正常金属/dx2-y2+idxy混合波超导隧道结中的微分电导

运用Bogoliubov-de Gennes(BdG)方程和Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论,计算了正常金属/dx2-y2 idxy混合波超导隧道结中的准粒子输运系数和微分电导.研究表明:(1)影响电导谱中零偏压电导峰滑移的因素有杂质散射、dxy波分量、混合波两分量的强度比、界面的势垒散射强度、超导晶轴方位等,其中d-xy波分量的存在和超导晶轴方位是关键因素;(2)在θ=π/4的情况下,零偏压电导峰出现的条件为Δ2=0或α=nπ/4;(3)粒子的入射角对电导峰的高低有显著影响.     

s波超导体绝缘层dx2-y2波超导体结的直流Josephson电流

在s波超导体绝缘层dx2-y2波超导体结(sId)中,考虑到结界面粗糙散射,运用BogoliubovdeGennes(BdG)方程和FurusakiTsukada(FT)电流公式,计算超导结中的准粒子传输系数和直流Josephson电流.结果表明:sId超导结的直流Josephson电流随温度以及结两侧的相位差变化的关系曲线强烈地依赖于d波超导体的晶轴方位;结界面的粗糙散射对Josephson电流有抑制作用 关键词： s/I/d超导结 dx2-y2波超导体 直流Josephson电流     

正常金属-铁磁绝缘层-dx2-y2+idxy混合波超导结中的磁散射对隧道谱的影响

在正常金属铁磁绝缘层dx2-y2 idxy混合波超导隧道结中,考虑到铁磁绝缘层的磁散射和界面的粗糙散射效应,运用BogoliubovdeGennes(BdG)方程和BlonderTinkhamKlapwijk(BTK)理论,计算了隧道结中的准粒子传输系数和微分电导.研究表明:(1)磁散射和界面粗糙散射均可以压低电导峰,其中磁散射能使电导峰滑移,而粗糙界面散射却能阻止这种滑移,且两散射的共同作用可抑制由混合波两序参数的幅值比不同所导致的电导峰滑移;(2)随铁磁层离超导表面距离的增加,隧道谱在零偏压处由凹陷变成了零偏压电导峰,继而又演化为凹陷中的中心峰;(3)当铁磁层离开超导表面有若干相干长度时,隧道谱中将呈现一些子能级谐振峰.     

正常金属d_(x~2-y~2)+id_(xy)混合波超导结中的隧道谱

在Blonder-Tinkham-Klapwijk散射理论框架下,通过求解Bogoliubov-deGennes方程,计算正常金属dx2-y2+idxy混合波超导结中的准粒子输运系数和隧道谱。研究表明:隧道谱中的电导峰位置强烈地依赖电子的入射角、超导的晶轴方位和dxy波分量的强度。     

正常金属/铁磁绝缘层/p波超导体结的隧道谱

利用Blonder-Tinkham-Klapwijk理论,计算了正常金属/铁磁绝缘层/p波超导体结的隧道谱.结果表明:(1)在正常金属/铁磁绝缘层/p波超导体结的隧道谱中存在零偏压电导峰、零偏压电导凹陷;(2)在Px波结的隧道谱中,磁散射能导致零偏压电导峰的劈裂,而界面的粗糙散射却可以阻止其劈裂;(3)界面的势垒散射,磁散射及其与粗糙散射的共同作用对px、py波结零偏压电导的影响是不同的.     

硅烯/dx2-y2+idxy混合波超导隧道结隧道输运性质研究

运用Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论研究了硅烯/dx2-y2 +idxy 混合波超导隧道结的隧穿性质.研究发现:垂直施加的电场、超导配对势的方向角和两种混合波配对能隙的比值Δ1/Δ0 强烈地影响正常反射、Andreev反射和隧穿电导的值;当两种混合波的序参量比值较大时,隧道谱线在外加偏压E =Δ1 处出现谐振峰;系统的隧穿电导、正常反射幅和Andreev反射幅随超导方向角成周期性变化,变化周期为π/2;由于dxy-波的存在,通过改变外加电场可以对隧穿电流加以调控。     

正常金属/自旋三重态p波超导体结隧道谱的奇异性

利用Blonder，Tinkham和Klapwijk理论计算了正常金属/绝缘层/正常金属/自旋三重态的p波超导体结的隧道谱和平均电流.计算结果表明：在自旋三重态p波超导结的隧道谱中存在零偏压电导峰、零偏压电导凹陷和双凹陷结构，并有微分电导随偏压震荡的现象出现，在I-V曲线上出现电流台阶.这些结果在理论上支持Sr₂RuO₄的超导态是自旋三重态p波超导态. 关键词： 自旋三重态超导体 p波超导体 隧道谱     

量子线/绝缘层/p波超导体结的隧道谱

用Bogoliubov-de Gennes方程来研究量子线/绝缘层/p波超导体结(q/I/p)中的准粒子输运过程，利用推广的Blonder，Tinkham和Klapwijk模型计算绝对零度和有限温度下q/I/p的一级谐波隧道谱.和量子线/绝缘层/d波超导体结的一级谐波隧道谱不同的是q/I/p的一级谐波隧道谱中存在零偏压电导峰.随着q/I/p中绝缘层的势垒散射增强，q/I/p的一级谐波隧道谱中零偏压电导峰变高.     

有限温度下正常金属/d波超导体结的隧道谱中的零偏压电导峰

在Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK）理论框架下，通过求解Bogoliubov-de Gennes(BdG)方程，计算了考虑界面粗糙情形的正常金属／d波超导体结的零偏压电导峰值。研究表明：正常金属／d波超导体结的零偏压电导峰值随结的温度升高而降低，并强烈地依赖于d波超导体的晶轴方位和界面粗糙强度。     

Tunneling conductance in quantum wire/insulator/dx2 -y2 + idxy mixed wave superconductor junctions

Using the extended Blonder-Tinkham-Klapwijk (BTK) theory, this paper calculates the tunnelling conductance in quantum wire/insulator/dx2-y2 + idxy mixed wave superconductor (q/I/dx2-y2 + idxy) junctions. That is different from the case in d- and p-wave superconductor junctions. When the angle α between a-axis of the dx2-y2 wave superconductor and the interface normal is π/4, there follows a rather distinctive tunnelling conductance. The zero-bias conductance peak (ZBCP) may or may not appear in the tunnelling conductance. Both the interface potential z and the quasi-particle lifetime factor Γ are smaller, there is no ZBCP. Otherwise, the ZBCP will appear. The position of bias conductance peak (BCP) depends strongly on the amplitude ratio of two components for dx2-y2 + idxy mixed wave. The low and narrow ZBCP may coexist with the BCP in the tunnelling conductance. Using those features in the tunnelling conductance of q/I/dx2-y2 + idxy junctions, it can distinguish dx2-y2 + idxy mixed wave superconductor from d- and p-wave one.     

STRUCTURE ANALYSIS OF NEW SUPERCONDUCTOR MgB2

The superconductivity of a sintered pellet of the newly discovered MgB₂ superconductor has been studied with magnetic measurements and its crystal structure was analysed using the Rietveld method of powder X-ray patterns. It has hexagonal symmetry (S.G. P6/mmm) with unit cell lattice parameters a=0.308136(14)nm and c=0.351782(17)nm.     

镱、钠共掺的氟化钙晶体在1050nm的可饱和吸收作用

通过在稳定连续波运转的Yb:YAG 激光器中插入不同掺杂浓度的新型钠、镱共掺的氟化钙晶体的对比性实验,证明了镱、钠共掺的氟化钙晶体在1050nm具有明显的可饱和吸收作用,从而解释了该晶体作为增益介质在该波段总是趋于自调Q运转的原因.Yb³⁺离子是该晶体可饱和吸收作用的主要因素,但是共掺入适当的Na离子可以明显改善晶体的调Q效果.优化共掺镱、钠离子的浓度和比例后的氟化钙晶体能够作为1050nm波段激光器的被动Q开关. 关键词： 镱、钠共掺氟化钙 可饱和吸收体 调Q     

共掺Na+的Yb3+∶CaF2晶体的荧光分析与低阈值激光运转

基于975nm激发的室温下荧光光谱测量，系统地研究了在新型钠、镱共掺的氟化钙晶体中钠离子的作用机理，分析了掺钠离子浓度与激光阈值的关系，获得了具有最低激光阈值的掺杂浓度优化配比. 激光实验表明对于2%Yb³⁺离子浓度的氟化钙，掺入3%的钠离子能够获得最低阈值的激光运转，这与理论和荧光分析完全一致. 关键词： 镱、钠共掺氟化钙 荧光光谱 激光阈值     

花状NaY(MoO4)2的合成和(MoO4)2:Eu3+的光学性质

用微波辅助水热-煅烧法成功合成了花状NaY(MoO₄)₂颗粒,用XRD、XPS、FESEM进行了表征,提出了花状NaY(MoO₄)₂颗粒可能的形成机理. 采用相同的方法合成了NaY(MoO₄)₂:Eu³⁺荧光体,该荧光材料在612 nm处有一个强的发射峰,可用作白色发光二极管的红色磷光剂. 此外,微波辅助水热-煅烧法可能发展成为制备其他花状稀土钼酸盐的有效途径.     

980 nm激发下Er3+/Yb3+共掺杂ZrO2-Al2O3粉末的上转换发光特性

通过固相反应法制备了Er³⁺/Yb³⁺共掺杂ZrO₂-Al₂O₃粉末的样品，并对样品在980nm激光激发下的上转换发光特性进行了研究.从发射光谱可以发现，在可见光范围内有3个强的发光带，一个位于654nm附近的红光带和两个分别位于545nm、525nm附近的绿光带，分别对应于Er³⁺离子的以下辐射跃迁：⁴F_9/2→⁴I_15/2、⁴S_3/2→⁴I_15/2、 ²H_11/2→⁴I_15/2.其中又以Er³⁺离子的⁴F_9/2→⁴I_15/2跃迁产生的红色荧光辐射最强.对其上转换发光机制进行了分析，发现这三个发光过程都是双光子过程.对样品粉末进行了XRD检测，发现ZrO₂主要以立方相为主，并且计算得到了这种立方结构的晶格常数.Al₂O₃固溶于ZrO₂中，Al³⁺嵌入ZrO₂后产生氧空位，导致ZrO₂晶体的对称性降低，这种结构变化更有利于提高上转换效率，即上转换发光强度增强. 关键词： 3+/Yb³⁺')" href="#">Er³⁺/Yb³⁺ 上转换 2-Al₂O₃')" href="#">ZrO₂-Al₂O₃ 荧光 稀土     

281—332nm SO+2的光碎片激发谱研究

在超声分子束条件下，利用380.85nm的电离激光使SO₂分子经由［３＋１］共 振增强多光 子电离(REMPI)制备纯净的分子离子SO⁺₂(²A ₁(000))，用另一束解离激光在281 —332nm扫描获得了光解碎片激发(PHOFEX)谱.获得的光碎片SO⁺激发谱基本可以 归属为SO ⁺₂(,)←SO⁺关键词： +₂')" href="#">SO⁺₂ 光解离 光碎片激发谱