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基于UMC 0.18 混合信号工艺,设计了一种低功耗逐次逼近ADC,重点考虑了功耗的优化和电路的改进,采用了开关运放技术,降低了传统缓冲器30%左右的能量消耗,同时比较器低功耗的设计也使该ADC节能的优点更加突出,同时比较器采用了失调校准技术,这样就能够满足10 bit精度的要求.在电源电压1.8 V、采样频率100 kHz的条件下,仿真得到该逐次逼近ADC信噪比为61.66 dB,而静态功耗仅为26μW.该设计的芯片版图面积为1 mm×1mm. 相似文献
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介绍了一种低功耗、中等速度、中等精度的改进逐次逼近ADC,用于DSP的外围接口中。其中DAC采用分段电容阵列结构,节省了芯片面积,其高三位使用了动态元件匹配技术,改善了ADC的性能。比较器采用四级预放大器和Latch串联构成,并且使用了失调校准技术。数字电路采用全定制设计,辅助模拟电路完成逐次逼近过程,并且能够使ADC进入省电模式。芯片使用UMC0.18μm混合信号CMOS工艺制造,版图面积2.2mm×1.5mm。后仿真结果显示,ADC可以在1.8V电压下达到12bit精度,速度1MS/s,整个芯片的功耗为2.6mW。 相似文献
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设计了一种10位2 MS/s嵌入式逐次逼近结构ADC。为提高ADC精度,其中DAC采用电压和电荷按比例缩放混合结构,比较器使用了输入失调校准和输出失调校准技术。采用TSMC0.18μm1P6M数字CMOS工艺进行流片验证,整个ADC核面积仅为0.9×0.6 mm2。测试结果表明,在2 MHz采样率、输入信号为180 kHz正弦信号情况下,该ADC模块具有8.51位的有效分辨率,最大微分非线性为-0.8~+0.7LSB,最大积分非线性为-1.7~+1.5 LSB,而整个模块的功耗仅为1.2 mW。 相似文献
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为缩短高速模数转换器(ADC)中高位(MSB)电容建立时间以及减小功耗,提出了一种基于分段式电容阵列的改进型逐次逼近型(SAR)ADC结构,通过翻转小电容阵列代替翻转大电容阵列以产生高位数字码,并利用180 nm CMOS工艺实现和验证了此ADC结构。该结构一方面可以缩短产生高位数码字过程中的转换时间,提高量化速度;另一方面其可以延长大电容的稳定时间,减小参考电压的负载。通过缩小比较器输入对管的面积以减小寄生电容带来的误差,提升高位数字码的准确度。同时,利用一次性校准技术减小比较器的失配电压。最终,采用180 nm CMOS工艺实现该10 bit SAR ADC,以验证该改进型结构。结果表明,在1.8 V电源电压、780μW功耗、有电路噪声和电容失配情况下,该改进型SAR ADC得到了58.0 dB的信噪失真比(SNDR)。 相似文献
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本文详细阐述了一款简易型逐次逼近电荷加权累加ADC电路设计,并介绍了该电路的特点和流片成功的10BITADC具体实现。该电路利用电容的电荷加权巧妙的复用网络电阻的参考电压,具有工艺要求低,版图面积小,相对精度高等优点。 相似文献
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设计了一个多通道逐次逼近型结构的10 bit 40 Ms/s模数转换器(ADC).由于采用时间交叉存取技术,提高了整个芯片的转换速度,同时通过运用比较器自校准和电容自校准结构,提高了整个电路的转换精度.本芯片采用Chart 0.25μm2.5 V工艺,版图面积为1.4 mm× 1.3 mm.40 MHz工作时,平均功耗为33.68 mW.输入频率19.9 MHz时,信号噪声失真比(SINAD)为59.653 3 dB,无杂散动态范围(SFDR)为74.864 6 dB. 相似文献
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8通道10b的R-C混合式SARADC的设计 总被引:1,自引:0,他引:1
实现一个8通道10 b转换精度的逐次逼近式(SAR)模拟-数字转换器。在DAC的设计上采用新的电阻电容混合式的DAC的结构,和传统的C-R式结构相比具有更小的面积。同时对比较器的设计进行了优化,采用一个三级级联的准差分结构,并设计在传统的前置预放和锁存器级联的理论基础上,引入了交叉耦合负载,复位、钳位技术,获得了高精度和较低的功耗。设计经HSPICE仿真结果证明有效,并采用0.13μm CMOS工艺,分别采用2.5 V的模拟电源电压和1.2 V的数字电源电压供电,实现10位的精度。芯片面积为480μm*380μm,FF case下功耗为0.54 mW。实现了超低功耗的ADC的设计。 相似文献
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提出了一种应用于射频接收机自动增益控制(AGC)环路中的10位1 MS/s逐次逼近型模数转换器(SARADC).动态高精度比较器和自举开关技术应用在设计中,在保证转换速度和精度的同时,降低了电路功耗.芯片采用SMIC 0.13μm IP8M RF CMOS工艺实现.测试结果表明,在1.2 V电源电压下,采样率为1 MS... 相似文献
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设计了一种用于逐次逼近型模数转换器中的比较器失调和电容失配自校准电路.通过增加校准周期,该电容自校准结构即可与原电路并行工作,实现高精度与低功耗.校准精度可达14bit.采用该电路设计了一个用于逐次逼近型结构的10bit 3Msps模数转换器单元,该芯片在SMIC 0.18μm 1.8V工艺上实现,总的芯片面积为0.25mm2.芯片实测,在采样频率为1.8MHz,输入320kHz正弦波时,信号噪声失真比为55.9068dB,无杂散动态范围为64.5767dB,总谐波失真为-74.8889dB,功耗为3.1mW. 相似文献
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设计了一种用于逐次逼近型模数转换器中的比较器失调和电容失配自校准电路.通过增加校准周期,该电容自校准结构即可与原电路并行工作,实现高精度与低功耗.校准精度可达14bit.采用该电路设计了一个用于逐次逼近型结构的10bit 3Msps模数转换器单元,该芯片在SMIC 0.18μm 1.8V工艺上实现,总的芯片面积为0.25mm2.芯片实测,在采样频率为1.8MHz,输入320kHz正弦波时,信号噪声失真比为55.9068dB,无杂散动态范围为64.5767dB,总谐波失真为-74.8889dB,功耗为3.1mW. 相似文献
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This paper presents a differential successive approximation register analog-to-digital converter(SAR ADC) with a novel time-domain comparator design for wireless sensor networks.The prototype chip has been implemented in the UMC 0.18-μm 1P6M CMOS process.The proposed ADC achieves a peak ENOB of 7.98 at an input frequency of 39.7 kHz and sampling rate of 180 kHz.With the Nyquist input frequency,68.49-dB SFDR,7.97-ENOB is achieved.A simple quadrate layout is adopted to ease the routing complexity of the co... 相似文献