发光二极管峰值波长偏移对色度的影响

利用可调恒流源控制彩色LED发光,采用多道光谱仪测量LED的光谱特性,得到峰值波长随工作电流的变化产生的偏移,并计算了由此而引起的色度值变化.     

发光二极管特性的实验研究

通过实验,对红、绿、蓝三种颜色的LED的发光稳定性、伏安特性和发光波长进行了研究。采用开启电压测量法和分光计测量法,研究了LED的发射波长,实验显示两种方法的结果是相符合的,说明开启电压法是可行的。     

GaN基蓝光发光二极管的波长稳定性研究

尽管GaN基蓝绿光发光二极管（LED）已进入大规模商品化阶段，但其发光波长随注入电流的变化仍是一个尚未解决的关键技术难题.同时，蓝绿光LED电注入发光光谱的半高全宽多为25nm以上.通过优化LED器件材料的生长条件和总应变量，获得了高质量的InGaN/GaN多量子阱LED外延片.由此制作的LED器件在0—120?mA的注入电流下，发光波长变化小于1nm.在20mA的正向电流下，其光谱半高全宽只有18nm，且随注入电流变化较小. 关键词： GaN 发光二极管 波长稳定性     

发光二极管在双缝干涉测波长实验中的应用

发光二极管正在光源领域带来一场革命性变革．光源是光学实验的重要器件．北大附中物理组老师将发光二极管引入中学物理实验带来的重大好处，本文作者已用实践作出回答．用新技术、新器材、新设计改革传统实验，是物理实验教学现代化的有效而广阔途径．建议大家重视，付诸实践．[编者按]     

LED发光二极管特性测试

使用常规实验仪器搭建了LED特性测试系统,测试了LED的伏安特性、光强分布特性、光谱特性、光功率与电流关系特性和发光效率与电流关系特性,得到了LED的阈值电压、正常电压、发光波长、半值角与指向性、峰值波长和光通量等参量.     

多波长红外激光二极管峰值光谱热漂移研究

为了满足红外激光测试技术对多光谱集成光源在光谱范围和峰值精度等方面的要求,提出了一种高精度的多波长红外激光二极管,并设计了能够集成860 nm,905 nm和1064 nm(脉冲/单模)四种激光芯片的封装结构.建立了基于上述封装结构下中心热沉的温度场分布模型,并根据数学建模工具求解的中心热沉温度场数值分布规范了中心热沉的加工工艺.为了验证多波长激光二极管中心热沉对输出峰值光谱热漂移现象的抑制效果,制备了多波长激光二极管样机,并搭建了观察其峰值光谱热漂移现象的实验装置.实验结果显示,样机仅有两种芯片的峰值光谱发生了1—3 nm的微弱漂移,并未超出规定的峰值半宽.该现象证明了多波长激光二极管的输出光谱具备较高的精度和良好的稳定性.     

基于发光二极管的普朗克常量的测量

采用电流表外接法测量发光二极管的伏安特性,确定正向阈值电压;使用多通道光谱仪测量LED的光谱特性,确定与阈值电压对应的LED辐射光的峰值波长,从而计算出普朗克常量.发蓝光、红光及绿光LED测量结果表明h的理论值处于测量值的置信区间内.     

荧光产生时间与荧光峰值波长关系的研究

用激光诱导荧光(LIF)方法对芳香族化合物蒽进行了时间分辨谱研究,介绍了所用测试系统的组成和测试方法,获得了蒽的荧光强度-波长-时间三维立体图、峰值荧光时间图、等高图,并对实验结果进行了分析。研究表明,荧光产生的时间与峰值波长有关系,长波早于短波。     

掺杂GaN间隔层对双波长发光二极管光谱调控作用的研究

采用软件理论分析的方法对p型及n型掺杂的GaN间隔层在InGaN/GaN多量子阱双波长发光二极管中对光谱调控作用进行模拟分析.分析结果表明,掺杂的GaN间隔层的引入,可以有效地控制各阱中的电子或空穴浓度,很好地解决了双波长发光二极管中两种阱发光强度不均的问题,并且通过控制阻挡层的厚度,可以调控两种阱中的载流子浓度,从而调控发光峰的相对强度.这些可以归因于掺杂GaN间隔层对电子或空穴的阻挡作用. 关键词： GaN 间隔层 数值模拟 双波长发光二极管     

一种压控波长可调谐异质结有机薄膜发光二极管

利用空穴型聚合物材料ＲＯＰＰＶ－１２［聚（十二烷氧基－对苯乙炔）］与电子型有机小分子材料Ａｌｑ３（八羟基喹啉铝）配合制备了有机薄膜异质结发光二极管。发现该异质结器件在ＲＯＰＰＶ－１２的厚度保持为７０ｎｍ、Ａｌｑ３的厚度为２０ｎｍ时，器件的性能最优，且电致发光完全来自ＲＯＰＰＶ－１２；而当Ａｌｑ３的厚度为３２ｎｍ时，发光区域则跨越了ＲＯＰＰＶ－１２与Ａｌｑ３，器件在较低驱动电压下来自ＲＯＰＰＶ－１２的光发射占主导地位，随着电压的升高，Ａｌｑ３的光发射逐渐占据了主导地位。在相同电压下，前一器件的亮度、电流、发光效率都要远高于后一器件。分析了其发光机理。     

直接出射白光的新型发光二极管

介绍了实现出射白光发光二极管的几种方法,包括波长转化产生白光,多有源区级联合成白光以及单个有源区直接出射白光.并从芯片结构、材料选取、白光形成机理以及器件性能等四个方面对这几种方法进行了分析比较.最后指出了实现直接出射白光的发光二极管存在的问题及今后的研究重点.     

基于MEMS的波长可调谐微腔有机发光二极管的设计

利用MEMS空气腔在静电力作用下的变形,设计了一种波长可调谐的微腔电致有机发光二极管.通过外加电压,可调制发光中心波长.模拟计算了不同电压下的光谱特性,结果表明可以获得半宽度为2.14 nm,可调谐范围为150 nm的发光光谱.这在光互联的可调谐光源和彩色显示中有很好的应用前景.     

白光LED的最新进展

重点对近年来白光LED的进展进行评述,同时介绍一些在这方面的研究结果。     

光转换有机白光发光二极管发光性能研究

研究一种有机白光发光材料,采用热熔法制备出有机薄膜(核黄素、蒽酮衍生物和线性低密度聚乙烯)。研究结果表明：核黄素、蒽酮衍生物和线性低密度聚乙烯的配比和制膜的加热时间对有机薄膜的发光光谱具有一定影响;得到了从绿光到红光的宽带光谱;用此薄膜封装成白光发光二极管的性能良好。     

近白色发光的有机发光二极管

制备了以８－羟基喹啉锌Ｚｎｑ２为发光层，苯乙烯胺衍生物ＳＡ为空穴传导层，恶二唑衍生物ＰＢＤ为载流子局限层的单层双层和三层结构的有机发光二极管。研究它们的电致发光性能如电致发光光谱，电流密度电压特性和电致发光亮度电压特性等。     

有机微腔绿色发光二极管

光学微腔是指尺寸在光波长量级的光学微型谐振腔。微腔结构可以使腔内物质和光场的相互作用与体材料相比发生很大变化,出现了自发辐射谱线窄化和增强等腔效应。利用这些腔效应,可以改善有机发光器件的性能。采用微腔结构,优化设计并研制了有机微腔绿色发光二极管,器件结构为Glass/DBR/ITO/NPB/Alq∶Rubrene/Alq/MgAg,获得了最大亮度40100 cd/m2、最大发光效率为6.44 cd/A、半峰全宽为28 nm的纯绿色有机微腔电致发光器件。而与之比较的无腔器件最大亮度为22580 cd/m2、最大发光效率为2.98 cd/A、半峰全宽为120 nm。相同电流密度下微腔电致发光谱的峰值发射强度是无腔器件的4.2倍。结果表明将微腔结构引入有机电致发光器件中,不但改善了发光的色纯度,而且使器件的发光效率和亮度都得到明显增强。     

Encrypted Chaos in Quantum Dot Light Emitting Diode

A communication scheme based on the synchronization of two chaotic quantum dot light emitting diodes (QD-LEDs) is theoretically examined. The Chaos in the QD-LED is generated by means of an optical feedback. Synchronization of the chaos is achieved by varying coupling strength between the transmitter and the receiver as unidirectional coupling. The proposed communication schemes is test a by successfully transmitting messages.     

白色有机发光器件及其稳定性

报道了一种稳定的白色有机薄膜电致发光器件.电流效率6cd/A,在电流密度20mA/cm²驱动下,亮度为1026cd/m²;最高亮度21200cd/m²,色度(x=0.32,y=0.40).该器件具有较平稳的效率电流关系,即具有弱的电流荧光猝灭.初始亮度100cd/m²下,半亮度寿命达22245h.     

以蓝色发光材料DPVBi为基质的白色发光器件

白色有机发光器件是实现彩色平板显示的重要方案之一。利用蓝色发光材料DPVBi[4，4′—(2，2—苯乙烯基)—1，1′—联苯]掺杂红光染料DCJTB[4—氰甲烯基—2—叔丁基—6—(1，1，7，7—四甲基久洛尼定基—9—烯炔基—4H—吡喃)]作发光层制备了白色发光器件。研究了DPVBi掺杂不同浓度IDCJTB薄膜的光致发光性质，根据光致发光结果，制备了以DPVBi掺杂不同浓度DCJTB作发光层的电致发光器件，其结构为ITO／GuPc／NPB／DPVBi：DCJTB／Alq3／LiF／Al。当DCJTB质量分数为0．0008时，器件实现了白色发光(色度x=0．25，y=0．32)，电致发光和光致发光的掺杂比例基本相符，表明器件的白色发光主要是由基质DPVBi向掺杂剂DCJTB的能量传递产生的。研究还发现：白色器件随电压升高，光谱中蓝色成分相对于红色成分的比例略有增加，文章对此现象进行了分析。该白光器件在14V时达到最高亮度7822cd／cm^2，在20mA／cm^2电流密度下的亮度为-489cd／cm^2，最大流明效率为1．75lm／W。     

400nm高性能紫光LED的制作与表征(英文)

利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底表面制备了带有p-AlGaN电子阻挡层的400 nm高性能紫光InGaN多量子阱发光二极管。制作了3种紫光LED,分别带有不同p-AlGaN电子阻挡层结构:Al摩尔分数为9%的p-AlGaN电子阻挡层;Al摩尔分数为11%的p-AlGaN电子阻挡层;Al摩尔分数为20%的10对p-AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层。带有高浓度Al电子阻挡层的紫光LED的光输出功率高于低浓度Al电子阻挡层的紫光LED。带有10对p-AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层的紫光LED的光输出功率获得了极大的提高,在20 mA注入电流时测试得到的光输出功率为21 mW。此外,该LED同时显示了在高注入电流下接近线性的I-L特性曲线和在LED芯片表面均匀的发光强度分布。