PDP选址驱动芯片的HV-COMS器件设计

设计出一种能与 0 .6μm的标准低压 CMOS工艺完全兼容的 HV-CMOS (High Voltage CMOS)结构 ,并提出了具体的工艺实现方法——单阱非外延工艺 ,该工艺能降低生产难度和成本。同时采用 TSUPREM-4对该结构进行工艺模拟 ,并用 MEDICI对该结构的电流 -电压和击穿等特性进行模拟。该结构的 HV-CMOS应用于 PDP(Plasma Display Panel)选址驱动芯片 ,能在 80 V、40 m A的工作要求下安全工作     

等离子体选址液晶显示器件

本文主要介绍采用等离子体选址的等离子开关驱动LCD的技术。     

交流彩色PDP的驱动集成电路

主要介绍ＡＣ彩色ＰＤＰ驱动技术的发展，为增大面积和提高亮度而采用存储式脉冲驱动，为适应需要高压驱动而设计的介质分离和结分离耐高压工艺，选择两各寻址的扫描集成块。并着重介绍富士通公司开发的全色交流区动系统－－寻址周期分离系统（ＡＤＳ－Ｓｕｂｆｉｅｌｄ）子场驱动法。     

PDP扫描驱动芯片中高压VDMOS器件的设计

PDP扫描驱动芯片完成高低压转换和功率输出,要求器件耐压170v.本文基于BCD工艺,提出了高压器件VDMOS的结构,采用了不附加工艺的场板和场限环两种终端结构提高器件耐压,并利用器件模拟软件MEDICI进行了仿真验证,得到了优化的器件结构参数.     

VFD专用驱动芯片M35500原理及应用

M35500是日本三菱公司生产的驱动VFD专用芯片。该芯片有26个高耐值的输出端口,采用外设串行接口,功能强大,控制简单。本文介绍了M3500的功能特点、控制指令、电气特性、原理及应用电路。     

AC型PDP驱动芯片的研究

主要介绍应用于PDP驱动电路中的高耐压驱动芯片(地址和数据驱动芯片)，简要说明PD驱动电路的主要原理及驱动芯片的应用，重点介绍高耐压部分的工作原理及结构。     

平板显示器驱动芯片高低电压转换电路

LCD、PDP、VFD等各类平板显示器已越来越受到人们关注与喜爱,但大多数平板显示器需要专用的功率驱动芯片来驱动其发光显示,各类专用功率驱动芯片又离不开高低电压转换电路,高低电压转换电路性能的好坏直接影响到驱动芯片的稳定性和功耗等。通过比较平板显示器驱动芯片的几种典型高低压转换电路,设计出一种带有电流源的CMOS型高低压转换电路,它具有最佳的性能指标,该电路不但可以为平板显示器驱动芯片使用,还可以作为其他各类驱动芯片的高低压转换模块使用,最后给出一种具体的平板显示驱动芯片高压CMOS器件结构。     

彩色PDP的真空紫外测试技术研究

叙述真空紫外（ＶＵＶ）测量技术的特点并将这种技术用于彩色ＰＤＰ的测量中。测量了双基板型单元和单基板型单元的瞬态放电过程。得出两种单元的放电延时分别为０．６μｓ及１．１μｓ。采用真空紫外光谱仪对荧光粉的激发光谱和发射光谱进行测量,并计算出其相对发光效率,以评价荧光粉的质量。对稀有气体的发光光谱进行研究,发现有两种混合气分别在２８３ｎｍ及２９５ｎｍ具有较强的紫外辐射,从而有希望获得ＰＤＰ激励波长的“红     

PDP驱动芯片选型分析

针对实际应用中选择PDP驱动电路必须考虑的几个问题，比较了目前市场上比较流行的驱动芯片的性能特点，并介绍了驱动芯片的摹本结构及发展趋势。     

Intersil整合功率驱动芯片和MOSFET器件

Intersil公司最近将一种功率驱动芯片与两款MOSFET结合到同一封装设计 ,命名为 EnduraISL6571 Synchro FET,采用 QFN封装方式。该产品显著减少了面板空间 ,简化其设计结构 ,也降低了制造成本。该器件结合了补偿式 MOSFET驱动器、同步半桥转换器和肖特基二极管 ,采用小型热效能封装。其设计可将 DC/DC转换器的工作频率提升至 1 MHz/phase,从整体上减少印刷电路板的空间。ISL6571 CR采用 QFN封装 ,在 4,999～ 9,999数量范围的定购单价为 2美元。相关设计、评估板和电路设计也可提供。Intersil整合功率驱动芯片和MOSFET器件…     

PDP扫描驱动电路中高压功率MOSFET的设计

提出了一种适合于PDP扫描驱动电路的高压功率LDPMOS和VDNMOS功率器件结构,此结构可用BCD工艺实现,其耐压高、高低压兼容性好、易集成.MEDICI模拟结果表明击穿电压可达200V.     

等离子体显示器件中障壁制作技术的研究

介绍了以国产浮法玻璃作为基板、采用丝网印刷法制作障壁时遇到的主要问题,提出了解决问题的对策以及获得的效果。     

基于薄膜SOI的PDP高压寻址驱动集成电路

基于自主开发的薄膜SOI高低压兼容工艺,研制出一种64位输出的薄膜SOI PDP高压寻址驱动集成电路.测试结果显示,该电路具有80 V驱动电压和20 mA输出电流,电路时钟频率大于40 MHz.     

适用于笔记本电脑的高性能CMOS LVDS驱动器的设计

提出了一种适用于笔记本电脑平板显示嚣接口的高性能CMOS LVDS(Low Voltage Differential Signaling)驱动器的设计方法。用高性能CMOS LVDS驱动器作I／O接口单元是减小当前CMOS工艺芯片内外速度差异的重要手段。文章着重分析了高性能CMOS LVDS驱动器的电路结构及其工作原理，采用TSMC的0．25μm CMOS工艺模型，在Cadence环境下用Spectre仿真器进行模拟，给出了该驱动器的仿真结果。     

等离子体显示器产业的最新进展

综述了彩色等离子体显示器（PDP）产业的最新进展和世界各公司对PDP显示器市场的分析和预测,指出了PDP显示器已成为世界显示器件继CRT和TFT－LCD之后的又一大规模投资热点,制约PDP显示器普及的价格问题将随着技术的进步和生产规模的扩大逐步得到解决,DPD显示器产业已成为平板显示领域中最具有活力的产业之一。     

高压集成电路中高压功率MOSFET的设计

本文提出了一种BCD工艺下实现的高耐压LDPMOS和VDNMOS功率器件互补结构,其优点是高低压兼容性好、耐压高、易集成.MEDICI模拟结果表明击穿电压可达200V,可应用于PDP高压驱动等高压集成电路.     

PDP显示驱动芯片的高速高低压接口电路的设计

从分析影响PDP显示驱动芯片中高低压接口电路的工作速度的几个方面出发,提出一个改进了的高速高低压接口电路,从电路结构上改善了驱动芯片的频率特性,进而为等离子显示的高分辨率大屏幕化提供了有利条件。通过Hspice模拟验证了改进结构的速度性能比传统结构提高了5％～10％。     

浮动电极对PDP单元放电最小维持电压及发光效率的影响

针对一种带有浮动电极的新型PDP单元结构,采用流体模型系统地研究了浮动电极的宽度、间隙以及浮动电极与显示电极平面之间的介质厚度及其相对介电常数对最小维持电压和发光效率的影响,结果发现(1)采用浮动电极后最小维持电压得到了较大幅度的降低;(2)发光效率高,则最小维持电压也高;(3)通过调整浮动电极的间隙,可以实现较高的发光效率,并且最小维持电压增加较少;(4)浮动电极间隙的效率指数最高(发光效率改变量/最小维持电压改变量),而浮动电极与显示电极平面之间介质厚度的效率指数最低.