X射线光电子能谱

X射线光电子能谱（X-ray photoelectron spectroscopy, XPS）技术也被称作用于化学分析的电子能谱（electron spectroscopy for chemical analysis,ESCA）.XPS属表面分析法,它可以给出固体样品表面所含的元素种类、化学组成以及有关的电子结构重要信息,在各种固体材料的基础研究和实际应用中起着重要的作用.文章简要介绍了XPS仪器的工作原理和分析方法,并给出了XPS在科学研究工作中的应用实例.     

X射线光电子能谱

X射线光电子能谱（X-ray photoelectron spectroscopy，XPS）技术也被称作用于化学分析的电子能谱（electron spectroscopy for chemical analysis，ESCA）．XPS属表面分析法，它可以给出固体样品表面所含的元素种类、化学组成以及有关的电子结构重要信息，在各种固体材料的基础研究和实际应用中起着重要的作用．文章简要介绍了XPS仪器的工作原理和分析方法，并给出了XPS在科学研究工作中的应用实例．     

Gd掺杂的Bi系2212相单晶电子状态的X射线光电子能谱研究

利用X射线光电子能谱(XPS)研究了Bi系纯2212相超导单晶和Gd掺杂的2212相绝缘体单晶的电子状态的区别。实验结果表明Gd掺杂引起超导电性的变化是由于D_2p轨道空穴填充引起。本文还对Cu2p_3/2XPS卫星峰与主峰强度之比(I_s/I_m),Bi-O层性质以及Bi系Fermi能级附近态密度的来源等问题进行了讨论。 关键词：     

X射线三晶衍射研究YBa2Cu3Oy超导薄膜

应用X射线三晶衍射对LaAlO₃衬底上生长的YBa₂Cu₃O_y薄膜中的应力水平、存在的主要缺陷,以及薄膜与衬底的失配和取向关系等进行了研究。结果表明,薄膜在衬底上几乎完全松弛,应力很小,薄膜存在较严重的晶格取向差缺陷,这是影响薄膜晶体结构完整性的主要因素。此外,衬底与薄膜在垂直于表面和平行于表面方向都存在取向差。 关键词：     

Fe离子注入多晶Al2O3的光电子能谱研究

本文应用光电子能谱(XPS)方法分析Fe离子注入多晶Al₂O₃样品中各离子的存在状态。通过微机对谱峰进行高斯拟合处理,得出注入离子Fe不同价态的相对含量。 关键词：     

发光多孔硅的X射线光电子能谱深度剖析

用X射线光电子能谱测量了经电解腐蚀后硅片表面的发光物质.发现发光膜中与发光有关的物质为硅氧化合物,其成分与二氧化硅接近,但O/Si小于2,并含有约百分之一数量级的氟,由氩离子刻蚀条件估算发光膜的厚度为微米数量级.随氩离子束的轰击,发光膜的发光强度下降,波长红移. 关键词：     

ITO靶材黑化物的X射线光电子能谱研究

利用X射线光电子能谱（XPS）分析了ITO靶材黑化物的化学组成，结果表明黑化物由In、Sn、O和C组成，相对原子百分含量In为34．35％，Sn为2．74％，O为52．65％，C为10．26％；In、Sn处于亚氧化状态；C有部分氧化。与原始靶材相比，黑化物的元素组成和化学状态发生了明显的变化。择优溅射最可能引起成分比例失常，真空残余的合C气体和泵油蒸汽被认为是污染C的直接来源。     

GexSb20Se80-x玻璃的拉曼光谱和X射线光电子能谱

用拉曼散射光谱和X射线光电子能谱研究了Ge_xSb₂₀Se_80-x(x=5 mol%, 10 mol%, 15 mol%, 17.5 mol%, 20 mol%和25 mol%)玻璃的结构. 通过对拉曼光谱和X射线光电子能谱(Ge 3d, Sb 4d 和Se 3d谱)进行分解, 发现当硫系玻璃处于富Se状态下时, 玻璃结构中会出现Se–Se–Se结构单元, 其数量随着Ge含量的增加而迅速减少, 并最终在Ge₁₅Sb₂₀Se₆₅玻璃结构中消失; Ge和Sb原子分别以GeSe_4/2 四面体和SbSe_3/2三角锥结构单元在玻璃结构中出现, GeSe_4/2四面体结构单元的数量会随着Ge浓度的增加而增加, 而SbSe_3/2三角锥结构单元的数量基本保持稳定. 另一方面, 在缺Se的硫系玻璃中, 玻璃会有Ge–Ge和Sb–Sb同极键产生, 随着Ge含量的增大, 这种同极键的数量会越来越多; 而GeSe_4/2四面体和SbSe_3/2三角锥结构的数量则相应减少. 在所有玻璃样品的结构中均有同极键Se–Se的存在. 当玻璃组分越接近完全化学计量配比时, 异质键Ge–Se和Sb–Se将占据玻璃结构中的主导地位, 同极键Ge–Ge, Sb–Sb和Se–Se 的比例降为最小.     

X-RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY STUDY ON ELECTROCHROMIC V2O5 THIN FILM

Nanocrystalline V₂O₅ thin films were reactively radio-frequency magnetron-sputtered under optimal deposition parameters. Their electrochemical and electrochromic characteristics were investigated by cyclic voltammetry and in-situ monochromatic transmittance measurements. Upon lithium intercalation, V₂O₅ thin films showed a double electrochromic behavior depending on the wavelength and the intercalation extent. X-ray photoelectron spectroscopy results showed that part of the V⁵⁺ in V₂O₅ was reduced to V⁴⁺ during the Li⁺ intercalation process.     

YBa2Cu3O7-x的金属-绝缘体转变

借助于局域化的标度理论,我们对层状结构系统引进一个由电导各向异性或层间耦合决定的有效维度,认为电导的减小和有效维度的降低是YBa₂Cu₃O_7-x和其它氧化物金属-绝缘体转变的原因,同时也讨论了有限温度的标度理论以解释正常态电阻率的温度行为。 关键词：     

Yba2Cu3O7-δ不可逆线与钉扎势的关联

本文分别测量了熔融织构YBa₂Cu₃O_7-δ高温超导体不可逆线与钉扎势U₀,发现该样品的不可逆线在温区72—85K范围内呈指数形式B^*-e^(-T*/T_c)函数关系,而且在温度77K,不可逆线并不能与磁测量临界电流密度J_c=0相对应,我们认为高温超导体的不可逆线的函数形式与样品的钉扎势紧密关联。 关键词：     

YBa2Cu3O7-δ中正交-四方相变的级次

研究了YBa₂Cu₃O_7-δ正交相和四方相中氧在Cu(1)-O基平面上跳动引起的两低频内耗峰;研究了在正交-四方相变过程中它们随氧含量的变化规律,并据此分析了YBCO中正交-四方相变的级次,认为在～200℃该相变实际上可能是一个一级相变。 关键词：     

DETERMINATION OF THE OXYGEN CONTENT IN YBa2Cu3O7-y FILMS

A method for determination of the oxygen content (y) in YBa₂Cu₃O_7-y films has been established, in which the lattice conetant difference (b-a) of the films was measured and used to fit the function of (b-a) vs y for the experimental data of bulk YBaaCuaO?-y given in the literature. It is suggested that the function of (b-a) vs y can indeed be used in the case of film. In this process the twin structure of the YBa₂Cu₃O_7-y films was used.     

用穆斯堡尔效应研究YBa2Cu3O7-δ中的磁有序

以⁵⁷Fe作为探针,用穆斯堡尔效应研究YBa₂Cu₃O_7-δ的磁有序与超导电性的关系。实验结果可以用非声子超导机制进行定性解释。 关键词：     

高Tc氧化物YBa2Cu3Oy超导体中的磁通蠕动

利用观察磁化随时间变化的方法研究了高T_c氧化物YBa₂Cu₃O_y超导体临界态的磁通蠕动。实验结果表明,零场冷却的样品,加一个所选定场值的磁场,产生的磁化随对数时间线性衰减,同时伴随有磁通跳跃的发生。磁化衰减速率dM/dlnt随外场H的变化在H=3H_P附近有一峰值,并认为与弱连结超导电性的存在有关。在77K以上温度,dM/dlnt随温度的升高而单调减小。讨论了钉扎磁通的热激活能U_{0关键词：}     

YBa2Cu3O7-x高温导电性的研究

本文将以YBa₂Cu₃O_7-x的高温实验为基础,分析和讨论了氧对YBa₂Cu₃O_7-x高温导电性的影响以及一维Cu—0链的导电作用。还报道了一种新现象,即在高温下,一旦氮气被换成氧气,YBa₂Cu₃O_7-x就迅速地发生从半导体到金属的结构相变。 关键词：     

YBa2Cu3O7超导管内磁场与外磁场的关系

本文报道了当外磁场H_e较低时(H_e<4H_rm,其中H_rm是超导管的最大捕获磁场),超导管的内磁场H_i与时间及外磁场的关系可表示为H₀+B₀(lnt+1-exp(-t/τ)),式中B₀Int与磁通蠕动有关,B_c(1-exp(-t/τ))与外磁场引起的磁通扰动有关。扰动随时间很快衰减.H₀,B₀及1/τ随外磁场增加,在H_e>H_rm时,这几个量增加较大。当直流外磁场H_e<1/2H_rm时,超导管可将其完全屏蔽,对交流场不能完全屏蔽,但其屏蔽效果仍优于最好的金属屏蔽筒。 关键词：