Fe、Si杂质含量对电解电容器低压阳极铝箔静电容量的影响

Ｆｅ在高纯铝中的存在状态（固溶状态或Ａｌ３Ｆｅ，ＡｌＦｅＳｉ金属间化合物析出状态）直接影响铝在盐酸溶液中的腐蚀速度，从而对腐蚀箔的静电容量有极大影响。介绍了近年来日本专利中关于防止Ｆｅ、Ｓｉ析出的轧箔工艺，即高温固溶处理后在数分钟内完成热轧，使Ｆｅ、Ｓｉ来不及析出，这样，９９．９８％Ａｌ就其Ｆｅ、Ｓｉ析出量而言，实际可达到９９．９９％以上铝的水平。更进一步，控制Ｆｅ、Ｓｉ析出分布状态（弥散状分布）的轧箔工艺，有可能用９９．９３％～９９．９８％铝得到９９．９８％以上纯度铝同样静电容量水平。     

恒负载放电测量超级电容器静电容量的方法

介绍了一种基于恒负载放电的超级电容静电容量测量方法,在对应的电压区间内,分别利用瞬时容量和等效容量表示超级电容静电容量。在恒负载放电回路中利用四端分流器对超级电容放电状态进行采样测量,利用经典电路模型从复频域分析推导出电容容量与分流器电压间的对应关系,通过短时间间隔的任意两时刻电压可计算出超级电容瞬时容量,对瞬时容量在某一电压区间进行积分可得到超级电容等效容量。应用时域仿真对该方法进行了验证,仿真结果表明,在静电容量分别设定为常数、电容端电压的线性函数及二次函数时,测量误差均低于0.5%。对几款常见规格的超级电容器进行了实测实验,电容器瞬时容量与端电压近似线性关系。     

阳极铝箔交流腐蚀发孔对比容的影响

采用５０Ｈｚ交流电腐蚀发孔和进一步腐蚀阳极铝箔，在腐蚀箔表面形成透明钝化型腐蚀膜且蚀孔孔径较大。在交流电腐蚀过程中不产生发黑、掉粉和减薄现象。另外，该工艺对盐酸浓度和硫酸添加剂浓度的适应范围很宽。     

不同形成液对低压铝阳极电容量的影响

研究了磷酸－氨水，已二酸铵－－水系和加入ＮＨ４Ｈ２ＰＯ４等形成液对形成后低压铝阳极电容量的影响。结果表明，加入ＮＨ４Ｈ２ＰＯ４后的已二酸铵－水系形成液在２０－３０伏形成电压时为最佳。     

超声波对高压阳极铝箔隧道孔腐蚀的影响研究

通过研究不同超声波频率、功率以及振源距离对高压阳极铝箔隧道孔腐蚀的影响,发现引入超声波后铝箔的发孔密度可以明显提高,提高幅度为50%~70%,隧道孔孔径相应减小,表面腐蚀加剧,同时隧道孔孔径分布明显变窄。提高超声波功率,将提高铝箔发孔密度和表面腐蚀强度;增加振源距离,铝箔表面腐蚀程度减弱,发孔密度减小。     

不同形成液对低压铝阳极电容量的影响

研究了磷酸－氨水，己二酸铵－水系和加入ＮＨ４Ｈ２ＰＯ４等形成液对形成后低压铝阳极电容量的影响。结果表明，加入ＮＨ４Ｈ２ＰＯ４后的己二酸铵－水系形成液在２０～３０Ｖ形成电压时为最佳     

添加微量金属离子及金属氧化物对阳极铝箔侵蚀性能的影响及机理研究

为研究加微量金属离子对铝箔腐蚀的影响因素及其作用机理,探讨腐蚀液中添加微量金属离子的作用,采用HCl-H_2SO_4直流腐蚀体系,通过对腐蚀铝箔减薄率和失重率进行分析,用金相显微镜(OM)和扫描电镜(SEM)对腐蚀铝箔形貌进行检测。结果表明:由于存在占据侵蚀位点效应、微电池效应、离子间竞争的相互协调过程,随金属离子或金属氧化物添加浓度的增大,铝箔减薄呈先减小、后增大、再减小趋势,铝箔失重率变化较复杂;低浓度的金属离子添加具有缓蚀效应,使得铝箔减薄率和失重率最大下降约59.7%和13.5%;金属离子或金属氧化物添加后,产生的隧道孔较整密,Cl~–的无用腐蚀减少,铝箔比表面积增大,比容最大增加约17.1%。     

预处理对阳极铝箔腐蚀特性的影响

采用正交试验方法,研究了H3PO4溶液、HNO3溶液和A电解液(HCl和H2SO4组成的环保型体系)三种预处理方式分别对后道工序铝箔腐蚀发孔行为的影响。结果表明:用A电解液预处理不但易于生产控制,而且提高了铝箔产品的比容档次和质量一致性,较之H3PO4溶液、HNO3溶液处理,比容提高了2%,其离散率从9%下降到了6%,同时降低了制造成本和环保压力。     

表观电化学参数对铝箔交流电侵蚀的影响

改变交流电密度 (J)、电解液温度 (T)及盐酸浓度 (ci)侵蚀电容器铝箔 ,并以表观电化学参数(J/ ci T)为依据 ,通过侵蚀铝箔的表面形貌和侵蚀箔比容的变化规律 ,研究了铝箔在纯盐酸中受〔Cl- 〕和〔H+ 〕影响的交流侵蚀机制。     

后处理对铝电解电容器阳极箔比容的影响

采用硫酸-盐酸体系环保型铝电解电容器用阳极箔腐蚀工艺,硝酸溶液作后处理液,结合SEM分析,探讨了硝酸后处理在阳极箔表面的清洗机理,研究了直流电侵蚀后,硝酸后处理对阳极箔比容的影响。结果表明:在硝酸溶液温度为65℃、清洗时间为250 s的条件下,阳极箔比容随着硝酸质量浓度的增加而增加,当硝酸质量浓度增至35 g/L时,阳极箔比容达到最大值0.70×10–6 F/cm2。硝酸质量浓度继续增加,阳极箔比容逐渐减小。最佳后处理参数为:硝酸质量浓度为35 g/L,处理温度为65℃,清洗时间为250 s。     

铝的结晶复合阳极氧化膜Ⅰ．水合氧化膜存在下的阳极氧化膜的形成

铝箔先与热水反应，再进行阳极氧化，可形成结晶复合阳极氧化膜。介绍这种膜的形成机理以及膜的结构。这种膜适用于制造中、高压铝电解电容器     

形成前处理对提高铝箔比容的影响

阳极氧化膜是电解电容器的工作介质，其质量的优劣直接影响着铝电解电容器的性能。若在形成前将腐蚀箔在７５℃左右的Ａ溶液（〔Ａ〕≈０．２ｍｏｌ／Ｌ）中浸泡约１０ｍｉｎ，然后在５７０℃左右热处理３ｈ，阳极氧化膜的结构与性能将得到改善，铝箔比容可提高２５％～５０％，而形成电能降低３０％～５０％，从而可有效提高形成效率。     

钽粉氧含量对其钽阳极漏电流的影响

在多年实践经验基础上，用氧含量Ｘ１（质量分数）０．２０％～０．３８％的四种钽粉，控制钽阳极中残余氧含量Ｘ２（质量分数）在０．０８％～０．２０％间，采用正交设计实验研究了对其漏电流的影响，并建立了漏电流峰值ＩＬ和Ｘ１、Ｘ２间的预示方程，描述了漏电流和钽粉氧含量（Ｘ１）、残余氧含量（Ｘ２）间的关系。随后，用预示方程讨论了钽中氧和钽阳极中残余氧对其漏电流的影响。     

硫酸／盐酸比例和A13＋含量对铝箔隧道孔生长的影响

研究了硫酸/盐酸比例、温度和Al^3 含量对高纯铝箔隧道孔生长的影响，发现随着硫酸浓度增加，温度对隧道．孔极限长度和孔径的影响减小，在本文条件下隧道孔生长的临界温度最低可降低到35℃。在电解液中一定含量的Al^3 可以避免铝箔表面形成大孔，从而改善隧道孔分布均匀性。     

柠檬酸盐对阳极箔形成速度与比电容的影响

为了提高铝电解电容器用高压阳极箔形成速度与比电容,将水合处理后的腐蚀箔在95℃、2 g/L柠檬酸钠去离子水溶液中浸泡5 min,在530 V电压化成时,形成时间缩短约2 min,化成箔比电容由0.556×10–6 F.cm–2提高至0.584×10–6 F.cm–2,阳极氧化铝膜的结构与性能得到改善。     

硝酸浓度对中高压铝阳极箔比容的影响

在不同浓度的硝酸中制备铝阳极箔样品,并通过失重量、电化学交流阻抗及扫描电镜方法对样品进行了表征,重点探讨了硝酸的浓度对所制阳极箔比容的影响。结果表明:当硝酸的浓度为1.5 mol/L时,比容达到了一个相对较大的值2.01×10–6 F/cm2;交流阻抗谱中,只出现了一个时间常数,且表现出类似常相位角元的特征。     

硫酸/盐酸比例和Al~(3+)含量对铝箔隧道孔生长的影响

研究了硫酸/盐酸比例、温度和Al3+含量对高纯铝箔隧道孔生长的影响,发现随着硫酸浓度增加,温度对隧道孔极限长度和孔径的影响减小,在本文条件下隧道孔生长的临界温度最低可降低到35℃。在电解液中一定含量的Al3+可以避免铝箔表面形成大孔,从而改善隧道孔分布均匀性。     

Fe和Cu杂质对Si材料响应特性影响的对比分析

针对Si中容易混入Fe杂质和Cu杂质的问题,根据第一性原理和光电响应理论,建立了两种杂质混入下的Si模型,比较了不同间隙位置的杂质原子对Si材料的能级结构及响应特性的影响。结果表明:两种杂质的混入均会导致Si材料能级结构发生变化,从而使Si材料能够出现带外响应,且使得光敏单元的饱和阈值降低。具体而言,Fe杂质在四面体间隙位时,Si材料能级结构会受到明显影响,其带隙减小至0.013 eV,从而在约1 560 nm处出现带外吸收峰。Cu杂质则是在六边形间隙位时对Si材料的影响明显,使材料带隙消失,且在约1 700 nm处出现带外吸收峰。这两种情况下Si 基光敏单元的饱和阈值下降也最为明显,当1 550 nm 激光辐照时,饱和阈值分别为0.001 65 W·cm-2和0.002 54 W·cm-2。分析结果可为光电器件的应用和研制提供参考。