,为筛选抗癌活性化合物提供了理论依据.     

ZnAl2O4:Cr3+晶体4A2基态ZFS及其三角晶格畸变研究

用对角化哈密顿矩阵的方法,借助New man晶场叠加模型,研究了ZnAl₂O₄:Cr³⁺晶体的基态零场分裂(ZFS)及其电子光谱,理论结果与实验一致.定量研究表明,掺杂晶体ZnAl₂O₄:Cr³⁺中,络离子(CrO₆)^9-局域结构应有压缩的三角畸变(△θ=3.06°).同时指出,自旋二重态对⁴A₂基态ZFS参量b₂⁰的贡献不可忽略,而对g因子的贡献甚微.     

硅—二氧化硅界面过渡区的XPS研究

本文报道了用X射线光电子能谱的角度效应研究硅-二氧化硅界面过渡区的结果。样品为(111)取向的硅单晶片上低温(700℃)氧化生成的超薄氧化膜,膜的厚度不大于50?。氧化膜与单晶衬底中Si_2p光电子谱峰之间的化学位移(δ)和强度比(I_0x/I_si)随光电子发射角(θ)的变化明显地偏离理想界面所预期的结果,表明在硅-二氧化硅的界面处存在化学比为SiO_x(0yO_4-y(0≤y≤4)型四面体。比较实验曲线与随机成键模型的计算结果,估计出过渡区的宽度不大于20?,小于Si_2p光电子在二氧化硅中的平均逃逸深度。对改变氧化时间结合Ar⁺刻蚀制得的氧化膜厚度不同的样品所作的测量,得到与角度实验相一致的结果。 关键词：     

STUDY OF DOPING EFFECT ON THE Bi2Sr2Ca2Cu3Oy SUPERCONDUCTOR

We have systematically investigated the doping effect on the Bi₂Sr₂Ca₂Cu₃O_y superconductive material. After entering into the crystal lattice, Pb and/or Sb atoms cause not only variations of the temperature condition during the sample preparation process, but also variations of structures and superconductivity. By analyzing the experimental results, we have come to the conclusion that the Pb and/or Sb atoms enter into the Bi-O planes, preferably occupy the sites of Bi ions, regulate the crystal structures and the distribution of oxygen ions in Bi-O planes and nearby lattice sites, thus benefiting the formation of the high-T_c phase and improving the superconductivity.     

包钴型r_Fe_2_O_3磁粉矫顽力增大原因的探讨

针状r_Fe_2_O_3 磁粉与Co++ 和Fe++ 溶液或Co(OH)_2_起反应, 在每颗颗粒上包上了一层Co 铁氧体.经这样处理后的r_Fe_2_O_3 磁粉的矫顽力可由原来的420 Oe增大到770 Oe左右.研究了这种磁粉的矫顽力Hc随磁粉密度以及温度的变化等, 认为这种磁粉矫顽力增大的原因是由于增加了磁粉的表面各向异性所致. 关键词：     

THE ANALYTICAL RESULT OF THE EFFECT OF THE VIRTUAL QUARK LOOPS TO SU(2) AVERAGE PLAQUETTE ENERGY

By using hopping parameter expansion and cumulant expansion, as an example, we calculate analytically the effect of fermion determinant to average plaquette energy < E_p > up to k⁶ order. The corrections of the fermion determinant to < E_p > are controllable small in our approximation.     

用2D-NMR研究暗霉素T的化学结构

该文用NMR方法研究暗霉素T的化学结构.从1D谱和几种2D技术确认了暗霉素T是氨基糖苷类化合物.讨论了化合物的构型,并通过改变溶剂推断了氨基的连接位置.     

SU(2)格点规范理论SIN作用量在有限温度下的解除禁闭的相变

我们对SU(2)群格点规范理论的Sinl-Sin((1/2)T_rU_p)作用量做了有限温度下的Monte Carlo计算,观察到一个高温下解除禁闭的相变。临界点是Tc≈334±40Mev,这与使用Wilson作用量及其它类型作用量所得结果可以相容。     

吩噻嗪/二氧化钛胶体体系光诱导自由基的研究

用ESR研究了吩噻嗪(PTH)/乙二醇体系和PTH/乙二醇/TiO₂(CdS,ZnO)体系中光诱导产生的自由基PTH·⁺,发现在前者中PTH·⁺是通过光电离产生的,但在后者中PTH·⁺除通过光电离产生外,还经¹PTH^*及³PTH与TiO₂(CdS,ZnO)间的单电子转移来形成,而且PTH·⁺还与TiO₂(CdS,ZnO)发生进一步的单电子转移生成反磁性离子PTH²⁺