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介绍了一种使用VCO实现调频的锁相环电路并给出了关键技术,变容二极管直接调频和锁相,环路滤波器的设计及实验结果。该电路不仅具有低相位噪声、高稳定载波、很小的非线性失真,而且具有理想的音频调制频响。 相似文献
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介绍了晶体振荡器的种类及压控晶体振荡器。提出改善压控晶体振荡器性能的具体措施 ,并介绍压控晶体振荡器关键元器件——调频变容二极管的性能及发展动态。 相似文献
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压控晶体振荡器及其调频变容二极管 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了晶体的种类荡器的种类及压控晶体振荡器。提出改善压控晶体振荡器性能的具体措施,并介绍压控晶体振荡器关键元器件--调频变容二极管的性能及发展动态。 相似文献
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变容二极管电容测试及分类仪 总被引:1,自引:0,他引:1
翁寿松 《电子工业专用设备》1987,(4)
<正> 前言 我厂是生产变容二极管的专业厂。为了精确地测试变容二极管的电参数,六十年代中期我们从日本东京DENPA KDGYO公司引进TMD—122C型变容二极管测试仪,由电子管组成,表头显示,可测试反向电流I_R、电容C和电容电压变化指数n值。“六五”期间我们从美国HP公司引进4277A型变容二极管电容测试仪,由集成电路和分立器件组成,数字显示,可测试电容C。“七五”期间我们准备从日本国洋电子公司引进SM—1018C型或SM—1018E型变容二极管电容测试及分类仪(以下简称分类仪),或从日 相似文献
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正交检波器可用来解调频移键控和其他类型的FM信号.图1所示的MC13156是一个FM子系统集成电路,它在正交检波器之前把RF下变频到10.7MHz中频(IF)、并进行放大和限幅.在MC13156内的正交电路依靠连接到脚13的外部振荡回路.此振荡回路由150pF电容器和1.5μH电感器组成.它必须可靠地调谐到10.7MHz,而且在完全规定的温度范围内决不能偏离中心频率.图1中的TL072运放是—个外部数据限制器的一部分,在MC13156的脚14处为解调数据提供电流源输出. 相似文献
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本文介绍了4277A型变容二极管电容测试仪的简要性能,着重论述该仪器的功能扩展,用Basic语言编制了独特的测试程序,使该仪器除原来可测试电容c外,还可测试n值、电容配对和c—v特性曲线。 相似文献
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变容二极管又称“可变电抗二极管”.它利用半导体PN结电容或金属一半导体接触势垒电容随外加反向偏压变化而变化的原理制成,是一种专门作为“压控可变电容器”的特殊晶体二极管。变容二极管通常可替代可变电容器,在现代通信设备及家用电器中做高频调谐、频率自动微调、扫描振荡及相位控制等使用。 相似文献
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<正> 变容二极管是指它的端电容按一定的方式随反向偏压而变化的一种半导体二极管。调谐变容二极管的电容—电压特性适用于调谐电路(如在电调谐器UHF和VHF频段中作调谐用),其特点是串联谐振频率和截止频率远高于使用频率。现以无锡元件四厂生产用于C型电调谐器的2CC32型调谐变容二极管为例,介绍其有关特性。 相似文献
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变容二极管C-V特性的控制技术 总被引:1,自引:0,他引:1
本文针对变容二极管生产难点:C-V曲线的控制,在理论上分析了PN结纵横向结构对PN结C-V特性、串联电阻、反向电流的影响,得出了适当减小芯片面积,调高杂质浓度可以不增大串联电阻而减小反向电流、改善C-V特性的结论,并应用于生产。 相似文献
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翁寿松 《电子工业专用设备》1991,20(1):29-32
<正> 前 言 笔者在文献[1]中介绍了日本国洋电子公司的SM—1018E型变容二极管电容测试、分类仪。最近,该公司推出比SM—1018E型更先进的电容分类仪,其型号为SM—1048B型变容二极管自动分类仪。无锡元件四厂已引进这种分类仪。该分类仪适用于微型或片状化变容二极管的反向电流、反向电压、正向压降、电容、电容比、电容差的测试及电容分类。微型或片状化变容二极管主要为彩电和录像机用C型电调谐器配套。微型或片状化变容二极管包括LT32、LT32A、LT33、LT33A、LSV164、MA334、MA338。微型变容二极管外形为M-204型、为夏普C 相似文献
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评述当前变容二极管的新动态,如大电容比、双离子注入、嵌入到调谐器中、多管芯化、超小型化、低电压化和应用多样化等。 相似文献
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变容二极管的特性参数在仿真电路中是一项重要的参量,低频范围内可以由使用说明书上获得参数值,但将其使用在射频范围内时无法获得变容二极管准确的射频参数值。这里基于微波网络转移矩阵级联的理论,自制了一个用于变容二极管射频特性参数提取的平台。同时利用Matlab编程计算,经过校验后确保了平台的可行性。最后利用自制的测试平台对一款变容二极管进行了射频特性参数的提取,方法简单,可行性较强,对其他的研究工作具有一定的参考意义。 相似文献
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利用标准微电子工艺研制出了一种可以应用于微波倍频电路中的肖特基势垒变容二极管,采用平面结构的制作工艺,克服了传统制作工艺的不易集成的缺点.并且在N型层的掺杂浓度呈指数规律,使变容管的变容比高于传统的均匀掺杂结构,有利于提高倍频电路的工作频率和输出功率.采用台面隔离工艺以形成分别用于制作肖特基接触和欧姆接触的两个台面.经... 相似文献