X射线辐照下BaFxCl2－x:Eu2+的热释发光性质

本文研究了在不同温度下,经互射线辐照后BaFxCl2－x:Eu2+的热释发光性质。给出了热释发光峰的温度与缺陷种类的关系,讨论了两种温度辐照下,BaFxCl2－x:Eu2++(X=0.90,…,1.15)热释发光产生差异的原因。     

X射线辐照下BaF_xCl_（2－x）：Eu~（2＋）的热释发光性质

本文研究了在不同温度下，经互射线辐照后ＢａＦｘＣｌ２－ｘ：ＥＵ２＋的热释发光性质．给出了热释发光峰的温度与缺陷种类的关系，讨论了两种温度辐照下，ＢａＦｘＣｌ２－ｘ：Ｅｕ２＋（Ｘ＝０．９０，…，１．１５）热释发光产生差异的原因．     

掺稀土元素Dy和Mn,P,Cu的MgSO4的热释发光光谱

实验测定了MgSO4:Dy,Mn和MgSO4:Dy,P以及MgSO4:Dy,P,Cu等的热释光磷光体的三维发光谱.结果表明,掺入Dy的MgSO4磷光体的热释发光谱线的波长与Dy3+离子的能级跃迁相关,Dy3+为热释光主要发光中心.MgSO4中只掺入Mn时,温度在140℃和190℃附近呈现波长为660nm宽范围的连续发光带,这是Mn形成的发光中心的光谱.当MgSO4中同时掺入Dy和Mn时,660nm的Mn发光带和低于300℃的Dy3+离子的发光谱强度均受到抑制,出现了波长为480nm和580nm峰温在380℃的主发光峰.这表明原MgSO4:Dy的360℃发光峰向高温方向移动了约20℃,Dy3+仍为热释光主要的发光中心,Mn则主要起能量转移的作用.MgSO4:Dy,P热释光三维发光谱可看出,P掺入使MgSO4:Dy的260℃发光峰移至283℃,并且强度大大增加,原360℃发光峰的峰温基本不变.当MgSO4:Dy,P中同时掺入Cu时,主要发光峰的峰温仍在283℃,但360℃发光峰的强度被抑制,480nm和580nm的发光峰的相对强度发生了变化.因此,Dy3+仍是热释光主要的发光中心,P和Cu参与形成新的俘获中心.     

掺稀土元素Dy和Mn,P,Cu的MgSO4的热释发光光谱

实验测定了MgSO₄:Dy,Mn和MgSO₄:Dy,P以及MgSO₄:Dy,P ,Cu等的热释光磷光体的三维发光谱.结果表明,掺入Dy的MgSO₄磷光体的热释发 光谱线的波长与Dy³⁺离子的能级跃迁相关,Dy³⁺为热释光主要发光 中心.MgSO₄中只掺入Mn时,温度在140℃和190℃附近呈现波长为660nm宽范围的 连续发光带,这是Mn形成的发光中心的 关键词： 热释发光光谱 稀土元素镝 硫酸镁     

磷光寿命法研究无保护流体室温磷光的重原子效应和发光动力学参数

以两种卤代萘为模型化合物，基于磷光寿命的定义τ＝τ^-，τ0＝1／kp和其与各速率常数的关系，导出了一种类似于Stern-Volmer方程的线性方程：τ0／τ＝（kp_kic)/kp=1 kic/kp=1 Ksv.c。通过测定不同重原子微扰剂浓度时的磷光寿命，探讨了从两种途径计算流体室温磷光发射相关动力学参数的可行性和方法，通过这些参数对比讨论了KI和TINO3两种重原子微扰剂对这两种卤代萘无保护流体室温磷光发射的重原子效应的差异。     

有机电致发光器件的磷光发光研究

研制了一种以铕钇络合物（Eu0.1Cd0.9)(TTA)3(TPPO)2为发光材料的新型有机电致发光器件,观察到了三重态的磷光发光现象,分析表明此电致磷发光是Gd^3 对络合物配体电子自旋轨道强烈扰动引起的三重态发光。同时用积分球方法测定了该器件在不同温度下的光致发光和电致发光效率,结果表明此磷发光效地提高了器件的电致发光效率。     

掺杂型BaFBr:Eu2+的热释发光性质的研究

BaFBr:Eu^2 是利用色心存储电子－空穴对并用可见光激励读出存储信息（产生Eu^2 的4f^65d→4f^7的跃迁）的优良的光激励发光材料。通过热释发光技术研究了BaFBr:Eu^2 的热激活行为，对其低温段和高温段的热释发光峰分别进行了归属，通过对BaFBr:Eu^2 以及掺杂Na^ 或Al^3 的BaFBr:Eu^2 的热释发光（TL）谱和光激励发光（PSL）谱的表征，指出在BaFBr:Eu^2 中掺杂Na^ 或Al^3 影响了F（Br^-）色心，使其陷阱深度变涛，并从理论上加以计算，得出的热致激发能量的变化与光致激光能量的变化能很好地吻合。     

真空紫外辐照对MQ增强硅橡胶热性能及光学性能的影响

 采用空间综合辐照模拟设备研究了真空紫外辐照对MQ增强加成型硅橡胶的表面形貌、质量损失、热性能及光学性能的影响。试验结果表明：真空紫外辐照后,硅橡胶表面出现损伤裂纹,随辐照剂量的增加,裂纹的数量增多;真空紫外辐照后,硅橡胶的质量有所损失,其质损率随辐照剂量的增加而增加;真空紫外辐照后硅橡胶的耐热性随辐照剂量的增加先增加而后下降;真空紫外辐照对硅橡胶材料的体膨胀/收缩变形影响不大,但对材料的光学性能有较大影响,随着辐照剂量的增加,材料的光学透过率下降。     

长余辉发光材料的紫外-可见反射光谱测定

用“湿法”制备了长余辉发光材料,原料通过水溶液液相分子水平上的均匀混合,利用金属硝酸盐和有机还原剂在较低的温度下发生氧化还原燃烧反应,一步快速生成产品。加热起燃温度低至500℃,反应时间短,所制得的产品成份均匀,晶粒小,外观呈蓬松状态,易研磨粉碎,粉体表观密度小。以紫外－可见分光光度计测定分析了所制备样品在蓄光前后的反射光谱特征并作了探讨。结果表明,除表观密度外,“显法”与“干法”制备的长余辉发光材料的主要性质相同,紫外－可见反射光谱可以准确描述长余辉发光材料的紫外－可见光谱性能特征。     

多孔硅紫外发光性质的研究

采用水热刻蚀技术制备多孔硅粉末。紫外激光244 nm激发时,多孔硅呈现出310 nm的强紫外发光。随着研磨时间的延长,多孔硅结构消失,紫外发光带也随之消失。氧气热处理后,多孔硅表面被氧化生成氧化硅薄层,同样造成紫外发光带的消失。我们认为310 nm紫外发光来源于硅纳米结构中电子和空穴的直接禁带结构辐射复合。     

CaSO4掺Eu和Ag,Mn的热释发光谱

用三维发光谱方法,研究了掺Eu和Ag,Mn的CaSO4热释光材料的发光特性。测定了CaSO4：Eu(0．1％,摩尔分数)经1kGy的^60Co的γ射线照射后的热释发光谱,观察到Eu^2 离子的波长为385nm,温度为120,154℃的两个发光峰,Eu^3 离子在波长590,620,700nm处有多个发光峰。测量样品经不同温度热处理后的热释发光谱,发现Eu^2 和Eu^3 离子的发光强度随热处理温度变化规律极不相同,可见,Eu^2 和Eu^3 浓度比可通过热处理来改变,从而得到需要的Eu^2 和Eu^3 相对发光强度。通过CaSO4：Mn(0．5％)和CaSO4：Eu,Mn(0．1％,0．1％)热释发光谱的比较,观察到Mn^2 不仅是发光中心,而且能起能量转移的作用。实验得到的CaSO4：Eu,Mn磷光体有很高的发光效率。实验结果表明Eu^2 取代CaSO4中的Ca^2 ,不需要电荷补偿,有比较稳定和简单的结构,其热释光峰基本符合以一陷阱和一发光中心为前提的一级动力学模型,Ag和Mn的掺入不产生Eu^2 的高温发光峰。当Eu^3 在CaSO4中取代Ca^2 离子时,因其价态不同,则需电荷补偿,可能产生缺陷复合体和局部跃迁发光,它的热释光发光机制不能用一级动力学方程表示,而Ag的掺入起电荷补偿作用,从而改变了Eu^3 发光峰温,而对Eu^2 的发光峰温影响极小。     

长波紫外激发下的三基色发光玻璃

报道了一种新的可用长波紫外有效激发的三基色发光玻璃.这种三基色荧光玻璃样品是在相同硅硼酸盐基质中掺杂Ce³⁺/Mn²⁺, Ce³⁺/Tb³⁺以及Eu²⁺并采用熔融法制备出的.其中Mn²⁺,Tb³⁺,Eu²⁺作为激活离子,Ce³⁺作为敏化剂向激活离子提供能量.由于敏化剂的加入使这种三基色发光玻璃在长波紫外激发下获 关键词： 三基色发光 能量传递 长波紫外 发光玻璃     

基于mCP与UGH2为母体的双发光层高效率蓝色磷光OLED

以9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑(m CP)和1,4-二(三苯甲硅烷基)苯(UGH2)为母体,将常用的蓝光染料二(3,5-二氟-2-(2-吡啶)苯基-(2-吡啶甲酸根))合铱(Ⅲ)(FIrpic)掺入这两种母体材料中,制得具有双发光层结构的蓝色磷光有机电致发光器件,并对整个物理机制进行了阐述。该器件较基于m CP或UGH2为母体的单发光层器件有着更高的器件效率。器件的最大电流效率、功率效率、外量子效率分别为21.13 cd/A、14.97 lm/W、10.56%。器件亮度从100 cd/m2到3 000 cd/m2时,效率滚降为34.2%。     

重离子辐照SiO2通过能量损失产生发光色心的研究

通过红外光谱和荧光发射光谱分别对600 keV、4 MeV和5 MeV Kr离子辐照的SiO2进行发光特性的研究。在低能量辐照体系中,简单色心(F2色心)的形成在损伤过程中占据主导地位,其主要诱发蓝光发射带;在高能离子辐照条件下,离子径迹上的能量密度较大,因此缺陷浓度的增大产生了一些缺陷团簇和离子径迹,形成了复杂的色心(F2+和F3+色心等)并诱发了强烈的绿光发射带和红光发射带。该实验结果与能量损失过程中统一热峰理论模型(一个综合的基于电子能损与核能损的非弹性碰撞模型和弹性碰撞模型)的模拟结果能够很好地吻合,表明在keV～MeV能区上存在电子能损过程与核能损过程的协同效应。     

PDP用荧光粉的真空紫外辐照特性

利用“等离子体显示用荧光粉光学测试系统”中147nm真空紫外光,对实用的（Y,Gd）BO_3:Eu红粉,Zn_2SiO_4:Mn和（Ba,Sr,Mg）O·nAl_2O_3:Mn绿粉以及（Ba,Mg）O·nAl_2O_3:Eu~(2+)蓝粉进行较长时间的辐照,以观察荧光粉的衰减特性,发现红粉衰减最小,蓝粉初始衰减较快,而绿粉亮度存在一个先升后降的现象。     

电子束辐照对GaN基LED发光性能的影响

研究了不同能量的电子束辐照对GaN基发光二极管(Light emitting diode,LED)发光性能的影响。利用实验室提供的电子束模拟空间电子辐射,对GaN基LED外延片进行1.5,3.0,4.5 MeV电子束辐照实验,并应用光致发光(Photoluminescence,PL)谱测试发光性能。结果表明:在1.5 MeV电子束辐照下,采用10 kGy剂量辐照时,LED的发光强度增加约25%;而在100 kGy剂量辐照时,LED的发光强度降低约16%。3 MeV的电子束辐照可使原来色纯度不高的LED的色纯度变好,而更高能量的辐照将会引起器件失效。     

ZnO薄膜的激光辐照效应研究

研究了KrF准分子激光辐照对ZnO薄膜的本征缺陷.紫外（UV）发光以及表面形貌的影响,并对室温下ZnO的UV发射机理进行了详细探讨.结果表明激光辐照打断了薄膜内Zn—O键,氧空位（锌填隙）增多,导致表面电阻率下降,载流子浓度升高,调节激光辐照能量密度,可在较大范围内调控ZnO薄膜中的施主缺陷浓度;同时在激光热效应作用下,薄膜晶粒熔融长大,表面粗糙度大大降低;室温下ZnO薄膜的UV发光包括自由激子复合发光（FX）及其声子伴线（FX-LO）,缺陷浓度决定了FX与FX-LO的相对强度比,进而影响UV发射峰的强度以及位置.因此,激光辐照可以快速、有效地对ZnO薄膜内的缺陷浓度进行调控,从而控制其室温下的UV发射强度,这对于提高ZnO基光电器件的性能具有重要意义.     

ZnO薄膜的激光辐照效应研究

研究了KrF准分子激光辐照对ZnO薄膜的本征缺陷.紫外（UV）发光以及表面形貌的影响,并对室温下ZnO的UV发射机理进行了详细探讨.结果表明激光辐照打断了薄膜内Zn—O键,氧空位（锌填隙）增多,导致表面电阻率下降,载流子浓度升高,调节激光辐照能量密度,可在较大范围内调控ZnO薄膜中的施主缺陷浓度;同时在激光热效应作用下,薄膜晶粒熔融长大,表面粗糙度大大降低;室温下ZnO薄膜的UV发光包括自由激子复合发光（FX）及其声子伴线（FX-LO）,缺陷浓度决定了FX与FX-LO的相对强度比,进而影响UV发射峰的强度以及位置.因此,激光辐照可以快速、有效地对ZnO薄膜内的缺陷浓度进行调控,从而控制其室温下的UV发射强度,这对于提高ZnO基光电器件的性能具有重要意义. 关键词： ZnO薄膜 激光辐照 紫外发光 缺陷浓度     

阴极射线激发下ZnO薄膜室温紫外发光的超线性增长规律

研究了直接溅射ＺｎＯ薄膜在阴极射线激发下紫外光（约３９０ｎｍ）和绿光（约５２０ｎｍ）的发光与激发电子束电流密度的关系。随激发电流密度增加绿光相对下降，紫外光相对增强，使得ＺｎＯ薄膜的发光颜色从绿变蓝紫，ＺｎＯ薄膜绿光随电子束流密度的增长呈亚线性增长，并在不高的束流密度下达到饱和，而紫外发光随电子束流密度呈超线性增长，这是ＺｎＯ薄膜在室温阴极射线激发下紫外受激发光的迹象，是高密度激发下的一种超辐射受     

BaFClxBr1-x：Sm的发光研究

本文报道了BaFClxBr1-x:Sm中Sm2+、Sm3+的光致发光、光激励发光和热释发光特征.讨论了基质组分对发光的影响及Sm2+、Sm3+的相对发光效率.发现Sm2+的复合发光能力大于Sm3+的复合发光能力,并从复合发光的过程及途径对这一现象进行了说明.