多孔硅吸附染料分子的荧光增强效应

报道了利用多孔硅独特的表面特性,吸附染料分子后,使得染料的荧光得到很大的增强,并观察到了这种吸附过程中彼此间的能量转移过程。对染料的荧光增强机理及实验结果进行了讨论。     

荧光素钠注射液荧光猝灭的研究

使用荧光素钠注射液进行眼底血管造影，显影清晰度和显影持续时间是造影的重要质量指标，荧光猝灭作用直接影响造影质量。本文研究了浓度，酸度，温度及重金属离子与荧光猝灭的关系。结果表明：荧光素浓度大于１．５５×１０＾－５ｍｏｌ·Ｌ＾－１时，随着浓度增大，荧光猝灭作用增强；酸度对荧光猝灭作用有明显作用，ｐＨ值小于８．５时，随着ｐＨ值升高而减弱，ｐＨ值大于８．５时，随着ｐＨ值升高而增强；温度对荧光猝灭作用呈线     

多孔硅的光学非线性效应

自从1990年英国皇家信号与雷达研究所的Canham发现了多孔硅的可见光发射现象以后[1],在国际上掀起了一股多孔硅发光研究的热潮.继光致发光以后,有好几个研究组已观察到多孔硅的固态电致发光[2],这是向多孔硅在光电子器件的应用方向迈出的一大步.对于多孔硅的发光机理,虽然多数人倾向于认为这是一种量子线或量子点结构的限制效应,但也有一些与之相矛盾的实验结果,以致提出了一些其他的可能机理,如 SiH2或Si6O2H5聚合物,a-St,应变和杂质的作用等.所以要最终确定多孔硅的发光究竟是否是一种量子限制效应,还有待于提供进一步的实验事实. 另一…     

多孔硅的分形结构及其荧光特性

用扫描电子显微镜(SEM)对多孔硅的结构进行了分析.结果显示多孔硅具有分形特性,同计算机模拟结果一致;用荧光光谱仪,研究了多孔硅的荧光特性与激发波长的依赖关系.激发光谱测量结果发现,当激发波长从650 nm变到340 nm时,荧光谱峰位从红端780 nm连续蓝移到500 nm.综合分析说明：正是由于多孔硅的分形微结构以及量子限制效应,导致了多孔硅的荧光特性随激发波长改变的物理现象.     

荧光偏振法测定荧光素的荧光寿命的研究

用荧光偏振法测定荧光素的荧光寿命的灵敏度和准确度较高。在荧光素钠荧光强度最强时－激发波长４９０ｎｍ，发射波长５１５ｎｍ、ｐＨ值８．５、溶液浓度１．６×１０＾－５ｍｏｌ／Ｌ，测定荧光素钠溶液的荧光偏振度，测定不同温度时荧光素钠溶液的粘度，再根据Ｐｅｒｒｉｎ公式，求出荧光素钠的荧光寿命。用荧光偏振法测得荧光素钠荧光寿命为３．４ｎｓ、ｐ＜０．０２，与文献值符合良好，结果令人满意。     

多孔硅荧光皮秒衰减测量与发光机理分析

荧光光谱、荧光皮秒衰减和红外光谱测量表明,自然氧化多孔硅中有两种不同的发光机理并存,一种是由量子限制效应所决定的,另一种是由氧化引入的发光机理。 关键词：     

多孔硅光致发光的温度效应研究

通过对多孔硅光致发光峰随测量温度变化的研究，发现随测量温度的下降，光致发光峰位有两种截然不同的移动方向：发光峰中心波长较长的样品，主峰向低能方向移动(即红移)；而发光峰位波长较短的样品则向高能方向移动(即蓝移).根据多孔硅光致发光峰的温度效应，定性地给出了发光效率随波长变化的模拟曲线，并由此能较好地解释多孔硅光致发光峰位随温度变化而移动的实验现象. 关键词：     

多孔硅膜龟裂过程的显微荧光观察和分析

用Ｏｌｙｍｐｕｓ显微荧光照相系统对多孔硅膜的龟裂过程进行观测，讨论荧光特性和龟裂过程的关系以及龟裂引起的表观荧光横向不均匀性，为研究荧光机理提供了新信息。     

多孔硅表面Ag层对吸附其上的若丹明B染料分子表面增强Raman散射的影响

采用溶液电镀方法在多孔硅表面制备纳米尺寸的银颗粒,测量了不同镀银多孔硅表面吸附的ＲｈＢ染料分子以及固态的ＲｈＢ染料的Ｒａｍａｎ散射谱。在相同的激发强度下,固态ＲｈＢ染料的Ｒａｍａｎ散射最弱,而镀银的多孔硅表面具有明显的增强效果（～１０＾４）。     

多孔硅激光染料镶嵌膜的荧光光谱研究

本文对以多孔硅为载体，镶嵌激光染料形成复合膜的光致发光进行了研究，比较了镶嵌膜与其他不同状态下染料发光的差异，发现镶嵌染料荧光光谱线型较其他状态下明显趋于对称，同时考察了衬底情况的改变对镶嵌膜发光的影响。通过对实验结果的分析指出，这种硅基镶嵌膜中的染料的发光主要来自单体的荧光发射。     

离子注入对多孔硅可见光发射特性的影响

本文在前期对多孔硅发光机理研究的基础上,研究了离子注入对多孔硅光致发光的影响.实验表明离子注入除了可以降低多孔硅光致发光的强度外,还将使多孔硅的光致发光光谱谱峰产生蓝移、半高宽展宽,并在多孔硅发光谱带中产生一些发光减弱区和次峰结构.文中最后对实验现象做了解释.     

高温氧化多孔硅的电子束辐照效应

通过高温氧化处理得到的多孔硅,其阴极射线发光谱呈现明显的三峰结构。峰强随电子束辐照时间而下降。对光致发光很弱的样品,电子束辐照后光致发光明显地增强。红外透射谱及Raman谱分析表明样品基本上成为SiO_x.进一步分析指出三峰可能来源于SiO_x中的缺陷中心发光。电子束辐照在SiO_x禁带中引进了一些缺陷能级,通过这些能级使得紫外线可激发样品发光,出现光致发光增强的现象。     

电化学法制备的多孔硅发光

在（１１１）晶向的ｎ型单晶硅片上，用电化学腐蚀的方法成功地制备出多孔硅膜，室温下，在３４４ｎｍ波长的光激发时用肉眼观察到明亮的桔红色荧光（５７７ｎｍ）研究了ＨＦ浓度，光照强度，电流密度和电化学腐蚀时间对多孔硅膜的发射波长和发光强度的影响，相应的多孔硅量子线度为１．５ｎｍ。     

多孔硅中的1.54μm光发射

本文报道了利用离子注入技术制备多孔硅中Er³⁺的1.54μm光发射发光材料的实验,并对样品的低温光致发光特性进行了实验研究。实验表明多孔硅中的Er³⁺发光与单晶硅中的Er³⁺发光(同样注入条件,退火工艺制备)相比,发光强度有成数量级的提高,同时发光峰更宽,伴线更丰富。     

激光促进多孔硅内表面氧化与光致发光的退化

本文对刚制备的以及分别经以下三种情况:1.样品在1大气压的氧气中经激光(Ar~+激光器的48.80nm线,功率密度为1.77W/cm~2)连续照射1小时;2.样品在1大气压的氧气中在没有激光照射的情况下保持1小时;3.样品在1.3×10~2Pa真空度下用激光连续照射1小时处理后的多孔硅在室温下进行了光致发光谱和傅里叶变换红外吸收测量,研究了处理前后光谱的变化。实验发现经第一种情况处理后光致发光峰位蓝移了约0.1eV,发光强度衰减了二十几倍,相应的其红外光谱中与氧有关的吸收峰强度大幅度增长,而经第二,三两种情况处理后它们的光致发光及红外吸收谱则无大的变化。研究表明在氧气中激光辐照能大大加速多孔硅内表面的氧化。我们认为很可能是多孔硅内表面的氧化作用使光致发光峰位蓝移,由氧化作用产生的非辐射复合中心导致光致发光效率的下降。     

光学声子色散关系对多孔硅喇曼谱的影响

测量了多孔硅的喇曼光谱,观察到谱峰有明显的红移和非对称性展宽效应。用微晶模型对此现象进行了解释:认为谱峰的这种变化不完全是由尺寸的空间限制效应和多孔硅的应变造成的,更主要的是多孔硅的色散关系发生了变化。采用不同的色散关系对谱峰进行了拟合,发现色散关系对喇曼谱的拟合有较大的影响。     

利用吸附分子荧光信号研究感光显影全过程

本利用吸附于Ａｇ晶体微粒表面的罗丹明Ｂ分子的荧光强度随时间发生强烈淬灭效应研究了感光材料ＡｇＢｒ与显影材料对甲胺基酚硫酸盐，对苯二酚光引发氧化还原反应的动力学过程，发现罗丹明Ｂ分子在５７１．２ｎｍ处荧光峰强度随时间的变化与ＡｇＢｒ溶胶曝光时间有关，并与显影剂的性能有关，对甲胺基酚硫酸盐使ＡｇＢｒ中罗丹明Ｂ的荧光在约３ｓ的曝光时间内迅速淬灭，对苯二酚使罗丹明Ｂ的荧光在ＡｇＢｒ溶胶中经约５ｍｉｎ的曝     

多孔硅的形成与发光

本文综述了有关多孔硅(Porous Silicon,简称PS)某些新近的研究成果,包括多孔硅的形成、光致发光和电致发光,着重介绍多孔硅的形成和发光过程的量子尺寸效应.