红外光谱法测定三唑锡中三环锡

三唑锡中三环锡含量大于等于10%时,以三环锡的红外特征吸收峰强度来直接测定三环锡;当三唑锡中三环锡含量小于10%时,以三唑锡的红外特征吸峰强度来测定三唑锡含量,再以衍生化法气相色谱测定得出的三唑锡和三环锡总量计算出三环锡含量.测定三环锡方法RSD为0.33%,回收率在100.1%-101.7%之间,测定三唑锡方法RSD为0.12%,回收率在100.6%-101.6%之间.     

微波辅助酸消解ICP-OES同时测定硫醇甲基锡中硫和锡的含量

硫醇甲基锡因其卓越的稳定性、良好的透明性、优异的兼容性和耐候性,目前是聚氯乙烯(PVC)加工过程中效果最好、使用最广泛的一类热稳定剂,其中硫和锡的含量是影响其质量和性能非常重要的指标,因此发展同时测定硫和锡的分析方法具有十分重要的意义。电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-OES)因其检出限低,线性范围宽,干扰小,可多元素同时分析,样品通量高,已被广泛用于复杂样品的分析。微波消解做样品前处理可大幅缩短消化时间,且样品和试剂的使用量少,相对于传统的敞开消解法,还可减少挥发性元素的损失。我们建立了一种微波辅助酸消解-ICP-OES同时测定硫醇甲基锡中的硫和锡的新方法,该方法简单、快速、准确、绿色、样品用量少。采用DX-181样品,通过与化学分析方法的测试结果相比较,优化了微波辅助酸消解体系和消解时间。在消解体系为HNO₃-HCl-HClO₄(v/v/v=9∶3∶1),消解时间为10 min的优化条件下,分别用标准加入法和标准曲线法测定了DX-181样品中硫和锡的含量,测定结果无显著性差异,与化学方法测定参考值的相对偏差均小于2%。最后选择标准曲线法测定了元素含量分别为高、中、低的三个样品(DX-181,DX-990,DX-960),相对偏差小于3%,加标回收率在99%～102%之间,结果令人满意。     

锡薄膜等温氧化研究

采用电子束蒸发制备金属锡薄膜,将其在250—400℃温度范围内进行等温氧化,研究锡薄膜的热氧化动力学机制.采用台阶仪、扫描电子显微镜、俄歇电子能谱仪和X射线衍射仪等方法研究锡薄膜氧化过程中厚度、组分、结构等演变.实验结果表明,在250—400℃温度范围内,锡膜氧化后氧化层按抛物线规律生长;转变活化能为0.34eV;锡膜氧化受到氧扩散机制的控制.研究得到氧化层的生长首先从形成SnO相开始,随着氧化的深入,SnO相分解形成Sn₃O₄相,最后转变为SnO_{2< 关键词：}     

聚乙烯醇增溶锡-二甲酚橙高灵敏显色反应体系测定痕量锡的研究

建立了用二甲酚橙作为显色剂直接测定痕量锡的新方法 ,锡与二甲酚橙在pH 3 5时形成的络合物 ,加入聚乙烯醇使稳定性大大提高 ,实验条件下显色络合物的最大吸收峰位于 5 4 4nm处 ,表观摩尔吸光系数ε =4 38× 10 5,线性范围为Sn 0 1～ 5 μg· (2 5mL) - 1 ,回收率为 97 4 %～ 10 1 1%。此方法选择性好、灵敏度高、操作简单 ,此方法用于分析水样中的微量锡 ,结果令人满意。     

氧化锌锡薄膜晶体管的研究

在ITO玻璃基底上用射频磁控溅射技术生长氧化锌锡(ZnSnO)沟道有源层、用PECVD生长SiO₂薄膜作为薄膜晶体管的栅绝缘层研制了薄膜晶体管(TFT), 器件的场效应迁移率最高达到μ_n=9.1 cm²/(V ·s),阈值电压-2 V,电流开关比为10⁴. 关键词： 氧化锌锡 薄膜晶体管 场效应迁移率     

光度法测定浮法玻璃下表面渗锡

研究了用二溴苯基羟基荧光酮比色法测定浮法玻璃下表面渗锡的反应条件。在0.2mol/L盐酸介质中,OP乳化剂（聚乙二醇对异辛基苯基醚）存在时,锡与该试剂形成橘黄色螯合物,最大吸收波长513nm,表观摩尔吸光系数为1.20×10^5L.mol^-1.cm^-1,锡的质量浓度在0—8μg/25mL范围内符合比耳定律。反应选择性好,不经分离直接测定浮法玻璃下表面渗锡。回收率试验在93.01%—106.85%之间。     

锡与有机锡的分光光度法研究

本文研究了锡和有机锡的分光光度法的最佳测定方法,该法简便,快速,灵敏,可测０．０５￣０．７μｇ／ｍＬ的锡,加入已知锡的回收率在９４％￣１０６％之间。     

谱线宽度法测定粉末样品中高含量锡

本文利用谱线宽度方法测定了钽锡矿物样品的高含量元素Ｓｎ，讨论了外加内标元素Ｐｂ的含量分别在１％，２％和３％时对分析结果的影响，实验结果表明，Ｐｂ的不同加入量使得光谱分析的准确度和精密度的所变化。     

超导锡膜中的非平衡中间电阻态

用检测结来观察超导锡膜中的电阻态.当准粒子注入电流超过阈值耐出现电阻.电阻首先出现在部分区域,而不是均匀分布在整个结区.     

电感耦合等离子体发射光谱法测定铝合金中痕量锡

本文报道了电感耦合等离子体发射光谱法测定铝合金中痕量锡，通过标准样品分析，加标回收实验以及对铝合金实际样品的不同分析测试手段锡的测定结果的相互对照，分析结果令人满意。该方法简便，快速，灵敏度高，适合于铝合金中低含量锡的分析测定。     

氢化—ICP光谱法测定罐头食品中痕量锡

本文将锡的氢化反应机理研究的结论应用于分析罐头食品中痕量锡。试样消解后,用纯化过的NaOH或KOH中和,然后酸化至0.10～0.12mol/L盐酸酸度,使之与KBH_4(0.25mol/L)中的KOH浓度(0.10mol/L)相匹配。实验参数与文献所报道的相似。     

氧化铟锡薄膜的二阶非线性光学特性研究

利用二次谐波产生技术研究了氧化铟薄膜的非线性光学特性.氧化甸锡薄膜中多晶晶粒的优先取向,使其产生了非常强的二次谐波信号,并且在一定的薄膜存度以上,随薄膜厚度的增加二次谐波信号显著增强.由于多晶晶粒的优先取向使得薄膜基板平面内存在着非常明显的非线性光学各向异性.     

催化动力学光度法测定痕量锡（Ⅱ）

研究了稀硫酸介质中，锡（Ⅱ）催化溴酸钾氧化酸性蓝Ｋ的褪色反应，建立了催化动力学光度法测定痕量锡（Ⅱ）的新方法。用于天然水中痕量锡（Ⅱ）的测定，结果满意。     

塞曼石墨炉原子吸收光谱法测定粉尘降尘中痕量锡

以KOH熔样,又以KOH作基体改进剂,研究了测定锡的灰化温度、原子化行为和消除干扰及试样前处理的方法,以KOH熔解的粉尘及降尘样液,特别适用于塞曼石墨炉的测定,背景可完全扣除。方法简便、快速、准确,灵敏度和精度高。相对标准偏差为4.0%,回收牢在96.4～110%范围内。     

电镀法在氧化铟锡上制备铜锌锡硫薄膜的光谱特征

低成本、环境友好的铜锌锡硫替代含贵金属和有毒金属的铜铟镓硒,是薄膜太阳能电池的最佳选择。电镀法是一种无需真空设备和靶材的低成本方法。一种更简单的制膜方法是在水溶液中共电镀沉积Cu-Zn-Sn（CZT)合金于FTO衬底上。采用氩气保护气氛下在550 ℃硫化电镀法制得的CZT合金前驱体,成功制备了CZTS薄膜。采用三电极体系将CZT合金前驱体电镀在FTO上,其中FTO作为工作电极,铂（Pt）网和Ag/AgCl分别作为对电极和参比电极。电解质由CuSO₄,ZnSO₄,SnSO₄,络合剂-三乙醇胺（TEA）和柠檬酸钠组成。前驱体在氩气保护气氛下550℃硫化得到CZTS薄膜。采用X射线衍射（XRD）、拉曼光谱、扫描电子显微镜（SEM）、紫外可见光光谱仪和光电化学测量（PEC）等方法,表征了CZTS薄膜的结构、形貌、成分和光谱学性质。XRD和拉曼光谱证明了550 ℃硫化后的CZTS薄膜具有锌黄锡矿结构。一个Raman主峰位于342 cm-1,两个Raman次强峰分别位于289和370 cm-1,这些峰位与锌黄锡矿CZTS的峰位相吻合。SEM结果证明优化后CZTS薄膜成分接近CZTS的理想化学计量比,CZTS薄膜中Cu/(Zn+Sn）和 S/(Zn+Sn+Cu)分别为0.52和1.01,这表明CZTS薄膜中S的含量非常合适。PEC结果证实,采用前照射或后照射FTO/CZTS均产生光电流,并且两种照射下产生的光电流方向一致。通过紫外可见光光谱测量并由此计算出的CZTS能隙为1.45 eV。通过上述分析证明制备的CZTS薄膜具有高品质,可用于制备CZTS薄膜太阳能电池。     

透明导电氧化铟锡薄膜的特殊应用

阐述了氧化铟锡（ＩＴＯ）薄膜的气敏特性及其导电扩散阻挡作用，对ＩＴＯ气敏薄膜及扩散阻挡层薄膜的制备过程、测试方法和应用进行了研究讨论。     

羟化三苯基锡的合成及晶体结构研究

本文研究了在乙醇钠的存在下,三苯基氯化锡发生的水解反应,得到了羟化三苯基锡.通过元素分析、红外光谱和核磁共振氢谱对其结构进行了表征,并用X射线单晶衍射测定了它们的晶体结构.化合物为单斜晶系,空间群P21/n,a=0.83000(19)nm,b=1.0365(2)nm,c=1.8026(4)nm,β=95.472(7)°,Z=4,V=1.5507(6)nm3,Dc=1.572g/cm3,μ=1.640mm-1,F(000)=728,R1=0.0309,WR2=0.0706,化合物中,中心锡原子为五配位的三角双锥构型,且通过配位氧原子连成无限链状.     

基于氧化铟锡的无结低电压薄膜晶体管

在室温下制备了基于氧化铟锡(ITO)的底栅结构无结薄膜晶体管. 源漏电极和沟道层都是同样的ITO薄膜材料,没有形成传统的源极结和漏极结, 因而极大的简化了制备流程,降低了工艺成本.使用具有大电容的双电荷层SiO₂作为栅介质, 发现当ITO沟道层的厚度降到约20 nm时, 器件的栅极电压可以很好的调控源漏电流. 这些无结薄膜晶体管具有良好的器件性能: 低工作电压(1.5 V), 小亚阈值摆幅(0.13 V/dec)、 高迁移率(21.56 cm²/V·s)和大开关电流比(1.3× 10⁶). 这些器件即使直接在大气环境中放置4个月, 器件性能也没有明显恶化:亚阈值摆幅保持为0.13 V/dec,迁移率略微下降至18.99 cm²/V·s,开关电流比依然大于10⁶.这种工作电压低、工艺简单、 性能稳定的无结低电压薄膜晶体管非常有希望应用于低能耗便携式电子产品以及新型传感器领域.