从《2003年版日本电子封装技术发展规划》看PCB的发展趋势

以“2003年版日本电子封装技术发展规划”报告中的印制电路板相关内容为基本素材,从一般印制电路板(主板)、封装基板、埋入元器件基板三个方面阐述了未来印制电路板制造技术的发展趋势。     

埋入电子元件基板的技术动向

概述了埋入无源元件陶瓷基板,集成无源元件(IPD)硅基板,埋入无源部品或者无源部品和有源部品的树脂基板的技术动向。它适应于21世纪安装技术的革新。     

陶瓷电路基板的新型金属化技术

研制成功一种新型的陶瓷电路基板的金属化技术，它兼容了薄膜和厚膜技术的优点，采用ＳＥＭ研究了陶瓷基体的浸蚀特性。测量了金属化导体的附着强度、可焊性、薄层电阻、导热能力及微波损耗，并进行了温循和老化等可靠性试验。测试及应用结果表明，采用该技术可在氧化铝瓷基板上制作附着牢固的铜金属化电路图形，其机、电、热性能优良，可靠性好，为微波和混合集成电路衬底金属化技术开辟了新的工艺途径。     

电子陶瓷薄膜材料的集成及应用

阐述了近几年来国内外关于电子陶瓷材料的集成研究状况及发展趋势,指出了电子陶瓷薄膜材料的产品在诸多领域的重要应用。对电子陶瓷材料与微电子器件的集成,以及电子陶瓷在微传感器和MEMS中的应用情况作了重点介绍。     

陶瓷基板上的集成微电感模型与制作

对陶瓷基板上的集成微电感模型进行了分析.由于陶瓷基板的介电常数比Si基板低,电阻率极高,因此衬底损耗大大减小,从而有效提高了电感的Q值.同时,为了更好进行对比,研究中采用相同工艺在陶瓷基板和Si基板上同批制作了集成电感,两者的结构参数完全一致.测试结果表明,两者的电感值L基本相同,然而陶瓷基板上集成微电感Q值的峰值要比Si基板集成微电感高7左右,Si基板上Q值峰值在5 GHz以下,而陶瓷基板集成微电感的Q值峰值在10 GHz左右.     

95陶瓷散热基片生产中若干质量问题

介绍了95陶瓷散热基片生产过程中应控制的几个质量问题，重点分析了95瓷的配料，烧结及其基板金属化的附着力等。     

各向异性衬底上的高温超导(HTS)微带天线

分析了各向异性衬底上的高温超导微带天线特性.选取两种典型的高温超导各向异性介质--GaNdAlO3和SrLaAlO4作为高温超导微带天线的衬底,采用各向异性媒质中的谱域矩量法,对微带天线的输入阻抗和辐射效率进行了计算.计算和分析结果表明,高温超导衬底的各向异性特性会影响高温超导微带天线的性能,而且这种影响因衬底而异,同时,衬底特性随温度的变化也将影响天线的性能.     

陶瓷与金属电子器件的绿色活性封接技术

陶瓷与金属的连接是电子产品生产的关键环节。由于陶瓷和金属的物化、力学性能上存在巨大差异,对连接技术要求非常苛刻。通过对陶瓷与金属的常用连接方法的比较分析,提出了一种绿色活性电子器件封接技术,该技术能够在空气中不使用任何焊剂连接陶瓷与金属以及其他非金属组合,具有广泛的应用前景。通过对陶瓷与金属封接接头的力学测试和微观观察发现,接头剪切强度超过30MPa,连接界面良好;表明形成了性能和质量优良的钎焊接头。     

Substrate Dissolution and Shear Properties of the Joints between Bi-Ag Alloys and Cu Substrates for High-Temperature Soldering Applications

The present study investigated interfacial reactions between Cu substrates and Bi-Ag alloys during soldering. Without forming intermetallic compounds (IMCs), the molten solder grooved and further penetrated along the grain boundaries (GBs) of the Cu substrate. An increase in Ag content enhanced GB grooving, raised the dissolution rate and also the amount of dissolved Cu in molten Bi. A stoichiometric Cu-Bi phase formed isothermally in liquid solders and considerably affected the Cu dissolution kinetics. The results also show that Bi-Ag/Cu joints possessed a better shear strength than the Pb-Sn/Cu, which implies that mechanical bonding by grain-boundary grooves was strong enough to withstand shear deformation.     

一种直流供电的陶瓷金卤灯电子镇流器

设计了一款低压直流供电的陶瓷金卤灯电子镇流器.前级采用具有RCD吸收电路的反激变换器.提高镇流器的效率.后级采用低频方波全桥逆变电路.有效克服陶瓷金卤灯的声共振现象.利用单片机实现陶瓷金卤灯的平滑启动、精密恒功率控制、重启动以及各种异常状态保护.测试表明,该电子镇流器性能稳定,效率较高.     

用于氮化铝陶瓷基片的电子浆料

研制了用于ＡｌＮ陶瓷基片的导体银浆和电阻浆料。采用低ＰｂＯ含量晶化玻璃料配制银导体浆料，玻璃软化点４３０～４５０℃。电阻浆料采用ＰｂＯ（质量分数小于６％）的晶化玻璃料Ｂ、Ｃ、Ｄ三种，软化点分别为５２０℃、６９０℃、６１０℃。改变ＲｕＯ２与玻璃相的质量比，能控制电阻浆料的方阻值。质量比在５０比５０至１５比８５之间。加入添加剂ＭｎＯ２可改善电阻浆料的ＴＣＲ，阻值在２０Ω／□～１ＭΩ／□范围内，ＴＣＲ绝对值小于２００×１０－６／℃。     

陶瓷传感器的微型化与集成化

本文主要介绍陶瓷传感器在微型化及集成化方面的进展；指出了集成化多功能传感器存在的技术问题及未来发展趋势。     

利用软件线程集成技术实现嵌入式通信接口

文章阐述了在高温环境下（200℃）利用8位微控制器实现CAN通信网络与异步串行口通信（UART）的链接。软件上采用了一种全新的编译技术-软件线程集成技术，实现任务的并行性。本系统验证了软件线程集成技术在实际工程应用中的可行性。     

电子陶瓷化学镀及应用

电子陶瓷拥有优良的电学，热学和机械性能，是电子工业中使用广泛的高技术材料，采用化学镀方法在电子陶瓷表面可获得多种功能性镀层，满足电子工业的需要，综述了电子陶瓷化学镀工艺以及化学镀层的功能性。     

YAG调Q激光陶瓷基板划片机

分析了YAG调Q激光陶瓷基板划片的机理.提出了较完善的整机总体设计方案，解决了百瓦级YAG激光的声光调Q、工件走位高定位精度高重复精度与高速进给等关键技术，整机达到了预定指标和实用效果。     

硅衬底微波集成电路

硅衬底微波集成电路具有诱人的发展前景。本文阐述了硅材料用作微波集成电路衬底的优点,分析了硅衬底微波传输线、无源元件以及锗硅异质结双极晶体管（SiGeHBT)的电性能,介绍了目前国外硅衬底微波集成电路研究的进展,并对数字电路与RF及微波电路在硅衬底上混合集成的特点与应用作了讨论。     

陶瓷封装中PIND典型问题分析与处理

结合碰撞噪声检测试验及生产实际,通过列举法,从多余物定义及检测方法、PIND检测原理、导致PIND不合格的因素、PIND不合格的预防及控制等方面,对陶瓷封装中PIND典型问题进行了分析与探讨。重点研究了封装工艺中可能引入的多余物,并给出封装设计、工艺及PIND测试等关键环节的预防及控制措施,对陶瓷封装PIND问题分析与处理有一定借鉴意义。     

射频CO2激光陶瓷基板划片机

介绍了RFCO2 激光器及其对陶瓷基板划片的特点。分析了RFCO2 激光陶瓷基板划片的机理 ;给出了整机总体设计方案。对导光系统的激光束进行了模拟 ,给出了导光系统的光路图及聚焦镜焦平面处的光斑尺寸及能量分布图。整机性能指标达到国外进口机的水平     

电子装备综合一体化技术研究

通过对传统电子装备中各分系统共性结构的分析比较,提出了电子装备综合一体化设计思想,把不同类型、不同用途的电子设备进行有机结合,实现装备的多功能化、通用化、小型化。一方面可以构成综合性的电子作战装备,大大拓展装备的应用领域,同时也将形成强大的电子进攻力量和电子防卫力量,提高装备的作战效力。给出了通信与通信对抗一体化系统的详细设计。     

高性能氮化铝陶瓷基片生产关键技术研究

文章主要介绍氮化铝陶瓷基片生产的关键技术。重点研究了原材料控制、氮化铝基片配方、成型工艺、烧结技术、磨抛技术等五个方面的因素对氮化铝陶瓷基片生产的影响以及解决措施。通过研究发现添加3%左右的Y2O3作为烧结助剂,同时采用低温段缓慢升温的方法可以极大地提高氮化铝陶瓷基片的烧成质量。我们的研究,优化了生产工艺,提高了氮化铝陶瓷基片的质量和生产的成品率。