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采用离子注入法制备了钴离子掺杂的金红石相TiO2样品;离子注入能量、注量分别为40 keV(1×1016cm-2),80 keV(5×1015,1×1016,5×1016,1×1017cm-2),120 keV(1×1016cm-2). 通过XRD,XPS和UV-Vis等手段对掺杂前后样品的结构和光学性能进行了表征,分析了掺杂元素在金红石TiO2中的存在形式. XRD测试表明随着注入能量的增加晶体的损伤程度增加. UV-Vis测试表明掺杂后所有样品在可见光区的吸收增强; 并且随着注量的增加,注量为5×1015cm-2到5×1016cm-2范围内注入样品的光学带隙逐渐变小.
关键词:
钴
二氧化钛
离子注入
掺杂 相似文献
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采用高温固相法制备了SrZn2(PO4)2:Sn2+(SZ2P:Sn2+), SrZn2(PO4)2:Mn2+(SZ2P:Mn2+), SrZn2 (PO4)2:Sn2+, Mn2+(SZ2P:Sn2+, Mn2+) 荧光粉. 通过X射线衍射、激发和发射光谱详细研究了荧光粉的物相和发光性质. 在SrZn2(PO4)2 基质中, Sn2+离子发射光谱是峰值位于461 nm宽带谱, 归属于Sn2+离子的3P1→1S0能级跃迁, SZ2P:Mn2+激发光谱由基质吸收带(200–300 nm)和位于352, 373, 419, 431和466 nm的一系列激发峰组成, 分别对应Mn2+离子的6A1(6S)→4E(4D), 6A1(6S)→4T2(4D), 6A1(6S)→[4A1(4G), 4E(4G)], 6A1(6S)→4T2(4G)和6A1(6S)→4T1(4G)能级跃迁, 因此, SZ2P:Sn2+ 的发射光谱与SZ2P:Mn2+的激发光谱有较大范围的重叠. 结果表明Sn2+对Mn2+发光有明显的敏化作用. 基于Dexter电多极相互作用能量传递公式和Reisfeld近似原理分析, 荧光粉SZ2P:Sn2+, Mn2+中Sn2+-Mn2+离子之间的能量传递机理属于电四极-电四极相互作用引起的共振能量传递, 并计算出Sn2+-Mn2+离子之间能量传递临界距离Rc ≈ 1.78 nm. 通过改变Sn2+, Mn2+离子掺杂浓度, 实现了荧光粉发光颜色的调节, 在254 nm短波紫外激发下荧光粉发出较强的蓝白光. 研究结果表明SZ2P:Sn2+, Mn2+荧光粉有望应用于紧凑型节能灯照明领域, 随着半导体紫外芯片技术的发展, 有潜力应用于未来的白光发光二极管照明领域. 相似文献
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本工作利用光学多道分析仪(OMA Ⅲ)测量了脉冲TEA CO2激光诱发的SiH4等离子体内H Balmer系的Hα,Hσ和Hγ线的线型。结果表明,三条谱线的FWHM(半值全宽度)随跃迁上能级的主量子数的增加而增加,即△λ1/2(Hα)<△λ1/2(Hβ)<△λ1/2(Hγ)。通过对等离子体内各类加宽机制的讨论,得出等离子体内谱线的主要加宽机制为Stark加宽。由Hα线的实验线型与Stark加宽理论线型的拟合,得到等离子体的两个重要参量,平均电子密度N≈1017cm-3,电子温度T≈40 000K。由Hβ线的时间分辨测量得到等离子体的电子密度随时间的演变曲线。
关键词: 相似文献
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采用LP-MOCVD技术在n-GaAs衬底上生长了AlGaInP/GaInP多量子阱红光LED外延片.研究表明退火对外延片性能有重要影响.与未退火样品相比,460℃退火15min,外延片p型GaP层的空穴浓度由5.6×1018cm-3增大到6.5×1018cm-3,p型AlGaInP层的空穴浓度由6.0×1017cm-3增大到1.1×1018cm-3.但退火温度为780℃时,p型GaP层和p型AlGaInP层的空穴浓度分别下降至8×1017cm-3和1.7×1017cm-3,且Mg原子在AlGaInP系材料中的扩散加剧,导致未掺杂AlGaInP/GaInP多量子阱呈现p型电导.在460~700℃退火范围内,并没有使AlGaInP/GaInP多量子阱的发光性能发生明显变化.但退火温度为780℃时,AlGaInP/GaInP多量子阱的发光强度是退火前的2倍. 相似文献
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利用XRD、VUV及UV光谱等方法对Ce3+、Tb3+离子掺杂以及Ce3+、Tb3+离子共掺的3种BaCa2(BO3)2荧光粉的相纯度、发光性质、浓度猝灭现象进行研究。结果表明:3种荧光粉在VUV波段有较好的吸收,基质吸收带位于140~190 nm范围。Ce3+在BaCa2(BO3)2的最低4f5d跃迁带位置在360 nm附近,其5d→2FJ(J=5/2, 7/2)发射峰分别位于393,424 nm。Tb3+掺杂的样品在172 nm激发下的发射光谱由4个窄带组成,分别对应5D4→7FJ(J=3,4,5,6)的跃迁,其中占主导位置的是5D4→7F5的跃迁,大约位于543 nm处,主要为绿光发射。在Ce3+,Tb3+离子共掺杂的BaCa2(BO3)2光谱中,观察到Ce3+-Tb3+离子间有能量传递。 相似文献
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研究了金属有机物化学气相沉积法制备的不同厚度InN薄膜的位错特性与光电性质.基于马赛克微晶模型,通过X射线衍射非对称面摇摆曲线测量,拟合出样品刃型位错密度分别为4.2×1010cm-2和6.3×1010cm-2,并发现样品的微晶扭转角与位错密度随薄膜厚度增加而减小.通过室温霍尔效应测量得到样品载流子浓度分别为9×1018cm-3和1.2×1018cm关键词:
氮化铟
位错
载流子起源
局域态 相似文献
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We report a determination of the density of singly-occupied dangling bonds at the a-Si:H/a-SiNx:H interface obtained from ESR measurements of superlattice structures. The surprisingly low result of 1.3 × 1010 cm?2 calls for a reexamination of previous transport and optical measurements. The ESR data do not preclude a high interface density of charged dangling bonds. 相似文献
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本文从a-Si:H体材料的缺陷态模型出发,考虑在a-Si:H/a-SiNx:H超晶格中由于空间电荷转移掺杂效应,以及界面不对称引起的a-Si:H阱层的能带下降和弯曲,严格求解空间电势分布和电荷分布,发现a-Si:H阱层中能带的下降值远大于由界面电荷不对称所引起的两端电势能差,且随转移到阱层中的电荷总量的变化非常敏感。空间电荷分布比较平缓,当不对称参数K=0.9时,空间电荷浓度的最大差值不到两倍。在此基础上,计算了超晶格中光电导的温度曲线,发现引起超晶格中暗电导和光电导相对于单层膜增大的主要原因是转移电荷量的多少,而界面电荷不对称的影响则小得多。计算中对带尾态采用Simmons-Taylor理论,考虑a-Si:H中悬挂键的相关性,并用巨正则分布讨论其在复合过程中的行为。
关键词: 相似文献
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Composition-induced structural modifications in the quaternary CuIn1-xGaxSe2 thin films: bond properties versus Ga content
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In this paper the dependence of structural properties of the quaternary CuIn1-xGaxSe2 films with tetragonal structure on the Ga content has been systematically investigated by Raman scattering and x-ray diffraction spectra. The shift of the dominant A1 mode, unlike the lattice constants, does not follow the linear Vegard law with increasing Ga content x, whereas exhibits approximately polynomial change from 174 cm^-1 for CuInSe2 to 185 cm^-1 for CuGaSe2. Such behaviour should be indicative of presence of the asymmetric distribution of Ga and In on a microscopic scale in the films, due to Ga addition. The changes in the tetragonal distortion η lead to a significant variation in the anion displacement parameter U, which should be responsible for the evolution of bond parameters and resultant Raman bands with x. 相似文献