包含外壳磁阻的微型平衡电枢换能器仿真模型的阻抗和振动分析

现有的“E”型平衡电枢等效磁路模型仿真研究通常不考虑金属外壳磁阻带来的影响。为了解决平衡电枢换能器中因金属外壳和平衡电枢紧密接触带来的非线性磁阻问题，在现有的平衡电枢换能器等效磁路模型上加入了外壳磁阻影响。分析等效磁路模型磁通部分和力学部分的状态空间方程在不同参数条件下的仿真结果，总结不同参数对该模型阻抗和振膜位移的影响情况。通过仿真对比，外壳磁阻对平衡电枢换能器位移频率响应曲线的影响为1～3 dB。对于组装后包含金属外壳的平衡电枢耳机、助听器产品降低频率响应曲线偏差具有一定的指导意义。     

拓扑绝缘体(Bi0.5Sb0.5)2Te3薄膜中的线性磁阻

本文报道了拓扑绝缘体(Bi_0.5Sb_0.5)₂Te₃薄膜中线性磁阻问题的系统性研究工作. 此体系中, 线性磁阻在很宽的温度和磁场范围内出现: 磁场高达18 T时磁阻仍没有饱和趋势, 并且当温度不高于50 K时, 线性磁阻的大小对温度的变化不敏感. 栅压调控化学势可明显改变线性磁阻的大小. 当化学势接近狄拉克点时, 线性磁阻最为显著. 这些结果说明电荷分布的不均匀性是引起该材料线性磁阻的根源.     

非线性响应对巨磁阻的影响

从非线性Kubo公式出发,计算了磁三明治结构的巨磁阻效应.通过考虑 电子运动垂直平面方向,自旋反射和界面处导电电子的散射作用,研究了电流在平面的巨磁 阻量子效应,发现非线性效应在不同程度上影响巨磁阻效应.在零温附近,温度参数对巨磁阻影响很小,而外场偏压的影响相对较大.     

La2／3Ca1／3Mn1—xCuxOy系统磁阻同磁历史关系的实验研究

实验上研究了Ｃｕ掺杂的Ｌａ１／３Ｃａ１／３Ｍｎ１－ｘＣｕｘＯｙ单相样品液氦温度时的磁阻对磁场历史的依赖关系。结果表明，相对于其它掺杂的样品，ｘ＝０．１５样品的磁阻强烈的依赖于磁历史，体现在两个方面，一是磁阻曲线存在着非常明显的滞后效应；二是固定场下测得的电阻随时间的变化呈对数型关系。     

锑化铟磁阻传感器特性测量及应用研究

介绍了不同实验条件下，锑化铟磁阻器件电阻与所加直流磁感应强度的关系，并对其曲线进行了拟合与讨论，通过施加低频交流磁场的方法，得到了磁阻器件在小于0．06T弱磁场范围内对电磁信号的倍频效应。     

CdBa2Cu3O7-x薄膜的涨落电导

测量了高质量的GdBa_2Cu_3O_(7-x)薄膜的电阻及磁阻曲线,应用Lawrence-Doniach理论对实验曲线进行了拟合,得到了一组自洽且合理的参数值,由ln(σ—σ_(?))-Int曲线可以明显地看到存在一个二维向三维的转变。 关键词：     

Sr_2RuO_4正常态的c方向的磁阻的研究

研究了典型的层状钙钛矿结构超导单晶Sr2RuO4在c方向的磁阻(Δρ/ρ0)(H∥ab,J∥c)的变化.实验发现,磁阻表现出强烈的各向异性,并且随着温度T的降低,磁阻效应越明显;当在平面ab内旋转磁场H的方向时,磁阻成周期性变化;实验表明,磁场沿(110)方向时,出现磁阻的极大值.分别从Sr2RuO4的费米面的各向异性、载流子散射率、c方向能带色散的各向异性等方面来解释这些输运性质.     

La2-xSrxCuO4单晶的平面内磁阻研究

测量了三种不同组分La2-xSrxCuO4(x＝0.09,0.18,0.24)单晶的平面内横向(H∥c,J∥ab)和纵向(H∥J∥ab)磁阻,发现平面横向与纵向磁阻都是正的,并且纵向磁阻与横向磁阻相比较很小,表明横向磁阻的主要贡献是电子轨道部分,也反映了ab面内和c方向电子有效质量的各向异性.三种成分单晶样品的平面内横向磁阻在不同温度随Sr含量x的变化显示在最佳掺杂浓度附近平面横向磁阻最大.     

磁阻传感器测量地磁场实验教学体会

简要介绍了磁阻传感器的结构和工作原理,解释了标定磁场在地磁场测量中的作用。在此基础上,进一步分析了在不同磁场下磁阻传感器管脚如何调整方向以及在地磁场测量中如何找到地磁子午面等问题,通过具体的操作使学生对磁阻传感器测量地磁场实验的理解能够更加深入。     

薄膜Pt电阻温度计的标定及低温磁阻

本对薄膜铂电阻温度计一４．５Ｋ－２５０Ｋ温区及０－５Ｔ纵向磁场下的进行标定，并对其在Ｔ〈５０Ｋ的磁阻效应进行了讨论。实验曲线细致光滑，实验数据表明它在低温下仍有一定测温灵敏度，如在１０Ｋ时每度仍有十几微伏的变化。