X射线辐照后BaFC1中缺陷性质的研究

未掺Eu2+的BaFCl粉末样品在80K下经X射线辐照后,在不同的温度条件下(从80K副273K),用580nm的光波激励样品时观测到310nm和380nm的发光峰.经分析认为,样品经X射线辐照后,在晶体中形成两种卤素离子的F-H''心对.当用F心吸收带的光波激励样品时,两种F—H心对衰变成相应的自陷激子态并复合发光.310nm和380nm分别对应于F-离子和Cl-离子的自陷激子的发光,并且它们的发光强度强烈地依赖于温度的变化。     

γ射线辐照处理竹材的X射线光谱研究

利用X射线衍射仪,对γ射线辐照处理前后的竹材进行X射线光谱分析,得出竹材结晶度和微纤丝角在辐照过程中的变化规律。随着辐照剂量的增加,竹材纤维素结晶度呈现先升高后降低的趋势,微纤丝角变化不明显,表明微纤丝角不是影响辐照过程中竹材物理、力学性能变化的主要因子。     

同步辐射X射线吸收边辐照技术

介绍了同步辐射Ｘ射线能量收边辐照技术和部分应用研究，简要阐述了单能软Ｘ射线辐射剂量参数的测量和计算方法。     

X射线辐照下BaFxCl2－x:Eu2+的热释发光性质

本文研究了在不同温度下,经互射线辐照后BaFxCl2－x:Eu2+的热释发光性质。给出了热释发光峰的温度与缺陷种类的关系,讨论了两种温度辐照下,BaFxCl2－x:Eu2++(X=0.90,…,1.15)热释发光产生差异的原因。     

软X射线辐照引起的铟锡氧化物表面光化学反应

利用XPS原位研究了Mg Kα X射线辐照对ITO表面的影响.结果表明,随着X射线辐射时间的延 长,表面辐照区域In,Sn相对含量增加,而O则逐渐减少,同时,In,Sn3d光电子峰随X射线 辐射的增强而变化.分析说明X射线的辐照导致了ITO表面光化学反应,氧的脱离使In,Sn有 被还原的趋势,受损较重的In明显存在亚氧化态.In,Sn俄歇参数的变化进一步证实ITO表面 发生了光化学反应.并讨论了X射线引起ITO表面光化学反应的机制. 关键词： X射线辐照 光电子能谱 光化学反应     

带状电缆的直流X射线辐照响应

对真空环境下带状电缆模型直流X射线辐照响应进行了实验和数值模拟研究;研制了电缆直流X射线辐照实验系统;使用蒙特卡罗模拟软件计算了直流X光机产生的X射线能谱、通量等参数;建立了带状电缆X射线辐照响应一维计算模型,该计算模型包括电缆导体与介质层间隙和介质层电导率模型。实验测量了两个带状电缆模型的直流X射线辐照响应电流波形,并对其进行了数值模拟。结果显示,在一定的电缆导体与介质层间隙大小假设条件下,采用带状电缆X射线辐照响应计算模型计算的结果与实验测量结果在波形特征和绝对幅度方面比较接近,说明了利用该模型描述电缆直流X射线辐照响应具有其合理性。     

带状电缆的直流X射线辐照响应

对真空环境下带状电缆模型直流X射线辐照响应进行了实验和数值模拟研究;研制了电缆直流X射线辐照实验系统;使用蒙特卡罗模拟软件计算了直流X光机产生的X射线能谱、通量等参数;建立了带状电缆X射线辐照响应一维计算模型,该计算模型包括电缆导体与介质层间隙和介质层电导率模型。实验测量了两个带状电缆模型的直流X射线辐照响应电流波形,并对其进行了数值模拟。结果显示,在一定的电缆导体与介质层间隙大小假设条件下,采用带状电缆X射线辐照响应计算模型计算的结果与实验测量结果在波形特征和绝对幅度方面比较接近,说明了利用该模型描述电缆直流X射线辐照响应具有其合理性。     

软X射线辐照引起的InP表面电子态变化

采用X光电子能谱(XPS)和紫外光电子能谱(UPS)研究了软X射线辐照InP所产生的表面电子态的变化．实验结果表明,软X射线的照射,对In原子影响不大,而对P原子影响很大．分析了InP的辐照效应机理,解释了产生上述影响的原因. 关键词：     

X射线辐照下BaF_xCl_（2－x）：Eu~（2＋）的热释发光性质

本文研究了在不同温度下，经互射线辐照后ＢａＦｘＣｌ２－ｘ：ＥＵ２＋的热释发光性质．给出了热释发光峰的温度与缺陷种类的关系，讨论了两种温度辐照下，ＢａＦｘＣｌ２－ｘ：Ｅｕ２＋（Ｘ＝０．９０，…，１．１５）热释发光产生差异的原因．     

BaFCl：Eu2+X射线存储机制的探讨

本文报导了BaF2-xClx和BSFCl:Eu2-(0.1%)两种粉未样品的制备过程;及其系列样品的电子自旋共振的实验结果.认为BaFCl:Eu2-存储X射线的过程是:经X射线辐照后;在其晶体中形成自由电子和空穴,阴离子空位俘获一个电子形成F心,而空穴被束缚在两个氯离子上形成Vk(Cl2-)心,Vk(Cl2-)心经迁移被发光中心Eu2+所束缚.     

高温电子辐照硅中缺陷的研究

本文对高温电子辐照硅中产生的缺陷进行了研究,发现缺陷的引进率随电子辐照温度的增加而增加,在达到极值温度T_m后,缺陷的引进率将随之而下降,T_m值与缺陷的退火激活能有关。E₃缺陷(E_c—0.36eV)浓度在高温电子辐照中显著增加,在330℃高温电子辐照时,E₃缺陷浓度为室温电子辐照的6倍。研究结果表明,E₃缺陷的可能结构为与多空位和氧有关的复合体。 关键词：     

三羟甲基甲胺单晶缺陷的X射线衍射形貌研究

三羟甲基甲胺(Trihydroxymethylaminomethane,缩写为TAM)是一种新型的X射线分光晶体,综合分光性能优于季戍四醇(PET)。X射线形貌鉴定结果表明,除了宏观包裹物和包裹列外,主要是门类繁多的位错,还有面缺陷干涉条纹。文中扼要讨论了缺陷形成的结构影响因素。 关键词：     

软X射线皮秒分幅相机实验现场应用研究

本文叙述了新研制的软X射线皮秒分幅相机用于现场实验的有关技术,解决了结构安装、抗电磁干扰、触发同步、性能测试,成象系统描准等问题,并获得两束激光对打玻璃球靶和激光与平面靶相互作用产的等离子的喷射图象。整个系统空间分辨率<20μm,时间分辨率75ps(FWHM),触发晃动(80%发次)<±30ps,图象清晰,几何畸变<±5%.     

人工水晶缺陷的X射线形貌术观察

对z向生长的人工水晶中的缺陷进行了X射线形貌术观察和离子探针成份分析,发现除了位错线外,还存在一些过去未曾观察到的层错。对这些层错和位错线的形态、Burgers矢量以及成因作了简要的分析。 关键词：     

X光反射镜的辐照损伤实验研究

叙述了利用LF-11装置的线聚焦来模拟LF-12装置的线聚焦辐照Ge靶荡实验,测得沿激光焦线的轴向上所产生的X光和散射光强度,由此获得在LF-12装置上所完成的“类Ne-GeX光激光双程放大实验”中,起反射作用的Si/Mo多层膜X光反射镜在受到113MW/cm~2X光和227MW/cm~2散射光辐照时,其有效寿命为440ps,在50MW/cm~2X光和101MW/cm~2散射光辐照时,其有效寿命为700ps。     

磷酸铝(AlPO4)晶体中缺陷的X射线形貌研究

用X射线衍射形貌法研究了AlPO₄晶体中的微观缺陷。在所研究的晶体中,主要晶体缺陷是生长层,沉淀物和位错。位错密度在晶体表面附近最大,晶体中部较低。位错主要起源于热应力和由沉淀物或生长层所造成的晶格畸变。多数位错的柏氏矢量是b=(a+c)<1123>型,部分的是b=a[2110]。分析了晶体缺陷与生长条件之间的关系。控制生长过程中的温度波动,特别是晶体出炉时的冷却速度,对提高晶体完美性是重要的。 关键词：     

Lixiscope及几种材料的X射线吸收特性研究

介绍Lixiscope及模拟系统,测量了钛片(Ti)、玻璃板、镍片(Ni)和铝片(Al)对峰值能量为40keV的X射线的吸收持性,指出平板式X射线像增强器输入窗口材料选择的原则。