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用分子束外延生长了23周期的Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格,用计算机控制的衍射仪(Cu K_α辐射)测量了X射线衍射曲线,共观察到13级超晶格结构的衍射峰。超晶格的周期和Ge平均含量可以根据考虑折射修正的布喇格定律得出。用光学多层膜反射理论分析衍射曲线可以确定超晶格的结构参数,第2级衍射峰与第一级峰的强度比对应于超晶格两种材料的相对厚度变化非常灵敏,通过比较实验和计算的I_2/I-1值,可以确定Si,Ge_xSi_(1-x)层的厚度以及合金组份x。用光学多层膜反射理谁计算得到的衍射曲线与实验曲线趋于一致。 相似文献
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在Si(100)衬底上用分子束外延在不同的温度下生长了不同组份的GexSi1-x/Si应变层超晶格。用反射式高能电子衍射、X射线双晶衍射、卢瑟福背散射、透射电子显微镜以及Raman。散射等测试方法研究了GexSi1-x/Si超晶格的生长及其结构特性。结果表明,对不同合金组份的超晶格,其最佳生长温度不同。x值小,生长温度高;反之,则要求生长温度低。对于x为0.1—0.6,在400—600℃的生长温度范围能够长成界面平整、
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用磁控溅射方法在玻璃基底上制备了非晶Si/SiO2超晶格.利用透射电子显微镜 (TEM) 和X射线衍射技术对其结构进行了分析,结果表明,超晶格中Si层大部分区域为非晶相,局域微区呈现有序结构,其厚度由1.8—3.2nm变化,SiO2层厚度为4.0nm.并采用多种光谱测量技术,如吸收光谱、光致发光光谱和Raman光谱技术,对该结构的光学性质进行了系统研究.结果表明,随纳米Si层厚度的减小,光学吸收边以及光致荧光峰发生明显蓝移,Raman峰发生展宽,即观测到明显的量
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用X射线衍射动力学理论,模拟计算InP衬底上InGaAs/AllnAs超晶格和InGaAs单层膜的X射线双晶摇摆曲线,计算结果表明:薄膜界面粗糙对单层膜的衍射峰和超晶格的零级衍射峰影响较小,但却明显影响单层膜衍射干涉条纹和超晶格的±1级卫星峰,随着平均界面粗糙度的增大,单层膜衍射干涉条纹强度减弱并趋于消失;超晶格的±1级卫星峰变弱并逐渐展宽,理论计算的模拟双晶摇摆曲线与超晶格实验曲线比较表明:高质量匹配In0.53Ga0.47As(85?)/Al0.4
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采用经验紧束缚理论,以类似闪锌矿结构的晶体模型模拟GexSi1-x合金,根据总能最小原则计算了GexSi1-x合金中的键长及点阵常数.同时以紧束缚方法计算了原子位置发生弛豫前后的电子能带结构,并与虚晶近似下的计算结果进行了比较.计算结果表明,GexSi1-x合金中的键长基本上与合金组分无关,各自接近于Ge,Si晶体中的键长,与广延x射线吸收精细结构(EXAFS)测量结果符合得
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室温300K下,由于AlxGa1-xN的带隙宽度可以从GaN的3.42eV到AlN的6.2eV之间变化,所以AlxGa1-xN是紫外光探测器和深紫外LED所必需的外延材料.高质量高铝组分AlxGa1-xN材料生长的一大困难就是AlxGa1-xN与常用的蓝宝石衬底之间大的晶格失配和热失配.因而采用MOCVD在GaN/蓝宝石上生长的AlxGa1-xN薄膜由于受张应力作用非常容易发生龟裂.GaN/AlxGa1-xN超晶格插入层技术是释放应力和减少AlxGa1-xN薄膜中缺陷的有效方法.研究了GaN/AlxGa1-xN超晶格插入层对GaN/蓝宝石上AlxGa1-xN外延薄膜应变状态和缺陷密度的影响.通过拉曼散射探测声子频率从而得到材料中的残余应力是一种简便常用的方法,AlxGa1-xN外延薄膜的应变状态可通过拉曼光谱测量得到.AlxGa1-xN外延薄膜的缺陷密度通过测量X射线衍射得到.对于具有相同阱垒厚度的超晶格,例如4nm/4nm,5nm/5nm,8nm/8nm的GaN/Al0.3Ga0.7N超晶格,研究发现随着超晶格周期厚度的增加AlxGa1-xN外延薄膜缺陷密度降低,AlxGa1-xN外延薄膜处于张应变状态,且5nm/5nmGaN/Al0.3Ga0.7N超晶格插入层AlxGa1-xN外延薄膜的张应变最小.在保持5nm阱宽不变的情况下,将垒宽增大到8nm,即十个周期的5nm/8nmGaN/Al0.3Ga0.7N超晶格插入层使AlxGa1-xN外延层应变状态由张应变变为压应变.由X射线衍射结果计算了AlxGa1-xN外延薄膜的刃型位错和螺型位错密度,结果表明超晶格插入层对螺型位错和刃型位错都有一定的抑制效果.透射电镜图像表明超晶格插入层使位错发生合并、转向或是使位错终止,且5nm/8nmGaN/Al0.3Ga0.7N超晶格插入层导致AlxGa1-xN外延薄膜中的刃型位错倾斜30°左右,释放一部分压应变. 相似文献
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采用经验的紧束缚方法对生长在Si(001)衬底上的应变合金GexSi1-x的光学常数进行了计算。应变对电子能带结构的影响,通过紧束缚参数随键角方向余弦的变化以及键长按经验的标度定则的变化而进行计算。其中标度指数根据对Ge和Si的畸变势常数的实验值进行拟合而确定。计算介电常数虚部时出现的动量矩阵元,根据对Ge和Si的介电常数虚部的实验曲线拟合而决定。列出了当x=0.2和1时的光学常数——介电常数虚部ε2、折射率n、吸收系数α和反射率R的计算结 相似文献
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R. Turan B. Aslan O. Nur M.Y.A. Yousif M. Willander 《Applied Physics A: Materials Science & Processing》2001,72(5):587-593
We have studied the effect of the strain relaxation on the band-edge alignments in a Pt/p-Si1-xGex Schottky junction with x=0.14 by internal photoemission spectroscopy and current–voltage measurements. We have shown that
the variations in the band-edge alignments can be observed directly by measuring the optical and electrical properties of
a simple Schottky junction. The strain in the Si1-xGex layer has been partially relaxed by thermal treatments at two different temperatures. The degree of relaxation and other
structural changes have been determined by a high-resolution X-ray diffractometer. Both optical and electrical techniques
have shown that the barrier height of the Pt/Si0.86Ge0.14 junction increases with the amount of relaxation in the Si1-xGex layer. This shows that the valence-band edge of the Si1-xGex layer moves away from the Fermi level of the Pt/Si1-xGex junction. The band-edge movement results from the increase in the band gap of the Si1-xGex layer after the strain relaxation. This result agrees with the theoretical predictions for the strain-induced effects on
the Si1-xGex band structure.
Received: 18 October 2000 / Accepted: 19 December 2000 / Published online: 23 March 2001 相似文献
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通过测量GeSi多量子阱的红外谱,同时观察到了相应于量子阱内重空穴基态HH1到重空穴激发态HH1、轻空穴激发态LH1和自旋分裂带SO及连续态间的跃迁吸收.测量了GeSi多量子阱探测器的正入射光电流谱,看到了明显的光响应峰.理论计算中计及了轻、重和自旋分裂带间的耦合及能带的非抛物性,并自洽考虑了哈特里势和交换相关势.与实验结果比较,认为带之间的耦合,使子带间的跃迁情况变得复杂,是正入射吸收产生的原因
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x Si1-x/Si heterostructures have been obtained. Here the chemical effects seem to be of less importance. The Fermi-level effect determines
the ionized boron solubilities in GexSi1-x and in Si, as well as the thermal equilibrium concentration of the singly-positively-charged crystal self-interstitials I+ which governs the boron diffusion process. The junction carrier concentration affects the concentration of I+ and solubility of B in the region and hence controls B diffusion across the heterojunction.
Received: 20 August 1998/Accepted: 23 September 1998 相似文献