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本文用第一原理的LDF-LMTO-ASA方法,以超元胞Ba4Bi4O(12),(Ba3K)Bi4O(12),(BaK)Bi2O6,(BaK3)Bi4O(12),K2Bi2O6五种“样本”计算由于Bi(+3)和Bi(+5)二种价态以及K掺杂引起各芯态能级化学位移的变化.“样本”的电子结构与实验相符,即Ba4Bi4O(12)是Eg=2.0eV的半导体,(Ba3K)Bi4O12是Eg=1.6eV其价带顶有少量空穴的半导体.其余“样本”是金属.芯态的LDF本征值经原子模型△SCF修正更接近实验值.用正态分布表达各芯态能级除化学位移外各种“环境因子”的影响,结合任意组份五种“样本”的伯努利分布,计算芯态电子能谱随x的变化.结果表明,所有芯态的自旋一轨道分裂与实验完全相符,Bi(+3)和Bi(+5)二种价态引起各芯态化学位移的变化均小于0.2eV,K掺杂使各芯态结合能略有增加,其中Bi(4f),Ba(5d)约1.3~1.5eV,其他芯态约0.4eV,以上计算结果与实验基本一致. 相似文献
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用第一原理的LDFLMTOASA超元胞法,模拟由X射线吸收谱精细结构测定的BaBiO3中,Bi有两种价态Bi3+和Bi5+及与之相应的两种不同键长的Bi—O八面体,以及K掺杂对晶体结构的影响.计算了Ba4Bi4O12,(Ba3K)Bi4O12,(BaK)Bi2O6,(BaK3)Bi4O12,K2Bi2O6(简记为(404),(314),(112),(134),(022))五种“样本”的电子结构.结果表明,(404)和(314)分别为Eg=16eV及Eg=15eV的半导体,其它“样本”为金属.总能的分析表明(134)是不稳定的,故溶解极限为x=05.以“取样”方式按伯努利分布确定任意组分各“样本”的概率,进而计算了(Ba1-xKx)BiO3电子结构随组分的变化.最后用逾渗模型说明了超导转变温度Tc在x=0.25附近的突变 相似文献
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基于刘提出的新的超导机制及Y(1-x)PrxBa2Cu3O(7-y)体系流动O(pσ)空穴局域机制,本文第一次给出Tc对x的理论曲线,和T=OK能隙对Tc的比值的Tc依赖关系.结果表明流动O(pσ)空穴局域机制比对破缺机制,空穴填充机制及空穴填充对破缺联合机制都好. 相似文献
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用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上生长了Zn1-xMgxSySe1-y四元半导体合金薄膜.用X-射线衍射方法确定了外延层的结构和晶格常数.测量了这些样品在平行和垂直两种不同几何配置下的拉曼散射光谱并对其特性做了研究。从实验上观察到了四类不同的晶格振动模:类ZnSe的TO和LO模以及类ZnS和类MgS的LO模,实验发现:在ZnSe和ZnSSe中加入Mg使得类ZnSe的TO和LO模的振动频率下降;同时,也使类ZnS模的频率随S的增加率减小。 相似文献
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利用电学测量方法结合二次离子质谱(SIMS)技术对金属Ag和Al与YBa2Cu3O(7-x)(YBCO)超导薄膜接触界面电学性质和互扩散特征进行了测试分析.分析结果显示由于Ag和Al具有不同的化学性质,二者与YBCO界面的互扩散特性有明显不同.这些不同影响到接触界面的电学性质和接触窗口下YBCO的超导性能.在Ag/YBCO样品中,在高于350℃以上的温度下氧气氛中退火将引起Ag和O的界面互扩散,但对YBCO体内O的分布及YBCO的超导性能影响不大,且有利于在界面形成好的电学接触;在Al/YBCO样品中,在高于350℃以上的温度下氧气氛中退火后,界面则主要发生O向Al膜体内的扩散,并在Al和YBCO界面生成一不导电的氧化层,这些将影响到YBCO体内O的分布和接触窗口下的YBCO的超导性能.在合适的退火条件(约500℃氧气氛中)下退火,Ag与YBCO将形成小的接触电阻,利用剥离工艺制备的样品,其界面接触电阻率ρ(ρc=R×A)高于是10(-6)Ωcm2. 相似文献
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研究了La2-xSrxCu1-yFeyO4(x=0.13,0.15,0.17和y=0.0,0.002,0.004,0.006)多晶样品在不同磁场下(H=1,3和5T)正常态直流磁化率与温度的关系和超导转变温度与Fe掺杂含量的关系.结果表明,不掺杂样品的正常态直流磁化率呈宽峰行为.随着Fe掺杂量的增多,直流磁化率与温度的关系由宽峰行为变为Curie-Weiss行为.与此同时,超导转变温度随Fe掺杂含量的变化而变化.这表明载流子浓度是影响超导的重要因素.对Fe掺杂样品,其正常态直流磁化率与温度的关系可以用X=a+bT+c/(T-T0)很好的表示.我们认为,其中a+bT项是带Pauli顺磁的贡献.对同一掺Fe样品,增加外磁场时,居里常数c增大而常数项a减小.这是由于在Fermi面存在不满的窄带(dx2上Hubbard带),它是导致居里顺磁的原因.增加磁场时它往高能方向移动,窄带的电子空得更多,这些电子移向较宽的杂化带,导致每个Cu离子的磁矩增大,而带的Fermi面电子态度减小.我们的实验结果也表明,超导电性与能带结构密切相关. 相似文献
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本文测量了Zn1-xMnxS在不同Mn浓度(0.001<x<0.5)下的发射谱和衰减曲线,并且用Yokota和Tanimoto模型进行了分析在对4T1衰减曲线进行拟合时发现衰减曲线是两种不同弛豫过程之和:(1)孤立的Mn2-离子的4T1衰减,它确定衰减曲线的尾部,有较长的衰减寿命;(2)Mn2-离子聚集体(例如Mn2-离子对)的4T1衰减,这种衰减比单个Mn2-离子的衰减更快.我们深入分析了在x=0.062,T=80K时的Zn1-xMnxS的发射谱及其衰减曲线,得到两个衰减寿命:τ1=70μs,τ2>1000μs,这表明在高Mn浓度时存在着两个弛豫过程:一个是较快的,另一个则是较慢的,根据Goede等人的实验结果可以断定较慢的过程来自孤立的Mn2-离子,那么便可以判知较快的过程是来源于Mn2-离子对.正是高Mn浓度下的Zn1-xMnxS中存在着Mn2+-Mn2+离子对,在其间有能量迁移以及它和能量受主之间的能量传递造成了该体系中的IR发射. 相似文献
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用非极性喇曼散射光谱研究了混晶(Rb_xK_(1-x))_2SnCl_6性质随组份(0<x<1)及温度(10K<T<300K)的变化。发现在纯K_2SnCl_6晶体中用Rb ̄+部分替代K ̄+后,将降低原K_2SnCl_6的相变温度Tcl。当混晶中Rb ̄+成份超过极限浓度(x>0.7)后,该相变就被抑制。不同组份样品的同一喇曼模频率,随Rb ̄+的增加,向低频方向移动。用平均力常数拟合给出很好的理论解释。 相似文献
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利用拉曼散射和红外吸收光谱研究了Y1-xNdxSr2Cu2.7Mo0.3O7-δ(x=0,0.2,0.5,0.8,1.0)系列样品的声子振动性质。实验结果表明,对x=0的样品,在拉曼光谱中主要出现323,443,522和578cm-1几个特征峰,在中红外吸收光谱中出现522,580和646cm-1特征峰。随着样品中Nd组分的增加,323cm-1峰向低波数发生位移,而522和646cm-1峰则向高波数发生位移。本文对这些振动模进行了指认,并对其随不同样品组分的变化行为进行了讨论 相似文献
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本文首次报道一类新型半导体材料:含Co++离子的稀磁半导体Zn1-xCoxSe晶体的光谱特性研究实验结果。对组分X=0.001,0.0097,0.030,0.037系列样品,在73K—300K范围内分别在可见和近红外区测量了吸收光谱和光致发光谱。实验观测到一系列与X值无关的吸收峰和光致发光峰,两者—一对应,它们分别对应于具有几对称的晶体场中Co++离子不同能级间的跃迁,对这些峰进行了初步指认。从光致发光谱实验结果给出能隙随X值的变化。 相似文献
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《低温物理学报》2016,(1)
本文研究了不同退火温度对Y_1Ba_2Cu_3O_y块体材料形成的影响.通过XRD,SEM表征方法检查了Y_1Ba_2Cu_3O_y相的形成和微结构特点.从XRD图谱可以得到在860℃到930℃热处理温度下,都能形成正交相的Y-123.观察柠檬酸盐热分解法制备和固相反应法制备的Y_1Ba_2Cu_3O_y的SEM照片,柠檬酸盐热分解法制备样品晶粒尺寸远远小于固相反应法制备样品,并且随着热处理温度的升高,晶粒尺寸有所增加,孔洞数减小.随后测量了样品的R-T曲线.对于880℃,910℃,880℃热处理12h的样品,在正常态具有很好的金属性,Tc,onset,Tc,zero最高.柠檬酸盐热分解法制备样品的R-T曲线的转变宽度与固相反应法制备样品的曲线相近.最后,通过拉曼光谱检查880℃,910℃,900℃,热处理条件下样品,O(4)-Ag峰的位移在502.7cm~(-1),表明样品良好的正交结构和超导特性. 相似文献